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ISSN: 2333-9721

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自旋畴壁动力学的若干研究进展
苗君,任增耀,姜勇
- , 2018, DOI: 10.11951/j.issn.1005-0299.20170028
Abstract: 磁畴壁运动是实现信息高速存储的新途径,而畴壁调控领域的研究目前尚不全面.探索磁场、电流及其他物理场对磁畴壁的作用,在理论与实际应用方面均具有重要意义.本文简述了近年来磁畴壁的自旋结构、磁畴壁电阻及磁畴壁动力学的若干研究进展,阐述了磁畴壁研究的主要方向、方法以及重要性, 分析了形状结构对畴壁类型的影响和各种外场对畴壁运动的调控,提出了通过对磁畴壁的精确操控,可实现信息存储.展望了利用外场调控磁畴壁,为信息读写或逻辑控制提供新途径,在未来信息存储领域具有潜在的应用价值.
The magnetic domain wall is a new way for informational access. However, there exist some instabilities for the control of domain wall. Therefore, research of the effects of magnetic field, current and other physical field on the magnetic domain wall is important for both theory and application in the field of spintronics. This paper has briefly reviewed the research progress in the spin structure of domain wall, domain wall resistance and domain-wall dynamics in recent years. The main directions, approaches and the importance of the magnetic domain wall have been expounded. By analyzing the influence of the shape structure on the domain wall type and the control of various fields on the domain wall motion the precise manipulation of magnetic domain wall is proposed to storage information. Those results indicate that controlling the domain wall by fields can provide a new route for reading/writing information and logical operation, which makes it great potentials in the application of future informational storage device.
基于铁磁金属纳米点接触结构的全金属逻辑电路
杨海方,徐鹏,唐令,李俊杰,夏钶,顾长志
物理 , 2008,
Abstract: ?电流在铁磁金属中可以用来驱动磁畴壁,从而可以进行信息的读写.然而,具体如何在器件中实现并不清楚.文章作者利用纳米加工技术制作出铁磁金属纳米点接触结构和逻辑电路,并对纳米结构中畴壁的输运性质和逻辑电路特性进行了研究.发现了铁磁纳米点接触结构在电流驱动下存在的高阻态及低阻态,通过设计不同形状的点接触结构,用电学测量方法验证了畴壁在自旋极化电流作用下的移动方向与电流方向的关系.并基于电流控制点接触电阻变化的结果,制作出能够实现逻辑“非”功能的全金属逻辑电路,实现了电路的电信号驱动和利用电信号的检测功能.
畴壁共振和磁畴FMR之间的耦合效应
毕耜云
科学通报 , 1989,
Abstract: 观察在磁膜中的磁畴磁共振(DR)和畴壁共振(DWR)是研究磁畴动态特性的主要方法之一,尤其是对磁泡材料的研究更是如此,因为一些与磁泡记忆元件特性有关的重要参数,如畴壁的结构和阻尼,可从这样的一些测量中得到。在以往的实验中,DWR和DR这两种共振是分别研究的,直到最近人们才开始注意到它们之间的相互干扰和耦合,但是在这方面的详细实验研究报道并不多。本文用制备磁泡记忆元件的柘榴石型单晶薄膜研究了当高频激励磁场居与条畴分别平行和垂直时,DWR和DR两种模式间的相互作用。
Co的磁声发射研究
刘静,杜凤牡,徐约黄
金属学报 , 1993,
Abstract: 流行的磁声发射源模型只承认来源于90°磁畴壁的运动.本文对公认只含180°磁畴壁的Co进行了磁声发射及Barkhausen噪音的测量,对二者的信号作了幅度分布分析.测量了Co的磁化曲线与磁滞回线.观察了磁畴结构.只含180°磁畴壁的Co在磁化至“拐膝”之前已有明显的声发射信号,信号的幅度分布与硅钢的相似从而进一步说明了180°磁畴壁运动对磁声发射确有贡献,对该结果提出了模型。
Nd_2Fe_(14)B磁畴结构参量的计算
高汝伟
科学通报 , 1988,
Abstract: 一、引言具有高矫顽力及最大磁能积的Nd-Fe-B永磁合金以其优异的磁性能吸引人们就其结构、磁性开展广泛研究。现已确认,有高饱和磁化强度和强单轴各向异性的硬磁性主相Nd_2Fe_(14)B对所有Nd-Fe-B永磁体(包括不同成分配方、不同工艺过程制备的Nd-Fe-B材料)的磁性起决定性作用。因此研究并确定Nd_2Fe_(14)B的磁畴结构参量便成为研究Nd-Fe-B
SHORT WAVELENGTH SPIN WAVE MODE EXCITATION BOUND TO THE DOMAIN WALLS IN MAGNETIC THIN FILM
磁性薄膜畴壁短波长自旋波模式激发

CHEN SHAN-BAO,ZHANG ZHI-QIANG,
陈善宝
,张志强

物理学报 , 1996,
Abstract: A structure for short wavelength spin wave mode excitation is developed, which is used to investigate a spin wave (Winter mode) bound to the domain wall in a magnetic bubble film with an rf magnetic field produced by a microstrip carrying rf current, a thin permalloy grating on the top of the magnetic specimen generates secondary magnetic fields which match the time frequency and spatial wavelength of the spin wave, and an efficient coupling between them is realized By means of phase lock-in techniques a differential absorption peak corresponding to the Winter mode has been observed at 318 MHz.
La1-xSrxFeO3-δ(0≤x≤2/3)的低频内耗研究
吴修胜,杨春利,陈志军,陈初升,刘卫
物理学报 , 2009,
Abstract: 对A位掺杂的La1-xSrxFeO3-δ氧化物体系进行了低频内耗测量.研究发现此体系的内耗和模量-温度谱随Sr掺杂量(x)的不同而变化.当Sr含量x=0时,LaFeO3-δ体系的内耗和模量在测量温度范围内(-150—380℃)没有明显变化;而当x=0.2,0.25,1/3以及0.5时,掺杂样品均观察到一个与正交—三角相变对应的相变型内耗峰P1,且其峰温随x增加向低温移动.在x=0.25,1/3,0.5,0.6以及2/3的样品中还观察到一个弛豫型特征的内耗峰P2,此峰伴随着模量的变化,可归于畴壁的运动.进一步分析表明畴壁是受氧空位钉轧的.在x=0.5,0.6以及2/3样品的模量-温度谱上呈现出的模量急剧变化是与三角—立方铁弹性相变有关的.
低温下铁磁体畴壁运动的量子效应
苏刚
科学通报 , 1990,
Abstract: 最近,人们在研究铁磁体低温磁性时发现,有一类磁性合金(如 smco_(3.5)Cu_(1.5)Sm(CoCuFeTi)_(6.8)、Tb(Fe_(0.7)Al_(0.3))_2、Dy(Fe_(0.9)Ga_(0.1))_2等)的矫顽力Hc随温度T变化曲线在高温段呈对数关系,而在低温段其Hc随温度变化出现极大值,并且在磁滞迥线上出现阶梯现象
低温下铁磁体畴壁运动的量子效应
苏刚
科学通报 , 1990,
Abstract: 最近,人们在研究铁磁体低温磁性时发现,有一类磁性合金(如smco_(3.5)Cu_(1.5)Sm(CoCuFeTi)_(6.8)、Tb(Fe_(0.7)Al_(0.3))_2、Dy(Fe_(0.9)Ga_(0.1))_2等)的矫顽力Hc随温度T变化曲线在高温段呈对数关系,而在低温段其Hc随温度变化出现极大值,并且在磁滞迥线上出现阶梯现象
The domain and domain wall structure of PT/PZT/PT ferroelectric thin film
PT/PZT/PT铁电薄膜的铁电畴和畴壁

Wang Long-Hai,Yu Jun,Liu Feng,Zheng Chao-Dan,Li Ji,Wang Yun-Bo,Gao Jun-Xiong,Wang Zhi-Hong,Zeng Hui-Zhong,Zhao Su-Ling,
王龙海
,于 军,刘 锋,郑朝丹,李 佳,王耘波,高峻雄,王志红,曾慧中,赵素玲

物理学报 , 2006,
Abstract: 用sol-gel法制备出了具有良好铁电性、纯钙钛矿结构的PbTiO3/Pb(Zr0.3Ti0.7)O3/PbTiO3(PT/PZT/PT)新型夹心结构铁电薄膜.用扫描力显微镜(SFM)的压电响应模式获得了薄膜铁电畴的垂直于膜平面方向(OPP)、膜平面内(IPP)及OPP的相位和幅度图像,结合理论分析指出薄膜的电畴主要由c畴和偏离垂直于膜平面方向上的c畴构成,薄膜取向的复杂性导致了复杂的畴结构.对于[111]取向的薄膜,当偏离垂直于膜平面方向上的c畴在垂直膜平面方向和面内方向都相反时构成180°的畴壁,在垂直膜平面方向上相同、面内方向相反或由垂直膜平面方向上相反、面内方向相同时构成90°畴壁.
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