%0 Journal Article
%T Investigation of microcrystalline silicon germanium prepared by hydrogen and helium gas mixture diluted VHFPA-RTCVD<br>H2,He混合稀释生长微晶硅锗薄膜
%A Zhang Li-Ping
%A Zhang Jian-Jun
%A Zhang Xin
%A Shang Ze-Ren
%A Hu Zeng-Xin
%A Zhang Ya-Ping
%A Geng Xin-Hua
%A Zhao Ying
%A <br>张丽平
%A 张建军
%A 张鑫
%A 尚泽仁
%A 胡增鑫
%A 张亚萍
%A 耿新华
%A 赵颖
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 采用H2,He混合气体稀释等离子辅助反应热化学气相沉积法生长微晶硅锗薄膜,并在生长过程中对等离子体进行光发射光谱在线监测.结果表明:混合气体稀释法可以有效提高等离子体中的原子氢数目,降低等离子体中的电子温度;用XRD和光暗电导率表征样品的微结构和光电特性时发现,通过优化混合稀释气体中He和H2气体的比例,能够减少薄膜中的缺陷态,促进薄膜<220>择优取向生长,有效改善微晶硅锗薄膜结构,提高光电吸收性能.
%K chemical vapor deposition
%K microcrystalline silicon germanium thin film
%K optical emission spectra
%K X-ray diffraction<br>化学气相沉积
%K 微晶硅锗薄膜
%K 光发射光谱
%K X射线衍射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=66E020695DA48E2B689D1780AA82502E&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=708DD6B15D2464E8&sid=1EE2CA224EF2923E&eid=56EC64F6D67C1C42&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0