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随机系数自回归模型变均值点在线监测与应用
拂晓,田铮,陈占寿
控制理论与应用 , 2012, DOI: 10.7641/j.issn.1000-8152.2012.4.CCTA110554
Abstract: 对随机系数自回归模型的变均值点进行在线监测时,如果变均值点的位置远离开始监测点,则平均地说,需要较长的运行时间方能检测到该变均值点.为此,笔者引进一个窗宽参数,提出了一种改进的在线监测方法.给出了监测统计量在原假设下的极限分布,并证明了此方法的一致性.模拟结果显示新方法明显优于已有的方法.最后将该方法应用于两组股票价格均值点的监测问题中,说明了方法的有效性.
Design and Fabrication of Excellent Ultra-Broad Digital Attenuator Chips
高性能超宽带单片数字衰减器设计与实现

Wang Huizhi,Li Fuxiao,
王会智
,拂晓

半导体学报 , 2006,
Abstract: 介绍了一种高性能50MHz~20GHz的超宽带5 bit GaAs数字衰减器的设计、制造和测试结果,并着重介绍实现超宽带的设计.该衰减器通过标准0.5μm离子注入工艺实现.最终的单片衰减器性能如下:插入损耗<5dB;最大衰减量>31dB;两端口所有态的电压驻波比<1.5;所有态衰减精度<±0.3dB;相位变化量(相对于基态)在-5°~20°之间;1dB压缩点输入功率22dBm(10GHz).
X波段MEMS膜开关的阻抗分析模型
郑惟彬,黄庆安,廖小平,拂晓
电子学报 , 2003,
Abstract: 射频微机械(RFMEMS)开关由于其优越的高频特性在微波和毫米波电路中表现出巨大的应用前景.但是目前对微机械开关的研究主要都集中在开关梁的结构设计和力学分析上,对开关的电磁特性的研究,尤其是开关高频阻抗匹配分析的研究与验证比较少.本文在高频传输线研究的基础上,推导出微机械开关的“开态”阻抗匹配模型,并利用HFSS软件对开关的高频特性进行模拟.其结果有助于设计高性能的RFMEMS开关.
NiFeCrBSi(G112WC)/3Cr2W8VA超塑协调变形固相扩散连接
张耀宗,延祥,拂晓,黄金亮
科学通报 , 1996,
Abstract:
前驱体对C/C复合材料的致密化和性能的影响
徐国忠,贺军,白瑞成,拂晓,黄敏
材料工程 , 2007,
Abstract: 研究了分别以甲烷和丙烯为前驱体对制备C/C复合材料的新型ICVI工艺致密化速率及组织结构和力学性能的影响。考察了密度与致密化时间之间的变化规律和密度分布,采用偏光显微镜和扫描电镜观察材料的组织结构和试样的断口形貌,利用三点弯曲实验测定材料的弯曲强度。实验结果表明在致密化时间100h前,以甲烷为前驱体,C/C复合材料的致密化速率比丙烯为前驱体时低,100h后致密化速率发生逆转;以甲烷为前驱体所得C/C复合材料的密度梯度小,组织结构为粗糙层,弯曲强度为250.87MPa,模量为29.29GPa;而以丙烯为前驱体所得C/C复合材料的密度梯度大,组织结构为光滑层,弯曲强度为102.75MPa,模量为11.42GPa。因此,相对而言甲烷作为制备C/C复合材料的前驱体优于丙烯。
12Gb/sGaAsPHEMT跨阻抗前置放大器
焦世龙,冯暐,陈堂胜,范超,拂晓,叶玉堂
电子学报 , 2006,
Abstract: 采用0.5μmGaAsPHEMT工艺研制了一种单电源偏置光接收机跨阻抗前置放大器.放大器-3dB带宽约为9.5GHz;在50MHz~7.5GHz范围内,跨阻增益为43.5±1.5dBΩ,输入输出回波损耗均小于-10dB;带内噪声系数在4dB~6.5dB之间,由此得到的最小等效输入噪声电流密度约为17.6pA/Hz;输入12Gb/sNRI伪随机序列时,放大器输出眼图清晰,眼开良好.
永磁同步电动机混沌系统的无源化控制
吴忠强,拂晓
中国电机工程学报 , 2006,
Abstract: 永磁同步电动机在一定的工作条件下呈现出混沌运动状态,可能导致系统失控,使系统彻底崩溃。所以控制混沌,使系统运行到各种正常的有序状态是实际问题的需要。由于混沌系统自身的特点,使得混沌控制不同于常规控制问题,因此必须研究与其相适应的控制方案。文中基于该混沌系统的特征提出控制混沌的新方法:使混沌系统大范围渐近稳定并进行干扰抑制。采用非线性系统无源化方法设计该混沌系统的反馈镇定器,利用L2性能准则进行干扰抑制。进行计算机仿真证明该方法的有效性。
Research on AlGaN/GaN HEMT
AlGaN/GaN HEMT器件的研制

张小玲,吕长治,谢雪松,志国,曹春海,拂晓,陈堂胜,陈效建
半导体学报 , 2003,
Abstract: The fabrication of AlGaN/GaN HEMT and its properties at room temperature is reported.Source drain Ohmic contacts and Schottky metal system is Ti/Al/Pt/Au and Pt/Au,respectively.A maximum transconductance of 120mS/mm and a saturated current density of 0 95A/mm are obtained.
GaAs-Based Enhanced-Mode Metamorphic High Electron Mobility Transistor by Using Buried Pt-Schottky Gate
Pt基埋栅势垒GaAs基增强型InAlAs/InGaAs改性高电子迁移率晶体管

Chen Xiaojian,Wu Xu,Li Fuxiao,Jiao Gang,
陈效建
,吴旭,拂晓,焦刚

半导体学报 , 2004,
Abstract: 讨论了采用埋栅结构实现Ga As基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)增强型模式工作的有关问题,提出了增强型MHEMT的设计与实现方法.通过不同金属(Al,Pt,Ti) / In Al As Schottky势垒系统的实验比较研究,确定在增强型MHEMT工艺中采用具有最高势垒高度的Pt Schottky埋栅结构;并进行了以最佳“推栅”温度为重点的器件工艺的深入研究.在此基础上通过实验研制的原理性1.0 μm×10 0 μm Pt栅增强型MHEMT的特性获得了夹断电压为+0 .12 V,跨导为4 70 m S/ m m及截止频率为5 0 GHz的测试结果,优于使用同一外延片制作的D-MHEMT
Online monitoring of mean change point in a random coefficient autoregressive model
随机系数自回归模型变均值点在线监测与应用

LI Fu-xiao,TIAN Zheng,CHEN Zhan-shou,
拂晓
,田铮,陈占寿

控制理论与应用 , 2012,
Abstract: In online monitoring the varying mean point of a random coefficient autoregressive model, if the varied mean point is far in position from the starting point of monitoring, it will take longer operation time in average to detect that varied mean point. To deal with this problem, we propose an improved procedure by introducing a window-width parameter. The asymptotic distribution of the monitoring statistic under null hypothesis is derived and its consistency is proved. Simulations show that our method is more powerful than the existing ones. This method has been applied to two groups of stock data for monitoring the variations of the mean points; results validate the effectiveness of the proposed procedure.
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