%0 Journal Article %T Quantitative analysis on the influences of the precursor and annealing temperature on Nd2O3 film composition
前驱体和退火温度对Nd2O3薄膜组分影响的定量研究 %A Zhang Xu-Jie %A Liu Hong-Xia %A Fan Xiao-Jiao %A Fan Ji-Bin %A
张旭杰 %A 刘红侠 %A 范小娇 %A 樊继斌 %J 物理学报 %D 2013 %I %X 采用Nd(thd)3和O3作为反应前驱体, 利用先进的原子层淀积方法在P型硅(100)衬底上制备了超薄Nd2O3介质膜, 并在N2气氛下进行了退火处理. 采用X射线光电子能谱仪对薄膜样品组分进行分析. 研究结果表明, 淀积过程中将前驱体温度从175 ℃提高到185 ℃后, 薄膜的质量得到提高, O/Nd 原子比达到1.82, 更接近理想的化学计量比, 介电常数也从6.85升高到10.32. %K atomic layer deposition %K Nd2O3 %K precursor temperature %K X-ray phoroelectron spectroscopy
原子层淀积 %K Nd2O3 %K 前驱体温度 %K X射线光电子能谱仪 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=96293AEB9294B34D49A83E2394190D45&yid=FF7AA908D58E97FA&iid=38B194292C032A66&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0