oalib

Publish in OALib Journal

ISSN: 2333-9721

APC: Only $99

Submit

Any time

2019 ( 132 )

2018 ( 2396 )

2017 ( 2610 )

2016 ( 2839 )

Custom range...

Search Results: 1 - 10 of 132899 matches for " 门玉明 "
All listed articles are free for downloading (OA Articles)
Page 1 /132899
Display every page Item
缓变基区对HBT性能的影响
,张义
半导体学报 , 1997,
Abstract: 本文提出了新的模拟HBT性能的流体动力学传输模型,考虑了能量(动量)方程中的各个物理量,不同能谷散射对能量弛豫时间影响以及异质结能带的各种效应.分析了发射结和基区Al组分的缓变与AlGaAs/GaAsHBT性能的关系,提出了器件优化设计的原则.
土-结构动力相互作用问题的研究现状及展望
,黄义
力学与实践 , 2000, DOI: 10.6052/1000-0992-f2000-091
Abstract: 对土-结构动力相互作用问题的研究现状进行了分析,并对该领域今后的研究工作提出了建议.
巨石混合体边坡失稳模式研究
刘蕾,,袁立群
南水北调与水利科技 , 2013,
Abstract: 运用离散元数值模拟方法,对具有大块石堆积特征的巨石混合体边坡的失稳模式进行了研究。结果表明,巨石混合体边坡中块石表面摩擦系数的降低会导致块石边坡的运动变形,变形模式以块石的平移为主,个别块石发生转动。;块石在变形过程中重新镶嵌、咬合,具有自稳性。;巨石混合体边坡主要的失稳范围为坡体的前缘和中部,竖直方向上坡体中上部的变形量较大,坡体下部变形量较小。;前部块体的变形会导致后部块体失去支撑而发生变形,属牵引式的失稳模式。
The simulation study of the tunneling effect in the breakdown of 4H-SiC pn junction diode
4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究

吕红亮,张义,
物理学报 , 2003,
Abstract: 基于4H-SiC材料特性,建立了4H-SiC pn结型二极管的击穿模型.该模型在碳化硅器件中引入 雪崩倍增效应和隧穿效应.利用该模型,分析了隧穿效应对器件击穿特性的影响;解释了不 同的温度和掺杂条件下,器件的击穿机理.该模型较好地反映了实际器件的击穿特性.
Effects of Incomplete Ionization of Acceptors on 6H-SiC MOSFET
杂质不完全离化对SiC MOSFET的影响

尚也淳,张义,
半导体学报 , 2001,
Abstract: 在分析 Si C中杂质部分离化时 ,考虑了 Frenkel- Pool效应 ,通过求解 Si C MOS表面空间电荷区中的一维Poisson方程 ,提出了一个新的 Si C MOSFET反型层薄层电荷 (charge- sheet)数值模型 .对 Si C中杂质不完全离化的研究表明 ,杂质原子较大的离化能、高的掺杂浓度以及低温会使不完全离化的影响增强 ,对于 Si C MOSFET,杂质不完全离化的影响主要在亚阈区
n型6H-SiC体材料欧姆接触的制备
,罗晋生,张义
半导体学报 , 1997,
Abstract: 本文报道了采用Au/NiCr在n型6H-SiC体材料上制备欧姆接触的实验结果,依次蒸发NiCr合金(重量百分比为80%Ni:20%Cr)和金层,高温退火后形成欧姆接触,用改进的四探针法测得最小比接触电阻为8.4e-5·cm2.达到了应用的要求.
SiC肖特基势垒二极管的研制
,张义,罗晋生
半导体学报 , 1999,
Abstract: 本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂(Pt)做肖特基接触在n型6H-SiC体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性.对实验结果进行了比较分析,I-V特性测量说明Pt/6HSiC肖特基二极管有较好的整流特性,热电子发射是其主要的输运机理,理想因子为1.23,肖特基势垒高度为1.03eV,开启电压约为0.5V.
Two-Dimensional Simulation of SiC Merged PiN/Schottky Diodes
碳化硅混合PiN/Schottky二极管的二维模拟

牛新军,,张义,吕红亮
半导体学报 , 2002,
Abstract: 利用模拟软件 MEDICI对碳化硅混合 Pi N / Schottky二极管 ( MPS)的输运机理及伏安特性进行了模拟 .输运机理的模拟结果表明 MPS的工作原理是正向肖特基起主要作用 ,而反向时 PN结使漏电流大大减小 .伏安特性的模拟结果表明 MPS的正向压降小 ,电流密度大 ,在 2 V正向偏压下达 10 - 5A/μm ,反向漏电流小 ,击穿电压高( 2 0 0 0 V左右 ) ,可以通过改变肖特基和 PN结的面积比来调整 MPS的性能 ,与硅 MPS、碳化硅 PN结以及碳化硅肖特基二极管相比具有明显的优势 ,是理想的功率整流器
HEMT的静态和小信号解析模型
张义,龚仁喜,,吴拥军
半导体学报 , 1995,
Abstract: 本文在提出一个新的二段非线性2DEG模型的基础上,建立了HEMT的静态和高频解析模型.对交流波动方程采用Bessel函数法得到精确解.由直流特性和表征高频特性的参数和实验数据的比较表明,本模型与实验符合得相当好.
Parameter analysis for gate metal—oxide—semiconductor structures of ion-implanted 4H silicon carbide metal—semiconductor field-effect transistors
王守国,张义,
中国物理 B , 2010,
Abstract:
Page 1 /132899
Display every page Item


Home
Copyright © 2008-2017 Open Access Library. All rights reserved.