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利用Keating模型计算Si(1-x)Gex及非晶硅的拉曼频移
段宝兴,
物理学报 , 2009,
Abstract: 利用Keating模型计算了Si(1-x)Gex合金中Si—Si,Ge—Ge和Si—Ge三种振动模态的拉曼频移,计算分别获得Ge浓度为01,05和09时,Si—Ge的振动拉曼频移分别为40275,41339和38815 cm-1,这些结果与文献的实验结果符合,证明了Keating模型建立的关于原子振动模型是有效的,并可以利用拉伸压缩和相邻原子键之间弹性系数变化获得处于应变状态的拉曼光谱频率.利用Kea
基于RLCπ型等效模型的互连网络精确焦耳热功耗计算
朱樟明,钟波,
物理学报 , 2010,
Abstract: 基于互连网络的RLC π型等效模型,考虑电感的屏蔽作用和非理想的阶跃激励,提出了互连线网络在斜阶跃激励下的焦耳热功耗计算方法,极大地简化了互连网络中电流和功耗的表达式. 基于90 nm金属氧化物半导体(CMOS)工艺的互连参数对所提出的计算方法进行了计算和仿真验证,对于上升信号小于1 ns的情况,计算结果与Hspice仿真结果的误差小于3%,具有很高的精度,适合应用于大规模互连网络中的功耗估算和热分析.
6H-SiC金属-半导体-金属结构紫外光探测器的模拟与优化
陈斌,,李跃进,刘红霞
半导体学报 , 2010,
Abstract: 基于热电子发射理论,使用器件仿真软件ISE-TCAD建立了6H-SiC MSM紫外光探测器器件模型。对金属叉指宽度和间距均为3μm的器件进行了仿真,结果表明该结构探测器在10V偏压下暗电流已经达到15pA。器件的光电流比暗电流大2个数量级。通过仿真研究了不同结构对器件暗电流和光电流的影响并优化了器件结构。结果表明电极宽度为6μm电极,间距为3μm的器件达到最大光电流5.3nA。电极宽度为3μm,电极间距为6μm的器件具有最高的紫外可见比其比值为327。
基于0.18μm CMOS工艺的高阶单环∑△ADC以及降采样数字滤波器的设计
李迪,,石立春,吴笑峰
半导体学报 , 2009,
Abstract: 设计了一个过采样、高阶一位单环∑△模数转换器以及后级降采样数字滤波器。整个芯片采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,芯片面积1mm×2mm,功耗为56mW。 调制器采用1.8V全差分电路结构,在过采样率64,时钟频率81.92MHz,640kHz带宽内,实测精度达到了15.32位,动态范围94dB。降采样数字滤波器的通带波纹小于0.01dB,阻带衰减75dB,过渡带为640kHz-740kHz。
基于0.6μm BCD工艺的迟滞电流模LED驱动芯片设计*
刘帘曦,朱樟明,
半导体学报 , 2012,
Abstract: 基于0.6μm BCD工艺设计了一种高转换效率的迟滞电流模控制的白光LED驱动芯片。该驱动器可工作在6~40V电源电压下,其最大输出驱动电流可达1.0A,最大开关频率可达1MHz,输出电流误差小于?5%,转换效率大于80%。文章重点介绍了芯片内部影响输出电流精度的高侧电流检测电路以及高速比较器的设计,并给出了所设计的迟滞电流模白光LED驱动器的相关仿真和测试结果。
Al2O3绝缘栅SiCMIS结构基本特性的研究
刘莉,,马晓华
科学通报 , 2011, DOI: 10.1360/972010-2249
Abstract: 采用原子层淀积(ALD)方法在4H-SiC(0001)8°N-/N+外延层上制备了超薄(~4nm)Al2O3绝缘栅高介电常数SiCMIS电容.通过对Al2O3介质膜以及Al2O3/SiC界面微结构和电学特性分析表明,实验所得Al2O3介质膜具有较好的体特性和界面特性,Al2O3薄膜的击穿电场为25MV/cm,并且在可以接受的界面态密度(2×1013cm-2)下具有较小的栅泄漏电流(8MV/cm电场下漏电流密度为1×10-3A/cm-2).电流-电压测试分析表明,在FN隧穿条件下,SiC/Al2O3之间的势垒高度为1.4eV,已达到制作SiCMISFET器件的要求.同时,在整个栅压区域也受Frenkel-Poole和Schottky机制的共同影响.
虚拟通孔对互连温度变化的影响
王增,董刚,,李建伟
科学通报 , 2011,
Abstract: 互连温升越高,引起的互连温度效应越明显.通孔具有相对较高的热导率,可以成为有效的热传导途径,极大地降低互连平均温升.针对通孔这一特性引入虚拟通孔,建立考虑多虚拟通孔效应的互连平均温升模型.所提模型将多通孔效应整合到层间介质的有效热导率中得到更为精确的结果.此外根据不同的层间介质材料对多通孔效应进行分析讨论,并对多通孔效应进行扩展应用,得出使互连平均温升最小时的通孔间距与通孔数量.所提模型应用到集成电路设计中可以提高电路设计的精确度,优化电路性能.
一种适用于IEEE802.15.4(ZigBee)标准的2.4GHzCMOS射频收发机设计
李迪,,石佐辰,柳扬
电子学报 , 2015, DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2015.05.028
Abstract: 本文提出了一种适用于IEEE802.15.4标准的2.4GHz免认证ISM频段的全集成CMOS射频收发机.接收机采用低中频结构以降低功耗、提高灵敏度,发射机则采用直接上变频结构以降低设计复杂度和功耗.芯片采用0.18μm1P4MCMOS工艺以及MIM电容制造,供电电压1.8V.测试结果显示,在误包率为1%时,接收机灵敏度达到了-97dBm,发射机输出至100Ω差分天线端口的最大输出功率为+3dBm.接收模式和发射模式下的电流功耗分别为17mA和19mA,芯片面积3.3mm×2.8mm.
An Ensemble Monte Carlo Study of High Field Electron Transport in 6H-SiC
6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究

王平,周津慧,,屈汉章,,付俊兴
光子学报 , 2004,
Abstract: 采用非抛物性能带模型 ,对 6H SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗 (EnsembleMonteCarlo)研究 研究表明 :温度为 2 96K时 ,电子横向漂移速度在电场为 2 .0×1 0 4V/cm处偏离线性区 ,5.0×1 0 5V/cm处达到饱和 由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为 1 .95×1 0 7cm/s,纵向为6.0×1 0 6cm/s,各向异性较为显著 当电场小于 1 .0×1 0 6V/cm时 ,碰撞电离效应对高场电子漂移速度影响较小 另一方面 ,高场下电子平均能量的各向异性非常明显 电场大于 2 .0× 1 0 5V/cm时 ,极化光学声子散射对电子横向能量驰豫时间影响较大 当电场一定时 ,c轴方向的电子碰撞电离率随着温度的上升而增大 对非稳态高场输运特性的分析表明 :阶跃电场强度为 1 .0×1 0 6V/cm时 ,电子横向瞬态速度峰值接近 3.0×1 0 7cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级
掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
王平,,,屈汉章,崔占东,付俊兴
电子学报 , 2005,
Abstract: 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强.掺杂浓度较高时,随着温度的增加,中性杂质散射的影响逐步减弱.4H-SiC电子迁移率较高且各向异性较小,温度为296K时得到的横向电子饱和漂移速度为2.18×107cm/s;阶跃电场强度为1000KV/cm时,横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.模拟结果同已有的测试结果较为一致.
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