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Alq3有机发光二极管中的超小磁场效应
张勇,陈林,刘亚莉,
科学通报 , 2012, DOI: 10.1360/972011-1560
Abstract: 制备了基于Alq3的有机发光二极管,器件结构为ITO/NPB/Alq3/LiF/Al,并在不同温度测量了器件在不同偏压下传导电流与电致发光的磁场效应.在较大的磁场范围内,磁电导曲线基本服从B2/(|B|+B0)2规律.而在零场附近很小的磁场范围内,测量结果显示出奇特的超小磁场效应.考虑载流子自旋与有机分子中核自旋之间的超精细相互作用对载流子自旋的调控,可以对这种零场附近的超小磁场效应给出合理解释.
红荧烯掺杂有机薄膜中的单重态激子裂变过程
陈中海,李婧,,张勇
科学通报 , 2014, DOI: 10.1360/N972013-00043
Abstract: 在室温下测量了红荧烯掺杂有机薄膜光致发光的磁场效应.磁场效应的线型可以归结为外加磁场对掺杂的红荧烯分子间发生单重态激子裂变过程的调控作用.实验发现,光致发光磁场效应的幅度与红荧烯分子间的平均间距之间展现出非线性的对应关系.这种现象说明,当改变掺杂分子间的间距时,掺杂分子间的耦合强度变化可以对激子裂变过程的强度产生重要的影响.在理论上,磁效应幅度与分子间距之间的非线性关系可以采用朗道-齐纳的非绝热跃迁理论进行解释.而实验上,研究分子间耦合强度改变时激子裂变过程的变化,是研究激子裂变过程微观动力学的一种重要方法.本研究工作表明,对于利用单重态激子裂变敏化的有机光伏器件,分子间的耦合强度是一个需要考虑的重要因素.
有机半导体器件中的磁场效应研究进展
雷衍连,宋群梁,
科学通报 , 2010, DOI: 10.1360/972009-2108
Abstract: 有机半导体器件中的磁场效应,是指在不包含任何磁性功能层的有机半导体器件中,其电流或发光在外加磁场作用下发生改变的现象.由于有机半导体器件中的磁场效应具有高的灵敏度,且其绝对值即使在室温下也较大,因此有机半导体中的磁场效应具有重要的科学意义和实用价值,从而引起了科研人员的广泛兴趣,并取得了较大的研究进展.本文较详细地介绍了该领域的研究历史、现状和已经取得的主要研究结果,重点综述了产生该奇特磁场效应可能的物理机制,并对其未来的发展方向进行了展望.
双光子技术及其在生物医药分析中的应用
许佳丽,,黄承志
科学通报 , 2011, DOI: 10.1360/972010-1263
Abstract: 作为近20年来迅速发展的一门新技术,双光子技术已被广泛应用于三维数据存储材料、医药、军事、生物以及生命科学等领域,并随学科交叉与融合,在揭示生命活动基本规律和起源的研究中发挥越来越重要的作用,为生物医学提供了更多、更为有效的手段.本文从常用的双光子材料以及双光子激光扫描荧光显微镜成像原理等方面,结合双光子技术在生物医学研究中的应用,探讨了这一新兴技术在生物医药分析领域的前景.
Alq3有机发光二极管中的正负磁电导转变
张勇,张巧明,刘亚莉,
科学通报 , 2011, DOI: 10.1360/972011-72
Abstract: 制备了基于Alq3的有机发光二极管,器件结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3/LiF/Al,并在不同温度下测量了器件在恒压偏置下传导电流的磁电导效应.当Alq3发光层的厚度为15nm时,在器件的传导电流从双极电流过渡到单极电流的过程中,器件的磁电导发生了明显的正负转变;而当Alq3发光层的厚度为65nm时,在传导电流从双极电流到单极电流的过渡过程中,器件的磁电导呈现随电流减小先上升后下降的变化趋势,但磁电导的值在任何测量条件下始终为正,并未出现正负转变的现象.双极电流的磁电导效应可用电子-空穴对模型和激子-电荷反应模型来进行解释,而单极电流的磁电导效应虽然可归因于器件中的极化子-双极化子转变,但仍需要进一步的研究.
Absorption of Porous Silicon Microcavitiesvia Photocurrent Measurement
用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性

XIONG Wei-hua,XIONG Zu-hong,LU Fang,
卫华
,,陆昉

半导体学报 , 2001,
Abstract: 利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究 ,在光电流谱中观察到 λ1 =742 nm主峰 .同时也对多孔硅微腔的 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱进行了测量 ,结合有效折射率方法和菲涅耳公式 ,对照 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱 ,对常温下多孔硅微腔的光电流谱进行解释 .
硅基SiN_xO_y∶C~+薄膜的光致发光
廖良生,刘小兵,,何钧,侯晓远
半导体学报 , 1998,
Abstract: 采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约120nm的SiNxOy薄膜,并在薄膜中注入C+,注入能量为35keV,剂量为5×1016cm-2.注C+样品在441.6nm的蓝光激发下,可以产生峰值约为550nm的光致发光.样品经600℃退火后,发光强度达到最大.
电化学制备薄黑硅抗反射膜
刘光友,谭兴文,姚金才,王 振,
中国物理 B , 2008,
Abstract: 采用计算机控制电流密度按指数规律衰减对单晶硅进行电化学腐蚀,得到了折射率随薄膜厚度连续均匀变化的抗反射膜,即黑硅样品. 这种在制取上快速、经济和工艺非常简单的样品,不仅在较宽波段范围内反射率小于5%,且整个薄膜厚度不足1μm. 利用传输矩阵方法对黑硅样品的反射谱进行模拟,得到了理论与实验符合较好的结果.
LiF分子的极化对有机发光二极管磁效应的影响
白江文,张巧明,雷衍连,张勇,
科学通报 , 2013, DOI: 10.1360/972012-1653
Abstract: 在常规的有机发光二极管的发光层中掺入lithiumfluoride(LiF),可以有效调控器件在不同温度下的电流与电致发光的磁场效应.与未掺杂的参考器件相比,LiF掺杂器件的磁场效应的线型与幅度都发生了明显的改变.在室温下,当外加磁场强度达到几百毫特斯拉时,常规器件的磁场效应随磁场增加缓慢增大并趋于饱和,而掺杂器件的磁场效应随磁场增加几乎呈直线增加,且表现出了不饱和的高场效应.此外,随LiF掺杂浓度的增大,电流与发光的高场效应的幅度均表现出先增加后降低的变化趋势.掺杂器件与未掺杂器件磁场效应的差异,可以归结为LiF颗粒在器件内电场中发生介电极化的结果.发光层中的激子与LiF颗粒表面的极化电荷发生反应,导致了器件特殊的磁场效应.
三重态激子在不同荧光染料掺杂体系中的湮灭过程
阚敏,陈平,曹绍谦,刘文利,宋群梁,
科学通报 , 2010, DOI: 10.1360/972009-1402>
Abstract: 室温下,在红色荧光染料掺杂的有机发光器件ITO/N,N′-bis(naphthalen-1-y)-N,N′-bis(phenyl)benzidine(NPB)/tris(8-hydroxyquinolato)aluminum(Alq3)4-dicyanomethylene-2-methyl-6-p-dimethylaminostyryl-4H-pyran(DCM)/Alq3/LiF/Al中,观察到发光随外磁场的变化(即磁致发光)表现为刚开始的快速增加,在~50mT处达到最大后,随着磁场的进一步增加,又呈现出减弱的特点(即高场效应);而且,器件的掺杂浓度越高、所加偏压越大,该高场减弱就越明显.但在另一类绿色荧光染料5,12-dihydro-5,12-dimethylquino[2,3-b]acridine-7,14-dione(DMQA)的掺杂器件中,磁致发光的高场部分则是在~50mT后增加变缓并逐渐趋于饱和.分析结果表明,F?rster能量转移过程占主导发射的DMQA掺杂器件,不利于染料分子上三重态激子的形成,从而,通过三重态激子对(tripletpairs)湮灭产生单重态激子(triplet-tripletannihilation,TTA)的过程不易发生;但在载流子陷阱效应参与发射的DCM掺杂器件中,室温下在染料分子上就可以形成寿命较长的三重态激子,增加了发生TTA过程的几率.因此,基于掺杂器件中两种不同的发射机制,外加磁场对有机发光中三重态激子对(T???T)的演化表现出了不同的调控作用.
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