%0 Journal Article
%T High-quality Ge1-xSnx alloys grown on Ge(001) substrates by molecular beam epitaxy<br>Ge(001)衬底上分子束外延生长高质量的Ge1-xSnx合金
%A Su Shao-Jian
%A Zhang Dong-Liang
%A Zhang Guang-Ze
%A Xue Chun-Lai
%A Cheng Bu-Wen
%A Wang Qi-Ming
%A <br>苏少坚
%A 张东亮
%A 张广泽
%A 薛春来
%A 成步文
%A 王启明
%J 物理学报
%D 2013
%I 
%X Ge1-xSnx是一种新型IV族合金材料, 在光子学和微电子学器件研制中具有重要应用前景. 本文使用低温分子束外延(MBE)法, 在Ge(001)衬底上生长高质量的Ge1-xSnx合金, 组分x分别为1.5%, 2.4%, 2.8%, 5.3%和14%, 采用高分辨X射线衍射(HR-XRD)、卢瑟福背散射谱(RBS) 和透射电子显微镜(TEM)等方法表征Ge1-xSnx合金的材料质量. 对于低Sn组分(x≤ 5.3%)的样品, Ge1-xSnx合金的晶体质量非常好, RBS的沟道/随机产额比(χmin)只有5.0%, HR-XRD曲线中Ge1-xSnx衍射峰的半高全宽(FWHM)仅100" 左右. 对于x=14%的样品, Ge1-xSnx合金的晶体质量相对差一些, FWHM=264.6".
%K germanium-tin (Ge1-xSnx) alloy
%K germanium (Ge)
%K molecular beam epitaxy (MBE)<br>锗锡合金
%K 锗
%K 分子束外延
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=164B941495554643BEE6CB8932C6A297&yid=FF7AA908D58E97FA&iid=94C357A881DFC066&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0