%0 Journal Article
%T TRANSPORT IN HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AT LOW TEMPERATURES<br>氢化非晶硅的低温输运
%A ZHU MEI-FANG
%A <br>朱美芳
%J 物理学报
%D 1996
%I 
%X 从低温跳跃电导模型出发,计算低温下的跳跃频率,热发射率及输运能级随温度变化,分析讨论了非晶硅热激电导的低温峰。认为输运机制的变化是氢化非晶硅热激电导低温峰TM独立于起始温度T0的主要原因,TM相应于输运机制变化的温度。
%K 氢化非晶硅
%K 低温
%K 输运
%K 跳跃频率
%K 热发射率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=7411BF4698E8373464E4FB9B7C92CA39&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=94E7F66E6C42FA23&iid=38B194292C032A66&sid=A03A15CF5604A8B0&eid=42D7028D961473F8&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=4