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怀念郭可信先生

物理 , 2007,
Abstract: ?2006年12月12日北京.一大早起来天看起来沉沉的,感觉是一个不太好的日子.赶到中国科学院物理研究所参加学生论文答辩,碰到段晓峰,告诉我郭可信先生已报病危,正送医院抢救.三心二意好不容易完成了学生的论文答辩,急忙赶到医院.坐电梯上楼,出来只见楼道里张泽、吴杏芳等人在那,简单地交流了几句,知道先生已被隔离,不能见人了.虽然见不到先生,但又不忍心就那么走开.默默地站在先生的隔离病房外面,先生的点点滴滴如一幅幅定格的但又不太清晰的照片随着阵阵酸痛一下涌了上来.
THE ANALYTIC DOYLE-TURNER REPRESENTATION OF HIGH ENERGY ELECTRON ABSORPTIVE STRUCTURE FACTORS
热漫散射贡献的高能电子衍射吸收结构因子的Doyle-Turner解析表述

PENG LIAN-MAO,REN GANG,
,任罡

物理学报 , 1996,
Abstract: A numerical method is given for calculating the high energy electron absorptive structure factors. The numerical results so obtained are fitted with the analytic Doyle-Turner form using combined least-square and simulated annealing methods. As an illustration for the fitting, we have given results for five elements Be, Al, As, Ag and Au. In particular we have given the relative and absolute error curves for Al.
石墨烯的量子电容
邱晨光,徐慧龙,张志勇,
物理 , 2012,
Abstract: ?量子电容在半导体纳米材料和器件中是一个日趋重要的参数,测量和提取石墨烯的量子电容,不仅可以得到石墨烯的重要物理性质,而且对石墨烯晶体管的尺寸缩减行为具有重要指导意义.文章中采用简单工艺在石墨烯上制备出均匀超薄的高质量y2o3栅介质,其等效栅氧厚度(eot)可缩减至1.5nm,通过控制栅介质厚度的变化,精确测量并提取了石墨烯量子电容,其电容值在远离狄拉克点时与理论计算相符合;在此基础上,文章作者提出了基于电势涨落的量子电容微观模型,通过采用单一参数——电势涨落δv,可以定量地描述dirac点附近的量子电容行为,从而在全能量范围内实现对石墨烯量子电容测量值的完美拟合,并得到了石墨烯的相关重要参数.进而,作者从量子电容的角度,探索了石墨烯晶体管的性能极限,并比较其相对于ⅲ-ⅴ族场效应晶体管的潜在优势.
亚纳米碳管的稳定性——碳纳米管到底可以小到多小
薛增泉,吴全德,,顾镇南,张灶利
物理 , 2001,
Abstract: ?在200kv电子显微镜中高能电子束的诱发下合成出了直径为033nm的碳管.利用基于量子力学的紧束缚分子动力学方法研究了直径从016nm至10nm的亚纳米碳管的稳定性.
界面结构对纳米镶嵌颗粒熔化行为的影响
生红卫,卢柯,胡壮麒,任罡,
材料研究学报 , 1996,
Abstract: ?分别研究了具有两种界面结构的in和pb纳米镶嵌颗粒(al基体)的熔化行为,发现与al基体具有附生取向关系的in和pb纳米颗粒的熔点升高,而与al基体随机取向的in和pb纳米颗粒的熔点则降低,说明界面结构决定了纳米颗粒熔点的升降
INFLUENCE OF THE INTERFACIAL STRUCTURE ON THE MELTING BEHAVIOR OF In AND Pb NANOPARTICLES EMBEDDED IN Al MATRICES
界面结构对纳米镶嵌颗粒熔化行为的影响

SHENG Hongwei,LU Ke,HU Zhuangqi,
生红卫
,卢柯,胡壮麒,任罡,

材料研究学报 , 1996,
Abstract: Melting behaviors of In and Pb nanoparticles embedded in Al matrices were studied by using DSC and in situ TEM observations. It was found that the epitaxially oriented (with the Al matrix) In and Pb nanoparticles could be superheated, while the randomly oriented in and Pb nanoparticles may melt below their equilibrium melting points. Authors suggest that the melting point of the embeded nanoparticles can be either enhanceded or depressed, depending on the nature of the interfaces.
石墨烯霍尔元件
张怡玲,陈冰炎,黄乐,徐慧龙,张志勇,
科学通报 , 2014, DOI: 10.1360/N972014-00516
Abstract: 回顾了石墨烯霍尔元件的现状,并展望了其应用前景.石墨烯霍尔元件能够充分发挥石墨烯材料迁移率高和单原子薄层等优势,规避其没有带隙或者小带隙的缺陷,其主要的性能包括灵敏度、线性度、分辨率、温度稳定性等都超过了基于传统半导体材料的霍尔元件,而且制备工艺简单,容易得到高性能的石墨烯磁敏传感器.基于化学气相沉积(CVD)生长并转移到绝缘基底上的石墨烯材料,批量制备出高质量性能均匀的石墨烯霍尔元件.通过低温的器件加工工艺,将石墨烯霍尔元件集成到硅基互补性金属氧化物半导体(CMOS)电路中,实现了高性能混合霍尔集成电路,展示了石墨烯霍尔元件与硅基CMOS集成电路良好的工艺兼容性.
碳纳米管室温单电子器件的构建和特性测量
,陈清,薛增泉,吴全德,夏洋,梁学磊,车仁超
物理 , 2002,
Abstract: ?利用传统微加工与纳米组装技术构建出了金属颗粒调制的复合碳纳米管场效应及单电子器件.电子输运性能测量结果表明这类复合碳纳米管电子器件具有一些不同于一般碳纳米单电子器件的独特性能,特别是可在室温下实现单电子特性.
Study of the moving track of superhot electrons in an inhomogeneous magnetic field
超热电子在非均匀磁场中的运动轨迹

Cang Yu,Zhang Jie,Qiu Yang,Zhang Jun,Peng Lian-Mao,
苍宇
,张杰,邱阳,张军,

物理学报 , 2002,
Abstract: The moving track of superhot electrons in an inhomogeneous magnetic field is studied in detail. It would be very useful for designing a magnetic spectrometer to study superhot electrons.
转移过程对CVD生长的石墨烯质量的影响
梁学磊,李伟,CHENG,GuangJun,CALIZO,Irene,HACKER,Christina,A,HIGHT,WALKER,Angela,R,RICHTER,Curt,A,
科学通报 , 2014, DOI: 10.1360/N972014-00499
Abstract: 利用化学气象沉淀法(CVD)在金属衬底上生长的石墨烯制备电子器件需要先把石墨烯转移到绝缘基底上,转移过程对器件制备的成功率和性能的均匀性有重要影响.转移过程中导致的石墨烯破损和金属生长基底残余颗粒污染受到普遍重视,然而由金属基底腐蚀液导致的石墨烯表面污染还没有引起足够的重视.本文利用拉曼光谱和X射线光电子能谱(XPS)证明了转移过程中金属基底腐蚀液会在石墨烯表面引入污染,利用我们发展的"改良的RCA(radiocorporationofAmerica)清洗(modifiedRCAclean)"转移工艺能够有效地去除这种污染.这对提高后续制备的电子器件的性能有重要意义.
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