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Study on the optical and electrical properties of plasma for the deposition of microcrystalline silicon
微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性研究

Zhang Fa-Rong,Zhang Xiao-Dan,Amanatides E,Mataras D,Zhao Jing,Zhao Ying,
张发荣
,张晓丹,Amanatides E,Mataras D,赵静,赵颖

物理学报 , 2008,
Abstract: 采用空间分辨光发射谱和傅里叶变换功率阻抗分析仪研究了衬底偏压和辉光功率对微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性的影响.研究表明:在交流偏压(AC)、悬浮(floating)、负直流加交流(-DC+AC)偏压下,Hα发射强度空间分布规律相似,平均鞘层长度相等;正直流加交流(+DC+AC)偏压和接地(grounded)时Hα发射强度显著增强,并存在双峰(double layers)现象.增大功率,Hα发射强度也随着增大,并在17W与22W之间产生跳变.电学测试发现功率增大,等离子体电阻降低,电抗降低,电
Plasma power and impedance measurement in silicon thin film deposition
硅薄膜沉积中等离子体辉光功率和阻抗的测试分析

Zhang Xiao-Dan,Zhang Fa-Rong,Elefterious Amanatides,Dimitris Mataras,Zhao Ying,
张晓丹
,张发荣,Amanatides Elefterious,Mataras Dimitris,赵 颖

物理学报 , 2007,
Abstract: Plasma impedance and power consumption were measured by modified voltage-current method at different applied voltages on the substrate electrode. The results indicated that discharge current increases with the increase of applied voltage on the substrate electrode when the applied voltage of RF electrode is fixed. As a result, plasma impedance decreases. In addition, only a small part of power was used by the plasma and a large part of power was consumed on the matching network and cables. Through the analysis of plasma electrical properties, it was found that the deposition rate of thin films will be increased with the increase of applied voltage on the substrate electrode so long as there is enough silane.
高电流低气压等离子体阴极电子枪设计与实验
谢文楷,黎晓云,王彬,蒙林,鄢扬,高昕艳
强激光与粒子束 , 2006,
Abstract: ?设计了一种新型的高功率低气压等离子体电子枪。基于空心阴极效应和低压辉光放电原理与经验,确定了空心阴极、加速间隙、工作气压范围等。提出关于等离子体阴极电子枪产生高功率、高密度电子束源的整体方案。分别在连续馈气和脉冲馈气条件下进行实验测试,得到放电电流、收集极电流与气压、脉宽及调制器电压的关系。实验获得电子枪的典型放电电流为150~200a,脉宽60μs;传输电子束达到30~80a,脉宽60μs。该结果表明该新型等离子体阴极电子枪可以取代材料阴极作为大电流、长脉冲电子束源,特别适用于等离子体加载微波管。
Optimization of the longitudinal structure of intrinsic layer in microcrystalline silicon germanium solar cell
微晶硅锗太阳电池本征层纵向结构的优化

Cao Yu,Zhang Jian-Jun,Li Tian-Wei,Huang Zhen-Hua,Ma Jun,Ni Jian,Geng Xin-Hua,Zhao Ying,
曹宇
,张建军,李天微,黄振华,马峻,倪牮,耿新华,赵颖

物理学报 , 2013,
Abstract: 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术, 研究了辉光功率对微晶硅锗材料结构特性和光电特性的影响, 提出使用功率梯度的方法制备微晶硅锗薄膜太阳电池本征层. 优化后的微晶硅锗本征层不仅保持了晶化率纵向分布的均匀性, 而且形成了沿生长方向由宽到窄的渐变带隙分布, 使电池的填充因子和短路电流密度都得到了提高. 采用此方法制备的非晶硅/微晶硅锗双结叠层电池转换效率达到了9.54%.
球墨铸铁的辉光离子渗金属
兵工学报 , 1995,
Abstract: ?采用双层辉光离子渗金属技术(Xu-TECProcess)对球墨铸铁进行了表面合金他处理。交中念绍了球墨铸铁经渗钨钼、镍铬之后的会金渗层的组织、成分和性能特点,研究和分析了处理温度、时间、铸铁成分和辉光放电条件等因素对合金渗谣形成过程的影响。结果表明,渗金属处理后球墨铸铁的表面得到显著的强化。此外,该工艺还具有效率高,无污染的优点。
THEORETICAL ANALYSIS OF CURRENT DISTRIBUTIONS OF GLOW DISCHARGE PLASMA IN 3-DIMENSIONAL SPACE
辉光放电等离子体三维电流的理论分析

S T BAI,ZHOU TING-DONG,
白秀庭
,周庭东

物理学报 , 1993,
Abstract: Current distributions of glow discharge plasma in 3-D space were theoretically analyzed with analytic method. The characterestics of the current continuity and self consistency of the theory were demonstrated. Deficiencies and inconsistencies in the result obtained from other models were also discussed and analyzed. The present results are believed to be useful and significant in the study of low temperature plasma.
直流辉光放电等离子体特性的数值计算
林玉枝
福州大学学报(自然科学版) , 1996,
Abstract: 给出直流辉光放电等离子体的一维磁流体力学(MHD)方程组及其稳态的差分方程和边界条件,并利用计算机计算、作图给出等离子体的电位、电子密度、离子密度、电子速度和离子速度的一维空间分布曲线.最后对计算结果进行讨论
辉光、弧光放电测试装置的研制
李祥超,王成芳,徐乐,祝勇军,何为
电瓷避雷器 , 2014,
Abstract: 针对开关型间隙电气元件的放电在时间和空间上都是剧烈变化的暂态过程,导致其电气参数难以测量等问题,通过对气体辉光、弧光的放电机制分析,依据IEC61643-311气体放电管性能测试电路设计部分的标准要求,研究开发出一台针对开关型电气元件的辉光、弧光放电测试装置。经软件仿真及反复试验表明,研制的辉光、弧光放电测试装置能够准确有效地测量开关型间隙电气元件辉光、弧光放电时的伏安特性曲线,可以为开关型间隙电气元件在续流及伏安特性研究等问题上提供准确数据
镍基合金辉光放电阴极溅射表面形貌
任建世,赵惠林,张功杼
金属学报 , 1989,
Abstract: 用能量色散X射线谱仪和电子探针,研究两种含有第二相沉淀和喷射弥散强化镍基合金的阴极溅射表面微观形貌,发现形成的溅射锥体是由于第二相沉淀和氧化物质点的存在,使局部溅射率改变和引起静电效应的结果。
双层辉光沉积TiN涂层的力学性能研究
陈首部,韦世良,何翔,孙奉娄
中南民族大学学报(自然科学版) , 2009,
Abstract: 采用双层辉光离子渗金属技术,在硬质合金YG8基体表面上沉积TiN涂层,通过外观、宏观性能和显微硬度等分析测试,研究了源极到阴极距离、基体温度、辉光放电气压对TiN涂层性能的影响.结果表明:TiN涂层的致密度、均匀性主要受源极到阴极距离的影响,其结合力主要取决于基体温度,而"边缘效应"则主要与辉光放电气压密切相关.双层辉光沉积TiN涂层的优化工艺参数为源极到阴极距离10~12 mm,基体温度750~850 ℃,气压280~340 Pa,所沉积TiN涂层的最高显微硬度可达2 356 HV0.05.
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