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P型长波Hg1—xCdxTe材料MBE生长技术研究
,张勤耀
红外与毫米波学报 , 1996,
Abstract: 用分子束外延的方法GaAs衬底上研制了P型长波HgCdTe材料,及32×32小规模长波混成红外焦平面列阵,其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好,在适当的热处理条件,材料P型电学参数达到了较高水平,并具有良好的可重复性。
Be基Ⅱ-Ⅵ族四元合金对蓝绿激光器发光层载流子的限制作用
,,沈学础
半导体学报 , 1998,
Abstract: ZnSe基激光器的退化缺陷(特别是层错缺陷)严重地影响了长寿命器件的获得.人们开始将注意力投向离子性较低的Be基化合物,希望Be的加入能有效地改善器件的性能.由于对Be基化合物的了解十分有限,本文从基本的原子参数出发,用原子轨道线性组合(LCAO)方法计算了Be-Ⅵ化合物及其他Ⅱ-Ⅵ族化合物价带的ofset.结合带隙的实验值,给出了Ⅱ-Ⅵ族化合物导带的ofset.粗略分析了Be基二元化合物用于ZnSe载流子限制的可能性.根据虚晶近似,用插值方法计算了Be基四元合金相对于ZnSe价带、导带的ofset.
Be基Ⅱ-Ⅵ族宽带四元合金的晶格参数与带隙参数
,,沈学础
半导体学报 , 1998,
Abstract: 分析了三元合金bowing参数的计算公式,指出Z值应当为替换原子的价电子数;通过与实验值的比较,将三元合金分为共阳离子型和共阴离子型两类;对共阳离子体系忽略库仑屏蔽作用,库仑屏蔽参数Scr取零,对共阴离子体系具有较强的屏蔽作用,Scr取0.30.用二元化合物的晶格常数、带隙参数插值计算获得了三元合金的晶格常数、带隙参数.用三元合金的晶格常数、带隙参数插值获得了四元合金的晶格常数、带隙参数,直观地给出了带隙、晶格常数与组分的关系.本文同时修正了A1-x-yBxCyD型四元合金带隙的计算公式.
《学报》50年发表论文及被引用情况的统计与分析
,袁美英,
华东师范大学学报(自然科学版) , 2005,
Abstract: 回顾和总结了《华东师范大学学报(自然科学版)》自1955年创刊以来发表论文情况,自1998年以来被CNKI引用,和自20世纪80年代以来被SCI引用的情况.给出了论文发表和被引用数据按年份和按学科的分类统计,以及按被引用频次排列的统计,从中分析出一些有益的经验.这些统计和分析,将有助于指导《学报》今后的实践和发展.
α-Fe纳米线阵列膜磁各向异性的穆斯堡尔谱研究
成伟,彭勇,,张浩,虎林
物理学报 , 1999,
Abstract: 在具有纳米级孔洞的多孔氧化铝模板上,用电沉积方法成功地制备出α-Fe纳米线有序阵列组装膜.分别用透射电子显微镜(TEM)、穆斯堡尔谱仪(MS)和振动样品磁强计(VMS)对样品进行了测试分析.TEM和电子衍射的结果显示,阵列中的纳米线均匀有序,彼此独立,由一串α-Fe单晶磁性颗粒构成.VSM测试结果表明,这种纳米阵列结构具有高度垂直磁各向异性.当外磁场垂直磁化时,磁滞回线具有很高矩形比(0.98)和矫顽力(1.76×105A/m).尤其MS的测试结果显示,阵列中的每根纳米线的总磁矩都沿
离子注入对分子束外延Hg_(0.68)Cd_(0.32)Te远红外振动模的影响
姬荣斌,李标,方维政,,杨建荣,
半导体学报 , 1999,
Abstract: 我们对用分子束外延(MBE)技术生长出的Hg0.68Cd0.32Te薄膜进行了N离子注入并退火,分别得到了其室温喇曼散射谱及在不同温度下的远红外透射谱.喇曼散射谱可以观察到类HgTe的LO模的散射和TO模的散射,原生样品及离子注入样品在93cm-1附近有较弱的散射峰,经离子注入后该峰消失;远红外透射谱中分别可以观察到78cm-1(X)、86cm-1(I1)、93cm-1(LA)、104cm-1(Pd)以及121cm-1(TO2)、143cm-1(TO1)、156cm-1(LO1)等吸收峰,讨论了离子注入及
p+-ZnSe:N单晶薄膜的MBE生长与特性研究
,谢绳武,庞乾骏,姬荣斌,巫艳,
红外与毫米波学报 , 2000,
Abstract: 研制了石英质射频激励等离子体活性氮源,将此氮源安装到国产FW-Ⅲ型分子束外延设备上,成功地生长了p型ZnSe∶N优质单晶薄膜.SIMS测量表明,薄膜中氮浓度高达~1.5×1020cm-3;PL测量表明,氮在ZnSe中形成了受主能级;C-V测量表明,净空穴浓度Na]-Nd]≈5×1017cm-3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求(~4.0×1017cm-3).C-V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证.
p~ -ZnSe:N单晶薄膜的MBE生长与特性研究
,谢绳武,庞乾骏,姬荣斌,巫艳,
红外与毫米波学报 , 2000,
Abstract: 研制了石英质射频激励等离子体活性氮源 ,将此氮源安装到国产 FW- 型分子束外延设备上 ,成功地生长了 p型 Zn Se:N优质单晶薄膜 .SIMS测量表明 ,薄膜中氮浓度高达~ 1.5× 10 2 0 cm- 3;PL 测量表明 ,氮在 Zn Se中形成了受主能级 ;C- V测量表明 ,净空穴浓度 Na]- Nd]≈ 5× 10 1 7cm- 3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求 (~ 4.0× 10 1 7cm- 3) .C- V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证 .
APPLICATION OF INFRARED TRANSMISSION SPECTRA IN ASSESSMENT OF HgCdTe EPILAYERS
红外透射光谱在HgCdTe外延薄膜性能评价中的应用

Yang Jianrong,Wang Shanli,Guo Shiping,He Li,
杨建荣
,

红外与毫米波学报 , 1996,
Abstract: 用最新发表的HgCdTe材料的光学常数对MBE工艺生长的HgCdTe/CdTe/GaAs材料的透射光谱进行了理论计算,对受生长工艺破坏的衬底背面再次进行抛光处理,消除因表面不平整引起的漫反射效应,使实验测量得到的光谱曲线与理论计算结果很好地吻合,由此得到的HgCdTe和CdTe外延层的厚度和解理面上用显微镜测量的数值相同。
用多孔氧化铝模板制备高度取向碳纳米管阵列膜的研究
成伟,李梦柯,,虎林
科学通报 , 2000,
Abstract: 用多孔氧化铝(AAO)模板(孔径约 250 nm,孔密度约 5.3×10~8cm~(-2),厚度约 60μm)进行化学气相沉积(CVD),成功地制备出大面积高度取向的碳纳米管有序阵列膜.用透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)观察了阵列膜的表面形貌和碳纳米管的结构.发现碳纳米管的长度和管径取决于AAO模板的厚度和孔径,碳纳米管的生长特性与模板的结构、催化剂颗粒、反应气体热解温度、流量比例以及沉积时间等因素有关.该方法工艺简便,可使碳纳米管的结构均匀一致,排列分立有序,形成一种有用的碳纳米管自组装有序阵列复合结构,且成本低,能实现大面积生长,非常利于碳纳米管基础与应用研究.
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