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GaAs(110)解理面的反射电子显微术观察
连山
科学通报 , 1994,
Abstract: 反射电子显微术是利用固体表面的反射电子直接观察表面的实验技术,在最近十几年来得到了较大的发展.将此技术应用到晶体表面微观结构的直接观察上,能以较高的分辨率揭示表面结构的细节,如单原子高度台阶、位错等,并可进行表面结构变化的动态观察,从而使反射电子显微术成为表面科学研究的有力工具.它的发展研究无疑会对表面科学产生重要的影响.本文报道了用JEM-200CX电子显微镜对GaAs(110)解理面观察结果.
利用自制的汞离子选择电极测定香烟中汞Ⅱ
李东辉,岳京立,,连山
分析化学 , 2003,
Abstract: 汞及其部分化合物属于剧毒物质,并可在人体内累积引发汞中毒.因此,对汞含量的测定方法研究一直是人们关注的一个重要课题,其含量的测定方法一般采用原子吸收法、动力学分光光度法、流动注射光度法、溶出伏安法、液膜汞离子选择电极法等.本文报道了以氯曲米通(N,N-二甲基-γ-(4-氯苯基)-2-吡啶丙胺顺丁稀二酸盐)与碘汞酸盐缔合物为电活性物,制备了PVC膜汞Ⅱ选择电极,并用该电极对香烟中汞含量进行了测定,结果令人满意.
氮化镓缓冲层生长过程分析
刘祥林,连山,陆大成,王晓晖,,林兰英
半导体学报 , 1999,
Abstract: 研究了用金属有机物化学气相外延(MOVPE)在蓝宝石上生长氮化镓(GaN)缓冲层的生长速率随生长温度(500~600℃)的变化关系.用原位激光反射厚度测量方法,发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响.提出了生长过程的微观模型,解释了MOVPE生长GaN缓冲层过程中观察到的现象.
氮化镓缓冲层的物理性质
刘祥林,连山,陆大成,王晓晖,,林兰英
半导体学报 , 1999,
Abstract: 用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在蓝宝石衬底上生长了不同厚度和不同退火过程的氮化镓(GaN)缓冲层,以及在缓冲层上继续生长了GaN外延层.研究了这些缓冲层的结晶学、表面形貌和光学性质以及这些性质对GaN外延层的影响.提出了一个模型以解释用MOVPE方法在蓝宝石衬底上生长GaN外延层时存在一个最佳缓冲层厚度这一实验结果
掺硅氮化镓材料的MOVPE生长及其性质研究
刘祥林,连山,陆大成,,王晓晖,林兰英
半导体学报 , 1999,
Abstract: 研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在蓝宝石衬底上生长掺硅氮化镓的生长方法.发现了在硅烷掺杂剂流量较高的情况下,氮化镓的电子浓度趋于饱和现象.研究了掺硅氮化镓的电学、光学、结晶学以及表面形貌等物理性质.
nacl-naf-re2o3体系的表面张力和密度
鲁化一,郭春泰,连山,唐定骧,
物理化学学报 , 1992,
Abstract:
用d-葡萄糖作钼蓝反应的有机还原剂进行微量磷的光度测定
连山
分析化学 , 1977,
Abstract: 在钼蓝反应中,对微量磷进行光度测定的有机还原剂对甲氨基苯酸.1,2,4-氨基蔡酚磺酸和抗坏血酸等.我们由试验查明,d-葡萄糖尽管还原性弱,但在一定条件下,也能进行微量磷的定量.还原时,合适的酸度范围为0.7-1.1当量硫酸,呈色稳定时间达110分钟,适宜的还原时间(沸水浴加热时间)为25-40分钟.
炼焦气脱硫废液中的硫氰酸钠和硫代硫酸钠的连续测定
连山
分析化学 , 1977,
Abstract: 从炼焦气脱硫废液中回收农药,医药和聚丙烯腈合成纤维需要的硫氰酸钠,在控制生产中要求的不仅是硫氰酸钠的绝对含量(克/升),而且更方便的是测知硫氰酸钠与硫代硫酸钠的比值[1],因此,其连续测定的实际应用较有意义。
N型GaN的持续光电导
连山,刘祥林,岳国珍,王晓晖,,陆大成,王占国
半导体学报 , 1999,
Abstract: 本文报道了金属有机物化学气相外延(MOVPE)生长的未人为掺杂和掺Sin-GaN的持续光电导(PersistentPhotoconductivity——PPC).在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为.实验结果表明,未人为掺杂和掺Sin-GaN的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷,这些缺陷可以是VGa空位、NGa反位或者VGa-SiGa络合物.和未人为掺杂样品A相比,样品B中因Si的并入导致GaN中的深能级缺陷增加,提高了GaN中黄光发射,使持续光电导衰变减慢,但实验未发现黄光的加强和光电导衰变特
溶胶-凝胶法制备高取向bi4ti3o12/srtio3(100)薄膜
顾豪爽,王世敏,吴新民,邝安祥,马世安,连山,赵建洪,李兴教
物理化学学报 , 1996,
Abstract:
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