oalib

OALib Journal期刊

ISSN: 2333-9721

费用:99美元

投稿

时间不限

2016 ( 114 )

2015 ( 3740 )

2014 ( 4034 )

2013 ( 4131 )

自定义范围…

匹配条件: “谢二庆” ,找到相关结果约64182条。
列表显示的所有文章,均可免费获取
第1页/共64182条
每页显示
银行保险业经济系列专业职称资格的职务分析
,
心理科学进展 , 1994,
Abstract: 受国家人事部委托,为确定经济系列初中级专业职称资格考试的内容和形式,对银行及保险业124种职务的563个样本进行了职务分析.用描述性统计和逐步回归分析确定资格考试的专业知识范围及水平,用累积百分比确定各级专业职称的基本评定资格及评定周期。研究指出现行资格考试命题方面的两个缺陷:1.命题范围过于注重理论结构上的完整性,没有重点。2.命题形式与专业知识的实际应用脱节。根据研究结果向委托部门建义:1.职称资格考试分为中专和大专两个水平。2.在同一资格考试中分别为各行业系统专门命题。3.命题的内容及形式要联系各系统业务活动实际。4.吸收心理测量学家参与命题工作。5.各级职称的评定周期:经济员为1-2年;助理经济师为2-5年;经济师为3-6年。
银行保险业经济系列专业职称资格的职务分析
,
心理科学进展 , 1994,
Abstract: ?受国家人事部委托,为确定经济系列初中级专业职称资格考试的内容和形式,对银行及保险业124种职务的563个样本进行了职务分析.用描述性统计和逐步回归分析确定资格考试的专业知识范围及水平,用累积百分比确定各级专业职称的基本评定资格及评定周期。研究指出现行资格考试命题方面的两个缺陷:1.命题范围过于注重理论结构上的完整性,没有重点。2.命题形式与专业知识的实际应用脱节。根据研究结果向委托部门建义:1.职称资格考试分为中专和大专两个水平。2.在同一资格考试中分别为各行业系统专门命题。3.命题的内容及形式要联系各系统业务活动实际。4.吸收心理测量学家参与命题工作。5.各级职称的评定周期:经济员为1-2年;助理经济师为2-5年;经济师为3-6年。
氮掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究
,巩金龙,徐灿,陈光华.
半导体学报 , 1996,
Abstract: 在氮气气氛中用石墨电弧法合成了氮掺杂富勒烯.质谱、紫外、红外分析等手段证实了样品中含有C59N、C59N2、C59N4、C59N6以及C70N2等分子团簇,对蒸发制备的薄膜进行3小时200℃退火测得其室温电导率为1e-6(S/cm),激活能为0.69eV(常温),0.56eV(高温).
氢掺杂C_(60)薄膜的电导性质研究
,徐灿,王永谦,陈光华
半导体学报 , 1999,
Abstract: 本文报道了用微波等离子法制备氢掺杂C60薄膜.直流电导测量表明,室温下掺杂的电导率要比未掺杂膜的大5个量级.经573K温度退火后,掺杂膜的电导接近,但仍要高于本征膜的电导率,说明仍有少量的氢留在薄膜中.
a-sic:h薄膜的中子辐照研究
刘贵昂,,王天民
强激光与粒子束 , 2003,
Abstract: ?用射频(13.56mhz)反应溅射法制备了a-sic:h薄膜,并将制得的薄膜采用高能中子(14mev)进行辐照。采用电阻率、raman谱及红外光谱对薄膜的结构与特性变化规律进行了表征。分析结果表明:所得a-sic:h薄膜中存在多余的非晶态碳。随着中子辐照剂量的增加,a-sic:h薄膜中sp-2c=c键增加,即其中的碳存在类石墨化的趋势。中子辐照后薄膜的电阻率的略微减小现象,可用缺陷对载流子的捕获模型进行解释。
含氮类金刚石薄膜的紫外辐照研究
刘贵昂,,王天民
强激光与粒子束 , 2004,
Abstract: ?用射频等离子体方法在玻璃基底上制备的类金刚石(dlc)薄膜,采用离子注入法掺氮,并对掺氮dlc薄膜紫外(uv)辐照前后的性能变化进行了研究。研究结果表明:随氮离子注入剂量及uv辐照时间的增加,位于2930cm-1附近的sp3c-h吸收峰明显变小,而位于1580cm-1附近的sp2c-h吸收峰则明显增强,薄膜的电阻率明显呈下降趋势;随uv辐照时间的增加,位于1078cm-1附近的si-o-si键数量及位于786cm-1附近的si-c键数量明显增加。即氮离子注入和uv辐照明显改变了dlc薄膜的结构与特性。
衬底对原位氧化制备的zno薄膜结构和光学性质的影响
张军,,毅柱,付玉军,邵乐喜
强激光与粒子束 , 2008,
Abstract: ?采用射频反应溅射法在不同衬底上制备zn3n2薄膜,然后对其原位氧化制备zno薄膜。利用x射线衍射分析(xrd)、扫描电子显微镜(sem)和光致发光谱(pl)等表征技术研究了不同衬底对zno薄膜的结晶特性和发光性能的影响。xrd研究结果显示:zn3n2薄膜在500℃原位氧化3h后完全转变为zno薄膜,在玻璃和熔融石英衬底上制备的多晶zno薄膜无择优取向,而单晶硅(100)衬底上的多晶zno薄膜具有较好的沿(002)方向的择优取向。pl测试结果显示:硅和熔融石英衬底上的多晶zno薄膜发光性能良好,激子复合产生的紫外发光峰很强,且半高宽较窄,而来自于深能级发射的绿色发光峰很弱;而玻璃衬底上的多晶zno薄膜发光性能较差。
The blue photoluminescence from rare earths-doped porous silicon
稀土掺杂多孔硅的蓝光发射

彭爱华,,贾昌文,蒋 然,林洪峰,贺德衍
物理学报 , 2004,
Abstract: 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土 (Pr,Dy ,Sc)离子的化学掺杂 .用扫描电镜研究了多孔硅薄膜的表面形貌 ,用卢瑟福背散射谱研究了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况 .利用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性 ,发现稀土掺杂增强了多孔硅的蓝光发射 ,尤其是Dy的掺杂可产生较强的蓝光发射 ,其强度可与多孔硅的红光强度相比较 ,适当的Pr和Sc的掺杂也可一定程度地增强多孔硅的蓝光发射 .稀土掺杂多孔硅后产生蓝光发射的可能机理为 :稀土掺杂引入新的表面态 ,形成硅、氧、稀土间新的键合方式O—Si—O—Re—O ,从而在多孔硅表面形成新的发光中心 ;稀土离子丰富的能态在多孔硅发光过程中起到了能量传递作用 ,从而增强了多孔硅的蓝光发射 .
溅射制备纳米晶GaN∶Er薄膜的室温发光特性
潘孝军,张振兴,王 涛,李 晖,
物理学报 , 2008,
Abstract: 利用直流磁控共溅射方法制备了GaN:Er薄膜.X射线衍射结果显示薄膜为纳米多晶结构,根据谢乐公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为58nm;透射电子显微镜结果显示为非晶基质中镶嵌了GaN纳米颗粒,尺寸在6—8nm之间;紫外可见谱结果表明在500—700nm的可见光范围内,薄膜的平均透过率大于80%,在紫外可见谱基础上,利用Tauc公式计算得到了纳米晶GaN薄膜的光学带隙为322eV;最后,测量了GaN:Er薄膜的室温光致发光谱,获得了Er3+离子在554nm处的强烈绿光发射.
硼掺杂及未掺杂金刚石薄膜的电学和光电导特性
张仿清,张文军,胡博,,陈光华
半导体学报 , 1995,
Abstract: 用热丝辅助化学气相沉积法合成了未掺杂及B掺杂金刚石薄膜,测量了退火前后的电流一电压和光电导特性.实验结果表明,H原子对未掺杂金刚石膜的电学和光电导特性有很大影响.对于掺杂样品,随着B含量的增高,B的作用更加明显,而H的作用降低.合成的金刚石膜中存在着各种缺陷态,其中包含陷阶型缺陷态,它影响着光电导饱和值的大小和弛豫时间的长短.经600℃退火后,样品的结构、缺陷态的种类、数量都发生变化,并改变了金刚石膜的电学及光电导特性.
第1页/共64182条
每页显示


Home
Copyright © 2008-2017 Open Access Library. All rights reserved.