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低压硅外延生长的热力学研究
,赵慕愚
半导体学报 , 1982,
Abstract: 本文对SiCl_4氢还原的复杂化学反应体系的平衡状态作了计算.给出体系在低压(P=0.1大气压、P=0.01大气压)和常压(P=1大气压),温度T从900K至1500K,及不同初始成分条件下的平衡成分图、产率图、外延生长控制参数的阈值图,并提出了有关改进低压硅外延工艺的参考性意见.
SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的热力学分析
,赵慕愚
半导体学报 , 1984,
Abstract: 本文采用热力学计算方法对引起SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的三个来源作了较详细的分析.所得结果对外延硅中SiC沾污问题的认识,外延工艺和H_1、SiCl_4原材料制备及提纯工艺的改进将有一定的参考意义.
多晶硅中碳化物及其来源的研究
万群,李玉珍,,赵慕愚
半导体学报 , 1984,
Abstract: 本文用电子探针等手段分析了多晶硅中的碳化物.结果表明:采用不同工艺制备的多晶硅中都含有SiC微颗粒,它们在多晶硅棒中呈随机分布,最大面密度达10~3个/cm~2,颗粒尺寸最大可达70μm,元素分析结果表明其组成符合SiC的计量比.根据国内常用的制备多晶硅的方法,从理论上分析了SiC沾污的原因,并讨论了减少这种沾污的可能途径.
热解CVD方法制备氧化铍薄膜的研究
,杨弘,卢致玉,岳万刚,王子忱,赵慕愚
半导体学报 , 1992,
Abstract: 本文用碱式甲酸铍为源,在源区温度250—330℃,沉积区温度440—650℃的条件下,利用热解CVD方法制得了BeO薄膜,并对BeO 薄膜的物理和化学性能做了测量和试验.
基于辐射功率的微热板测温系统设计
漆奇,张彤,刘丽,刘奎学,
吉林大学学报(工学版) , 2008,
Abstract: 为了解决微小芯片表面测温的难题,设计了一种非接触式微区测温系统。首先利用光纤探头和光功率计测量微热板的辐射功率,再结合辐射功率与温度的关系,精确地测出微热板表面50μm×50μm区域内的温度。实验测试结果与利用有限元分析软件Ansys得到的模拟结果基本一致,并且更换不同口径的光纤探头可以满足不同面积的样品的测量要求。
工资制度改革的方案措施

铁道工程学报 , 1992,
Abstract:
LaFeO_3 栅膜 FET 气体传感器的研究
赵善麒,,赵慕愚,彭作岩,才宏,邢建力
半导体学报 , 1994,
Abstract: 本文采用溶胶-凝胶技术制备LaPeO3纳米晶薄膜,并摸索出该薄膜的光刻方法,将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结合,首次研制出了纳米晶薄膜作为栅极的场效应晶体管气体传感器,它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性.
MOEMS光开关响应时间的分析计算
孙东明,董玮,刘彩霞,郭文滨,张歆东,纪平,,陈维友
电子学报 , 2003,
Abstract: 本文结合静电驱动扭臂式MOEMS光开关,给出了响应时间的计算方法,得出开关时间的计算公式.分析了器件几何参数对开关时间的影响,给出了开关时间随参数的变化趋势.通过优化结构给出一组几何参数,保证了驱动电压在10V左右,开关时间可以达到1至2ms.
纳米tio2的制备及对三甲胺气体的敏感性能
吴凤清,任辉,邹博,王竹仪,张彤,邹乐辉,
物理化学学报 , 2005,
Abstract:
lafeo3纳米晶薄膜及其气敏特性的研究
赵善麒?,才宏?,彭作岩?,赵纯?,,赵慕愚?,邢建力?
无机化学学报 , 1994,
Abstract: 本文采用溶胶-凝胶方法,经过550℃、1小时的固相反应,得到粒径为40~45nm,均匀性良好的lafeo3纳米晶薄膜。将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结合,首次研制出了ncf-osfet气敏元件,它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性。
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