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论现代产权制度在国企改制中的作用
,坤伦?
天府新论 , 2005,
Abstract: 产权是所有制的核心和主要内容。建立归属清晰、权责明确、保护严格、流转顺畅的现代产权制度,对于中央政府的经济手段市场化、宏观调控明确化有着积极意义;对于正在进行的国有企业改制有着基础性的决定作用。
应用型院校实践教学对学生职业能力培养的影响研究——基于CCSS 2016调查数据的实证分析
艳秋,史静
- , 2018, DOI: 10.16382/j.cnki.1000-5560.2018.04.007
Abstract: 摘要 在产业升级、院校转型的背景下,应用型院校都认识到实践教学对学生职业能力培养的重要性。本研究利用"中国大学生学习与发展追踪研究"(CCSS)中应用型院校学生的调查数据对实践教学对学生职业能力培养的影响进行了实证分析。研究表明,实践教学与学生职业能力各维度之间显著相关,实践教学的不同环节对学生职业能力不同维度的影响呈现出多对多的网状结构,对通用技能影响最大的是实践性学习,对职业素养、职业认同、专业知识与技能影响最大的均为实习中人与物、人与人的互动,这说明让学生动手操作、直接与工具和操作工具的人接触是实习中最重要的学习形式。
Abstract:In the context of industrial upgrading and institutional transformation, applied colleges attach great importance to practice learning to develop students' vocational skills. Drawing on China College Student Survey (CCSS), this study conducted an empirical analysis of the effect of practice learning on vocational skills development. The findings reveal a significant correlation between practice learning and the dimensions of students' vocational skills. The effect of different links of practice learning on different dimensions of voca-tional skills presents a network structure. Besides, the regression analysis shows that practice learning plays a vital role in general skills and that students' interaction with materials influence their professional quality, ca-reer identity, professional knowledge and skills most.
An analytical model for the surface electrical field distribution of LDMOSFETs with shield rings
具有屏蔽环结构的LDMOS漂移区表面电场分布模型

Chen Lei,Du Huan,
陈蕾
,

半导体学报 , 2011,
Abstract: An analytical model of an LDMOSFET with a shield ring is established according to the 2D Poisson equation. Surface electrical field distribution along the drift region is obtained from this model and the influence of shield length and oxide thickness on the electrical field distribution is studied. The robustness of this model is verified using ISE TCAD simulation tools. The breakdown voltage of a specific device is also calculated and the result is in good agreement with experimental data.
16级灰度320×240像素硅基有机发光驱动电路研究
黄苒,王晓慧,王文博,,韩郑生
半导体学报 , 2009,
Abstract: 使用华润上华(CSMC)0.5微米标准CMOS工艺实现了320×240像素硅基有机发光(OLED-on-Silicon)驱动电路。驱动电路集成了4位D/A转换器,实现16级灰度。提出了一种能够实现OLED微显示要求的极小电流驱动的3管电压控制型像素驱动电路。D/A转换器与像素驱动电路均以PMOS晶体管组成。OLED像素驱动中的传输门与电容器能够用来对D/A转换器的输出进行取样。在OLED像素驱动电路中加入一个额外的PMOS管,可以控制D/A转换器只驱动开启的一行,以降低芯片功耗。驱动电路可以正确的工作在50Hz帧频状态下,并给出了最终的电路版图。单个像素面积28.4μm×28.4μm,整个显示区域面积为10.7mm×8.0mm(对角线尺寸为0.52英寸)。测量的像素灰度电压波形表明驱动电路功能正确,测量芯片功耗为350mW左右。
薄栅氧化层0.25μm RF PDSOI NMOSFETs电离总剂量辐照效应研究
刘梦新,韩郑生,毕津顺,范雪梅,刘刚,
半导体学报 , 2009,
Abstract: 本文研制了一种与0.1μm SOI CMOS工艺兼容的射频PD SOI NMOSFET,并分析了电离总剂量辐照对四种不同结构射频器件的静态特性和频率特性的影响,分别包括前/背栅阈值、泄漏电流、跨导,输出特性以及交流小信号电流增益和最大有效/稳定增益。实验表明,在室温环境下经过总剂量为1Mrad(Si)的g射线辐照,所有的射频PDSOI NMOSFET的静态和射频特性均表现出明显退化,其中以浮体NMOSFET变化最大。虽然损失了部分驱动电流、开关速度和高频特性,LBBC型体接触结构的射频器件仍表现出优于GBBC和BTS型体接触结构的射频器件的抗电离总剂量辐照的能力。
Investigation of the polysilicon p--i--n diode and diode string as a process compatible and portable ESD protection device
多晶PIN二极管及二极管串作良好工艺兼容并可移植ESD保护器件的研究

Jiang Yibo,Du Huan,Han Zhengsheng,
姜一波
,,韩郑生

半导体学报 , 2012,
Abstract: The polysilicon p-i-n diode displayed noticeable process-compatibility and portability in advance technologies as ESD protection device. The paper presented reverse breakdown, current leakage and capacitance characteristics for the fabricated polysilicon p-i-n diode. To evaluate ESD robustness forward and reverse TLP I-V characteristics were measured also. Besides polysilicon p-i-n diode string was investigated to further reduce capacitance and fulfill the requirements of tunable cut-in or reverse breakdown voltage. To explain the effects of device parameter, analysis and discussion about the inherent properties of polysilicon p-i-n diode were processed finally.
载货车驾驶室的静力模态刚度灵敏度
陈宇东,张俊兴,裴春艳,陈塑,雷钧,金秋
北京理工大学学报 , 2012,
Abstract: 驾驶室与车架在整车安装的环境下具有复杂耦合关系,针对这一复杂的优化问题,引进了静力模态刚度概念,定义了静力模态刚度灵敏度,推导了计算静力模态刚度灵敏度的方法.该方法已应用在整车安装环境下驾驶室的设计分析.在分析中,采用了整车有限元模型,将驾驶室分为15个超单元.结果表明所得的静力模态刚度灵敏度可以用来改进驾驶室设计.
DOI:10.7524/j.issn.0254-6108.2014.04.024
刘鸿雁,周俊,朱恒亮,冯新斌,布云,龙家
环境化学 , 2015,
Abstract:
物理学的未来在于年轻人——访高洁院士

现代物理知识 , 2008,
Abstract: 早就想采访高洁院士,但几次打他的办公室电话均无人接听。直到四川省科协第七次代表大会会场上,笔者才看到参会的高洁院士,趁选举投票的间隙,主动上前与他联系。高院士欣然同意接受采访,并留下手机号,约定我周一与他联系。当周一打通高院士的电话时,他在电话里的声音有点为难:“我这里正在忙着,你可否等两天再与我联系 ”等到了周三,我再次打电话过去,刚一开口,高院士就已听出我的声音:
大豆质-核互作不育系研究

科学通报 , 1993,
Abstract: 本世纪初以来,在大豆中陆续发现多种雄性不育材料,但绝大多数属核不育类型。唯一一例大豆细胞质不育系的报道,是Davis于1959年在其申报的一项杂交种专利中提到的。他声称通过栽培豆与栽培豆杂交获得了细胞质不育系。但专利公布至今已逾8年,未见进一步的研究报道。
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