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亚表面齐纳基准二极管可靠性的1/f噪声预测方法
,孙青
半导体学报 , 1996,
Abstract: 寿命试验和噪声测试结果表明,亚表面齐纳基准二极管的主要失效模式是经历长时间应力作用后基准电压的突然退化,同时发现失效器件皆为高初始1/f噪声器件,而且其寿命与初始1/f噪声电压近似成反比关系.机理分析表明,1/f噪声和基准电压退化均可归因于p-n结耗尽区内的位错.据此,可利用1/f噪声测量对基准二极管的可靠性进行快速且非破坏性的评价.
双极晶体管表面1/f噪声的研究
,孙青
半导体学报 , 1987,
Abstract: 本文从表面载流子数涨落机构出发,建立了双极晶体管表面i/f噪声电流的完整理论关系式.测量了噪声与双极晶体管的基区表面势、表面复合电流、发射区周长和电流放大系数等主要参数的依赖关系.理论规律与实验结果符合良好.
双极型器件慢界面陷阱能量分布的1/f噪声分析方法
,孙青,侯洵
半导体学报 , 1996,
Abstract: 位于Si/SiO2界面附近的具有长时间常数的载流子陷阱对于半导体器件的可靠性有重要影响.根据笔者建立的双极晶体管表面1/f噪声分析模型,通过测量栅控晶体管1/f噪声的栅压特性,可获得这种慢界面陷阱密度在禁带中心附近的能量分布.本文给出了该方法的模型推导、参数提取、分析步骤和应用实例.
MOSFET1/f噪声相似性的子波鉴别方法
杜磊,,陈治国
电子学报 , 2000,
Abstract: 基于傅里叶分析的功率谱密度只能反映1/f噪声的整体频率特性,子波变换模极大值能够反映1/f噪声的奇异性和非规整性,而后者才是1/f噪声最本质的特征所在.本文将这一特性用于MOSFET1/f噪声的相似性分析.从子波变换模极大值匹配原理出发,定义了一个1/f噪声的相似系数,利用它对不同形成机制、不同微观缺陷状态、不同偏置应力作用下的MOSFET1/f噪声进行了相似性分析,发现它可作为鉴别1/f噪声的物理起源,分析1/f噪声的微观动力学机制,筛选有潜在缺陷或损伤的MOS器件的有效手段.
一种基于0.18μm CMOS工艺用于卫星导航系统射频前端双模低噪声放大器设计
李兵,,李振荣,靳刚
半导体学报 , 2010,
Abstract: 本文介绍了一种用于全球卫星导航系统射频前端的双频点低噪声放大器的设计,讨论了针对双频点或多频点的低噪声放大器的设计方法,分析了具体的电路设计和相关参数的确定并进行仿真.采用台积电0.18um 1P4M射频CMOS工艺进行流片验证,低噪声放大器噪声特性可分别在两个频点1.27GHz和1.575GHz处达到16.8dB和18.9dB,实测噪声系数可达1.5dB~1.7dB之间.此结构在1.8V工作电压下,电流小于4.3mA.流片结果与原设计情况相符,完全满足射频前端接收机的需求.
A New UWB Pulse Design Algorithm for Inband Interference Suppression
带内干扰抑制的超宽带脉冲设计

Guo Feng,Zhuang Yiqi,
郭锋
,

光子学报 , 2006,
Abstract: Using the combination of Gaussian monocycles pulse wi th different amplitude and different delay,a new ultra-wideband(UWB) pulse desi gn algorithm for Inband(narrowband or wideband) interference suppression is pres ented.With a Wireless Personal Area Network(WPAN) Communications short duration and a simple implement,the obtained UWB pulse not only meet Federal Communicatio ns Commission(FCC)spectral mask,but dramatically suppress the mutual interferenc es and successfully solves the coexistence problem between UWB system and others existing communication system.Compare with other pulse shapes,our pulse can car ry more energy.In the end,the communication performance of the UWB pulse in the paper and the optimal Gaussian-based monocycle is compared,our pulse have an ob vious advantage over the optimal Gaussian-based monocycle.
VLSI金属互连线1/fγ噪声指数与电迁移失效
杜磊,,薛丽君
电子学报 , 2003,
Abstract: 对VLSI的金属互连线实施高应力下的加速寿命试验和常规应力下的噪声频谱测量,得到了金属薄膜1/fγ噪声的频率指数γ在电迁移演化过程中的变化规律,发现γ指数在寿命试验的某个时间点发生突变,从1.0上升到1.6以上.这种突变可以归因于电迁移诱发空洞形成过程的起点,因而是金属薄膜结构开始发生不可逆结构变化的标志.1/fγ噪声指数因子可望成为金属薄膜电迁移损伤程度或寿命的一个表征参量.
片上栅氧经时击穿失效监测电路与方法
辛维平,,李小明
电子学报 , 2012, DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2012.11.008
Abstract: 栅氧经时击穿(TimeDependentDielectricBreakdown(TDDB))等失效机理引起的失效是电路失效的主要原因之一,而这些电路的失效可能会造成灾难性的后果.本文提出了一种片上、能对栅氧经时击穿引起的失效进行实时预报的电路及方法.当栅氧经时击穿引发电路或系统失效时,本监测电路会发出报警信号.本监测电路采用标准的CMOS工艺,只占用很小的芯片面积,同时它只与宿主电路共用电源信号,从而不会给宿主电路带来任何干扰.本监测电路采用0.18μmCMOS工艺实现了投片验证.
基于安全与纠错算法的增强型蓝牙基带研究与实现
李振荣,,张博,牛玉峰?
计算机科学 , 2010,
Abstract: 基于蓝牙在安全、纠错和杭干扰方面的不足,分析和改进了蓝牙协议数据链路层的跳频和纠错算法。分析了基于高级加密标准(aes)迭代型分组密码算法构造的新型跳频序列的性能,仿真结果表明该序列具有良好的安全性、均匀性和相关性。针对蓝牙dm分组,采用了融合交织编码和前向纠错的增强型纠错机制,并基于gillbert-elliott信道模型进行了仿真。结果表明该增强型纠错机制大大提高了数据传输的抗干扰能力。提出了基于aes的跳频序列发生器和融合交织编码的增强型纠错机制的asic实现结构,并运用低功耗和资源优化技术,给出了vlsi实现结果。基于改进算法ip,实现了高安全、强纠错的增强型蓝牙基带,并结合标准蓝牙基带进行了性能分析。最后,采用基于平台的设计方法,搭建了蓝牙soc系统平台,并进行了实测。
嵌入式sram的低功耗优化及测试
王江安,,靳钊,李迪?
计算机科学 , 2010,
Abstract: 为了降低sram的功耗,提出了一种优化的sram。对改变较快的输入端引入操作数隔离技术,对比较电路的多位数据进行总线数据分割;给较大的时钟网络增加门控时钟,引入多种电源控制模式并增加隔离逻辑;将sram64kx32分解为8个sram8kx32子块,由八选一逻辑通过各子块的片选信号相连,使得同时只有一个子块处于读写状态。将优化的sram64kx32应用到soc中,并通过增加旁路逻辑来测试各部分功耗。该soc经90nmcmos工艺成功流片。测试结果表明,优化的sram64kx32功耗降低了29.569%,面积仅增加了0.836%。
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