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高温半导体材料

科学通报 , 1964,
Abstract: 近年来,随着星际航行和尖端技术的快速发展,对电子学技术以及半导体器件提出了新的要求。其中主要的可分为以下三方面:(1)设制超小型的器件及部件;(2)提供耐高温和耐辐照的器件;(3)满足高频及超
高温半导体材料

科学通报 , 1964,
Abstract: 近年来,随着星际航行和尖端技术的快速发展,对电子学技术以及半导体器件提出了新的要求。其中主要的可分为以下三方面(1)设制超小型的器件及部件;(2)提供耐高温和耐辐照的器件;(3)满足高频及超高频元件的需要。
四十年峥嵘岁月

物理 , 2003,
Abstract:
锑化铟的热处理
徐鸿达,
科学通报 , 1966,
Abstract: 热处理是研究半导体性能的一种方法,对于Si~1,2]、Ge~3,4]、PbS~5,6]已有比较广泛、深入的研究,但对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的热处理研究是始于1959年Dixon等对P型InAs的研究,1960年注意中心由InAs转到GaAs,并进行了仔细的研究,对这两种材料一般认为铜是引起热处理效应的根源。关于InSb热处理研究,较全面的报导要算Hulme和Mullin的评述性文章,共做了二类实验:一类是真空中,500℃处理数小时,整个样品变为P型,发现P型载流子的增减是和石英管的纯度有关,并推论热转换是由石英中释放出来的快扩散杂质X造成,其扩散系数(500℃时)D_x>10~(-6)cm~2/
锑化铟的热处理
徐鸿达,
科学通报 , 1966,
Abstract: 热处理是研究半导体性能的一种方法,对于Si[1,2]、Ge[3,4]、PbS[5,6]已有比较广泛、深入的研究,但对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的热处理研究是始于1959年Dixon等对P型InAs的研究,1960年注意中心由InAs转到GaAs,并进行了仔细的研究,对这两种材料一般认为铜是引起热处理效应的根源。关于InSb热处理研究,较全面的报导要算Hulme和Mullin的评述性文章,共做了二类实验
硅中“氢-缺陷络合物”施主行为的研究
王正元,
半导体学报 , 1982,
Abstract: 通过电学、光学和深能级瞬态谱(DLTS)的测量,研究了硅中“氢-缺陷络合物”施主的行为.测得了同氢有关的三个能级:E_c-0.026eV、E_c-0.037eV,E_c-0.265eV.证实该施主中心的产生,跟材料中硅氢键以及某种结构正在研究的特定缺陷的存在密切相关.还通过多方面实验证实,它同已知的“450℃退火形成的氧施主”完全不同.最后指出,利用在氢气中区熔生长的NTD硅来研究孤立氢原子在硅中的行为,比用其他方法更为有利.这为氢在硅中的电活性提供了新的证据.
氢气和氩气中区熔生长的中子嬗变掺杂硅退火行为的研究
王正元,
半导体学报 , 1982,
Abstract: 通过电阻率及霍尔系数的测量,定出了分别在氢气和氩气中区熔生长的中子嬗变掺杂硅单晶经不同温度退火后的电学参数.发现在350—600℃退火温度范围内,二者的退火行为明显不同.指出这是由于在氢气中区熔生长的NTD硅中形成了“氢-缺陷络合物”施主所致.测得其激活能为:450℃退火后是(26±1)meV;500℃退火后是双能级——(26±1)meV 和(37±1)meV.
在微重力下生长的GaAs:Si单晶结构缺陷的X射线研究
蒋四南,
半导体学报 , 1995,
Abstract: 本文对空间生长GaAS:Si单晶,沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究,X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区.双晶衍射表明,在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高.
肥胖女大学生减肥干预效果评价
杨晓,
中国公共卫生 , 2010, DOI: 10.11847/zgggws2010-26-02-13
Abstract: ?肥胖是指机体内热量的摄入大于消耗造成体内脂肪堆积过多导致体重超常的一种社会性慢性疾病。肥胖不仅影响外在形象、身心健康,而且可引起高血压、冠心病、糖尿病、脂肪肝、胆囊疾病等多种并发症〔1-2〕。相关研究表明,有氧运动具有改善机能和协调内分泌激素水平、防治各种心血管疾病、促进健康等作用〔3〕。因此,本研究通过对河南省新乡市肥胖女大学生有氧操锻进行减肥干预,分析其身体形态、血脂成分、相关激素及体质的变化。现将结果报告如下。
?烧结温度对导电木炭特性的影响
,胡娜娜,傅峰
燃烧科学与技术 , 2013,
Abstract: ?以催化炭化工艺经高温烧结制备导电木炭,分析和探讨了烧结温度对木炭导电性能、微晶结构和石墨化度的影响.烧结温度从1,200,℃升高到1,500,℃时,导电木炭的电阻率降至0.052,3,ω?cm,且导电木炭中石墨状微晶排列由无规则排列逐渐转化为有序排列.导电木炭的拉曼光谱分析结果表明,烧结温度的升高有利于增加导电木炭的石墨状微晶的含量,提高其结晶程度和石墨化度.导电木炭的x射线衍射分析结果表明,在烧结温度升高的过程中,导电木炭晶面的层间距逐渐减小,向石墨化结构转变,当烧结温度升至1,500,℃时,导电木炭已部分石墨化.
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