%0 Journal Article
%T Optimization of the longitudinal structure of intrinsic layer in microcrystalline silicon germanium solar cell<br>微晶硅锗太阳电池本征层纵向结构的优化
%A Cao Yu
%A Zhang Jian-Jun
%A Li Tian-Wei
%A Huang Zhen-Hua
%A Ma Jun
%A Ni Jian
%A Geng Xin-Hua
%A Zhao Ying
%A <br>曹宇
%A 张建军
%A 李天微
%A 黄振华
%A 马峻
%A 倪牮
%A 耿新华
%A 赵颖
%J 物理学报
%D 2013
%I 
%X 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术, 研究了辉光功率对微晶硅锗材料结构特性和光电特性的影响, 提出使用功率梯度的方法制备微晶硅锗薄膜太阳电池本征层. 优化后的微晶硅锗本征层不仅保持了晶化率纵向分布的均匀性, 而且形成了沿生长方向由宽到窄的渐变带隙分布, 使电池的填充因子和短路电流密度都得到了提高. 采用此方法制备的非晶硅/微晶硅锗双结叠层电池转换效率达到了9.54%.
%K microcrystalline silicon germanium
%K discharge power
%K band gap modulation
%K solar cell<br>微晶硅锗
%K 辉光功率
%K 带隙调节
%K 太阳电池
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=96293AEB9294B34DA99606166B1AD571&yid=FF7AA908D58E97FA&iid=38B194292C032A66&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0