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Design of 1GHz 0.5μm CMOS Low Noise Amplifier
1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计

Yao Fei,Cheng Buwen,
姚飞
,

半导体学报 , 2004,
Abstract: 从低噪声放大器(L NA)的设计原理出发,提出并设计了一种工作于1GHz的实用L NA.电路采用共源-共栅的单端结构,用HSPICE软件对电路进行分析和优化.模拟过程中选用的器件采用TSMC0 .5 μm CMOS工艺实现.模拟结果表明所设计的L NA功耗小于15 m W,增益大于10 d B,噪声系数为1.87d B,IIP3大于10 d Bm,输入反射小于- 5 0 d B.可用于1GHz频段无线接收机的前端
弛豫SiGe衬底上SiGe/SiⅡ型量子阱
李代宗,黄昌俊,于卓,,余金中,王启明
半导体学报 , 2001,
Abstract: 采用 UHV / CVD系统 ,在 Si衬底上生长了具有渐变 Si1 - x Gex 缓冲层结构的弛豫 Si0 .76 Ge0 .2 4虚衬底和 5个周期的 Si0 .76 Ge0 .2 4/ Si多量子阱 .在渐变 Si1 - x Gex 缓冲层生长过程中引入原位退火 ,消除了残余应力 ,抑制了后续生长的 Si Ge中的位错成核 .透射电子显微照片显示 ,位错被有效地限制在组份渐变缓冲层内 ,而 Si Ge上层和 Si Ge/Si量子阱是无位错的 .在样品的 PL 谱中 ,观察到跃迁能量为 0 .96 1e V的 型量子阱的无声子参与 (NP)发光峰 .由于 型量子阱中电子和空穴不在空间同一位置 ,较高光功率激发下引起的高浓度载流子导致能带弯
gexsi1-x材料生长的改善
李代宗(),于卓(),雷震霖(,),(),余金中(),王启明()
材料研究学报 , 2000,
Abstract: ?利用超高真空化学气相淀积(uhv/cvd)系统在650℃生长出表面光亮的gesi单晶.在1200l/min分子泵与前级机械泵间串接450l/min分子泵,改善了生长环境.串接分子泵后生长的样品的x射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为198arcsec,且出现了pendellosung干涉条纹,说明外延层结晶质量很好.
Effect of Substrate Structure on the Performance of a Silicon On-Chip Spiral Inductor
衬底结构特征对硅基螺旋电感性能的影响

Xue Chunlai,Yao Fei,Cheng Buwen,Wang Qiming,
薛春来
,姚飞,,王启明

半导体学报 , 2006,
Abstract: The effect of substrate structure on the performance of a spiral inductor is investigated with the 3D electromagnetic simulator HFSS.With variations in the substrate structure including substrate conductivity,permittivity,and thickness of the dielectric layer, the performance of the inductors is analyzed in detail.The simulation results indicate that the performance of the spiral inductor can be improved by lowering the conductivity of the substrate,increasing the thickness of the dielectric layer,and using a low k dielectric layer.In the mean time,some "design rules" are summarized form the results of this study.
Optical matching layer structures in evanescent coupling photodiodes at a wavelength of 1.55μm: physics, design and simulation
张云,左玉华,郭剑川,丁武昌,,余金中,王启明
中国物理 B , 2009,
Abstract: We have studied the optical matching layers (OMLs) and external quantum efficiency in the evanescent coupling photodiodes (ECPDs) integrating a diluted waveguide as a fibre-to-waveguide coupler, by using the semi-vectorial beam propagation method (BPM). The physical basis of OML has been identified, thereby a general designing rule of OML is developed in such a kind of photodiode. In addition, the external quantum efficiency and the polarization sensitivity versus the absorption and coupling length are analysed. With an optical matching layer, the absorption medium with a length of 30μm could absorb 90% of the incident light at 1.55μm wavelength, thus the total absorption increases more than 7 times over that of the photodiode without any optical matching layer.
几种极性有机晶体的生长习性与形成机理
,施尔畏,仲维卓,殷之,,冯知明
化学学报 , 1997,
Abstract: 有机晶体特别是极性有机晶体,在不同的溶剂中具有明显不同的生长习性。本文通过对4-氨基-4'-硝基二苯硫醚(ANDS)等几种典型极性有机晶体在不同溶剂中的生长习性和结晶形貌的讨论,提出了偶极生长基元叠合模型,从两个方面探讨了这些习性的形成机理,即(1)有机晶体在不同的溶剂中具有不同结构和形式的生长基元(对于极性有机晶体而言,这些生长基元都具有偶极子特征),而不同的生长基元往晶体的各个面族上叠合的相对速率不同,从而导致了晶体习性的改变;(2)晶体生长界面的性质不同,特别是对于极性晶体,晶体界面的极性不同;不同的溶剂与生长晶体的界面相互作用不同,即使同种溶剂对晶体不同界面上的作用也不同,因而改变了生长界面的性质,影响了生长基元在晶体界面,特别是晶体正、负极面上的叠合速率,从而导致了晶体形貌的变化。由此比较合理地解释了晶体所呈现的不同的生长习性,特别是合理地解释了极性有机晶体所呈现的极性生长特征。
Photocurrent Measurement of Si1-xGex/SiMultiple Quantum Wells With Ion Implantation and Thermal Annealing
Photocurrent Measurem entof Si_(1-x)Ge_x/Si Multiple Quantum Wells With Ion Im plantationand Therm al Annealing

LI Cheng,
,杨沁清,王红杰,罗丽萍,,余金中,王启明

半导体学报 , 2000,
Abstract: Si Ge interdiffusion in Si 1- x Ge x /Si multiple quantum wells (MQW) is investigated by photocurrent spectroscopy, which is induced by ion implantation of Si\++ and thermal annealing. The band gap energy of the Si 1- x Ge x /Si samples implanted plus annealed has a blue shift up to 97meV compared to the annealed\|only samples. The blue shift may be caused by the Si\|Ge interdiffusion and the relaxation of the SiGe quantum wells.
Random recursion heuristics for the VRP
随机递归算法求解车辆路径问题

BU Li-xin,LU Wen-yu,FENG Yun-cheng,
立新
,,冯允

系统工程理论与实践 , 2008,
Abstract: 车辆路径问题(VRP)是组合优化中一个典型的NP难题,对于中等规模以上的问题,目前大多采用禁忌搜索、遗传算法和模拟退火等亚启发式算法,在吸取这些算法精髓的基础上,提出了一种新的并且简洁而高效的启发式算法.计算结果表明,在27个国际标准算例中应用该算法取得了2个解优于当前最优解,其余相当接近当前最优解.需要指出的是所有这些结果是在该算法应用同一组参数得到的.
Band gap Narrowing in heavily B doped Si1-xGex strained layers
重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响

Yao Fei,Xue Chun-Lai,Cheng Bu-Wen,Wang Qi-Ming,
姚飞
,薛春来,,王启明

物理学报 , 2007,
Abstract: This paper presents a comprehensive study of the effect of heavy B doping and strain in Si1-xGex strained layers. On the one hand, bandgap narrowing (BGN) will be generated due to the heavy doping, on the other hand, the dopant boron causes shrinkage in the lattice constant of SiGe materials, thus will compensate for part of the strain. Taking the strain compensation of B into account for the first time and uesing the with semi-empirical method, the Jain-Roulston model is modified. And the real BGN distributed between the conduction and valence bands is calculated, which is important for the accurate design of SiGe HBTs.
Strain Compensation Effects of Si1-x-yGexCy Alloys
Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性

YU Zhuo,
于卓
,李代宗,,黄昌俊,雷震霖,余金中,王启明,梁骏吾

半导体学报 , 2001,
Abstract: 研究了 Si1 - x- y Gex Cy 三元系材料的应变补偿特性 ,分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响 ,指出由于 Ge和 C的投影射程及标准偏差不同 ,二者在各处的组分比并不恒定 ,存在着纵向分布 ,因此各处的应变补偿情况也不尽相同 .利用高斯公式对不同位置的应变补偿效果进行了分析 ,得出了外延层中存在应变完全补偿区域时 Ge、C的峰值浓度比 NGe/ NC应满足一定的取值范围 .通过制备不同 C组分的样品对上述结论进行了验证 ,得出的结果与理论预言基本相符
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