%0 Journal Article
%T Influence of layout parameters on snapback characteristic for a gate-grounded NMOS device in 0.13- m silicide CMOS technology<br>0.13微米硅化物 CMOS工艺下版图参数对栅极接地 NMOS晶体管骤回特性的影响
%A Jiang Yuxi
%A Li Jiao
%A Ran Feng
%A Cao Jialin
%A Yang Dianxiong
%A <br>姜玉稀
%A 李娇
%A 冉峰
%A 曹家麟
%A 杨殿雄
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 本文中，在 0.13微米硅化物 CMOS工艺下， 设计了不同版图尺寸和不同版图布局的栅极接地 NMOS器件。TLP测量技术用来获得器件的骤回特性。 文章分析了器件版图参数和器件骤回特性之间的关系。TCAD器件仿真软件被用来解释证明这些结论.通过这些结论,电路设计者可以预估栅极接地NMOS器件在ESD大电流情况下的特性,由此在有限的版图面积下设计符合 ESD保护要求的栅极接地 NMOS器件。本文同时给出了优化后的 0.13微米硅化物工艺下 ESD版图规则。
%K electrostatic discharge
%K gate-grounded NMOS
%K snapback characteristic
%K layout parameters<br>静电泄放
%K (ESD)
%K 栅接地NMOS
%K 骤回特性
%K 版图参数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A52A449F217A115132881414970B3429&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=5D311CA918CA9A03&sid=3B01130B108103A1&eid=5D311CA918CA9A03&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0