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布拉格衍射效应在半导体光电子器件中的应用与发展

物理 , 2004,
Abstract: ?文章对布拉格衍射效应在半导体光电子材料和光电子器件,特别是在光纤通信中的光电子器件的应用和发展进行了详细的介绍.文中以布拉格光栅衍射效应的光反馈和选模功能为主线,逐一介绍了x射线双晶布拉格衍射技术在半导体材料、特别是在量子阱和应变量子阱超薄层晶体生长和质量控制方面的作用,介绍了内建布拉格光栅对光通信用光信号源的发展所起的重要作用,波导光栅在复用和解复用过程中的作用,以及光纤布拉格光栅在全光纤通信系统中的应用及发展等.
生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响
陈博,
半导体学报 , 1999,
Abstract: 研究不同生长温度下的InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长,用光致发光和X射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性,得到了室温脉冲激射1.3μmAlGaInAs有源区SCH-MQW结构材料,为器件制作研究打下了基础.
InGaAsP/InP掩埋条型激光器的漏电流分析
何振华,
半导体学报 , 1994,
Abstract: 本文针对P-N-P-N埋区结构中的漏电流,用广义P-N-P-N三端器件的理论模型,细致地分析和模拟计算了P-N-P-N掩埋型BH激光器的漏电流特性,并据此给出了优化设计器件的数据曲线.通过具体的激光器工艺,我们做出的FBH激光器的漏电流大大减小,激光器的线性输出光功率可高达20mW,室温寿命超过10万小时.
应变补偿InGaAsP/InP量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成
志杰,,启明
半导体学报 , 1998,
Abstract: 本文在国内首先报道采用MOVPE技术研制成功了InGaAsP/InP应变补偿型量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成器件,实现了30mW单纵模工作.采用调制光放大器、静态偏置DFB激光器的方法,产生了低啁啾、高功率的单纵模高频光脉冲.集成器件的研制成功,为其它含介质光栅反射器的光子集成器件的研制开辟了一条广阔的道路.
用于1.55μm InGaAsP/InP DFB激光器的λ/4相移衍射光栅
缪育博,张静媛,
半导体学报 , 1991,
Abstract: 采用全息二次曝光的方法,研制出用于 1.55μm InGaAsP/InP DFB激光器的,具有 λ/4相移的二级光栅,并通过扫描电镜(SEM)证明了相移的存在.本文分析了制备该种光栅的工艺原理,并提出了改善此种光栅质量的新方法.
1.55μm掩埋条形InGaAsP/InP激光器
,张静媛,田慧良
半导体学报 , 1984,
Abstract: 用两次液相外延的方法制备了 1.55μm掩埋条型 InGaAsP/InP双异质结激光器.室温下的阈电流低达55mA.在接近3格阈值时,器件的光强-电流特性仍保持良好的线性度.直到1.6倍阈值时仍可得到稳定的单纵模、基横模工作.
Amplifier Modulation for Low-Chirp From a Monolithic Strained-Layer MQW InGaAsP/InP Distributed-Feedback-Laser/Tappered Amplifier
志杰,曾汉奇,姜子平,,启明
半导体学报 , 1997,
Abstract: Although electroabsorption modulators integrated with distributed feedback(DFB)' lasers can produce low—chirp high—speed modulated output,they have the disadvantages of requiring complicated selective growth and producing only modest output power.Integrated optical amplifie...
浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应
朱洪亮,韩德俊,胡雄伟,汪孝杰,
半导体学报 , 1999,
Abstract: 利用300keV的P+离子对InGaAs/InGaAsP应变层多量子阱(MQW)激光器外延结构实施浅注入,经H2/N2混合气氛下的快速退火,结构的光致发光(PL)峰值波长蓝移了76nm,所作宽接触激光器的激射波长蓝移了77.9nm.发现具有应变结构的InGaAs/InGaAsPMQW,在较低的诱导因素作用下即可产生较大的量子阱混合(intermixing)效应
MBE生长面发射激光器的原位厚度监测
周增圻,潘钟,林耀望,吴荣汉,
半导体学报 , 1996,
Abstract: 在MBE生长“DBR型结构性材料”的过程中,由于生长中的多层结构干涉效应,使高温黑体辐射谱呈现振荡现象,利用此现象辅以计算机数据拟合,可以实现MBE生长中层次、组分和厚度的实时监控,对MBE系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义.我们首次在国内采用这项技术,利用红外高温仪对VCSEL器件生长全过程(包括谐振腔)及多种组分DBR的表观衬底热辐射振荡进行监测,采用准黑体模型,结合扫描电镜、光反射谱等结果进行了分析,理论与实验得到了较好的吻合.
1.3微米低阈值大功率基横模BH InGaAsP/InP激光器
,张静媛,田慧良,汪孝杰
半导体学报 , 1986,
Abstract: 我们采用二次液相外延技术,成功地研制出1.3微米低阈值,大功率,基横模BH InGaAsPInP激光器,其室温连续工作阈电流低至 10mA,单面微分量子效率达到 31%,最大线性光功率输出为20mW~*/facet以上,在2.5倍阈值的工作电流下仍可稳定的基横模工作.
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