%0 Journal Article
%T 一维超晶格的子能带和光跃迁
%A 夏建白
%A 黄昆
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 用有效质量理论讨论了无限势阱和有限势阱中一维量子阱和超晶格的子能带和光跃迁.计算了势阶宽度W_x和W_y不同比值下,无限势阱中空穴的无量纲量子能级以及有限势阱中的两组空穴子带.讨论了准—维情形(W_x《W_y)和一维情形(W_x≈W_y)下量子能级的性质和光跃迁的选择规律.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0AB79501921FDCAC&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=B31275AF3241DB2D&sid=8DBE05486163BAB2&eid=03EE8EDD44A3D4BE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0