%0 Journal Article
%T 汽相外延InP
%A 黄善祥
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X <正> 由于InP具有高的峰谷比,高的电子漂移速度和快的谷间散射.使其成为微波和光电器件方面有前途的新材料. 本工作企图采用 In/PCl_3/H_2体系,汽相生长满足器件要求的 InP外延材料.实验方法如下: 采用与GaAs汽相外延相似的装置:主路接PCl_3料瓶,旁路接掺杂“S”料瓶和供汽
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AA3F1D92340BBD96D1BCE83CF66A787D&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=2BA123C6EB9D54C2&eid=FCD27DC5E1F2EEE7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0