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Optimization of the longitudinal structure of intrinsic layer in microcrystalline silicon germanium solar cell
微晶硅锗太阳电池本征层纵向结构的优化

Cao Yu,Zhang Jian-Jun,Li Tian-Wei,Huang Zhen-Hua,Ma Jun,Ni Jian,Geng Xin-Hua,Zhao Ying,
曹宇
,张建军,李天微,黄振华,马峻,倪牮,耿新华,赵颖

物理学报 , 2013,
Abstract: 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术, 研究了辉光功率对微晶硅锗材料结构特性和光电特性的影响, 提出使用功率梯度的方法制备微晶硅锗薄膜太阳电池本征层. 优化后的微晶硅锗本征层不仅保持了晶化率纵向分布的均匀性, 而且形成了沿生长方向由宽到窄的渐变带隙分布, 使电池的填充因子和短路电流密度都得到了提高. 采用此方法制备的非晶硅/微晶硅锗双结叠层电池转换效率达到了9.54%.
光子晶格中新颖的空间带隙孤子——饶毓泰基础光学二等奖介绍
楼慈波,宋道红,唐莉勤,陈星宇,许京军,陈志刚
物理 , 2008,
Abstract: ?光子晶格作为一种光学周期性离散体系,具有通常均匀介质所无法比拟的独特性质,它为空间离散孤子、表面波以及衍射操控等一系列线性和非线性离散动力学行为的实验观测提供了便利条件,同时在全光路由、全光开关和光子计算机等方面具有重要的应用前景.文章简要回顾了南开大学的研究小组近期在二维光子晶格中有关空间带隙孤子的一系列研究工作,包括二维基本带隙孤子、类偶极带隙孤子、带隙孤子串以及涡旋带隙孤子等.在有的实验过程中,文章作者清晰地观测到探测光束的频谱整形,波常数从具有反常衍射的导带底部演化到光子禁带中,并且通过干涉图反映
碲铋铌系统玻璃热稳定性及光学带隙研究
王艳玲,戴世勋,周宇,徐铁峰,聂秋华
武汉理工大学学报 , 2008,
Abstract: ?制备了组成为(95-x)teo25bi2o3xnb2o5(x=0%,x=5%,x=10%,x=15%)的4组碲酸盐玻璃,测试了样品的密度、折射率、玻璃转变温度、玻璃析晶温度、吸收光谱和红外光谱。利用样品的吸收光谱计算了其直接允许跃迁、间接允许跃迁及能量带隙。讨论了nb2o5含量对玻璃的折射率、热稳定性、光学带隙及能量带隙的影响。该玻璃系统具有较好的热稳定性和较大的折射率。光学带隙和能量带隙随nb2o5含量的增大而减小。
GW quasiparticle band structure of BaSe
BaSe的准粒子能带结构

Chen De-Yan,Huang Mei-Chun,
陈德艳
,吕铁羽,黄美纯

物理学报 , 2006,
Abstract: 运用标准的准粒子GW方法重新考察了BaSe的准粒子能带结构.为便于比较,同时计算了局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA)下的能带.结果表明,LDA和GGA方法都不能准确描述这个材料的带隙.与实验测量值对比,其误差分别达到39.9%和32.6%.GW准粒子能带的结果则可以对其带隙作出大幅度的修正,得到与实验测量相当符合的理论结果.与已有的计算结果不同,B1结构BaSe准粒子能带具有Γ点直接带隙特性,表明在Ba价电子组态中考虑4d电子的作用至关重要.
Propagation of water wave over a periodically perforated bottom and the band structure
水波在周期性钻孔底部结构中的传播及其能带

Zhong Lan-Hua,Wu Fu-Gen,
钟兰花
,吴福根

物理学报 , 2009,
Abstract: 采用平面波展开法计算了浅水表面波在底部按周期性钻孔结构下的能带,找到了完全带隙的出现.通过考虑方形孔按正方晶格排列、圆形孔按正方晶格和六角晶格排列等三种钻孔模型,发现带隙的数量、宽度、频率、位置与孔的面积、形状、方位角及其排列晶格等都有关.且这些规律与光子/声子晶体的情况相类似.
Effect of lattice site position fluctuation on the electronic structure of DNA
位置涨落对DNA分子电子结构的影响

Gao Xu-Tuan,Fu Xue,Song Jun,Liu De-Sheng,Xie Shi-Jie,
高绪团
,傅雪,宋骏,刘德胜,解士杰

物理学报 , 2006,
Abstract: In the framework of a tight binding model, effect of the lattice site position fluctuation on the energy band and the electronic states of DNA is studied by means of stimulation with the square distribution. Effect of the position fluctuation on the conductivity of DNA is also analyzed. It is found that with the enhancement of the fluctuation the band gap becomes smaller and the electronic states become localized. The electronic states around the bottom of conductance band appear apparently localized with a room temperature fluctuation. Therefore, even if these base pairs were arranged orderly, the band resonant charge transport mechanism might not be suitable for DNA at room temperature.
电沉积时间对SiO2-ZnO复合光子晶体形貌及光学特性的影响
闫刚印,张欣,黄鹏,王垒,戚芳,冯博学
科学通报 , 2010,
Abstract: 采用垂直沉积法成功制备了SiO2光子晶体薄膜.以SiO2光子晶体薄膜做模板,采用电沉积和烧结处理在ITO基底上制备了SiO2-ZnO复合光子晶体.利用扫描电子显微镜观察了SiO2光子晶体模板及不同沉积时间所制备的SiO2-ZnO复合光子晶体薄膜形貌.研究发现,当沉积时间较短时,ZnO颗粒随机生长在SiO2微球表面.随着沉积时间的延长,ZnO颗粒均匀地生长在SiO2微球表面,以至于ZnO颗粒完全掺入模板的间隙.对所制备的光子晶体薄膜进行反射谱测量,发现在膜法线方向上,光子晶体薄膜有光子带隙的出现.
具有分形特征的PBG微带线
付云起,张国华,袁乃昌
电子学报 , 2002,
Abstract: 提出了具有分形特征的光子带隙结构微带传输线,用类似于塞尔宾斯基垫结构代替一般的方孔,在微带传输线的接地板上开孔.对不同生长维数的塞尔宾斯基垫结构进行了实验研究,结果得到了与谐振无关的双频率带隙.
zno光子晶体的制备和光学特征
王全,张琦锋,孙晖,张俊艳,邓天松,吴锦雷
物理化学学报 , 2007,
Abstract:
带隙态对辉光放电a—SiNx:H光电导的作用
红外与毫米波学报 , 1991,
Abstract: 研究了a-SiN_x:H中带隙态和带尾态对光电导的影响。实验结果表明:退火引起光电导响应增加,光电流谱中的肩峰在200℃退火时消失,光生载流子的复合随退火温度的变化由双分子型变为单、双分子混合型,取决于光电导的带隙随退火温度的提高而略有增加。并从光电导测量定量地给出了悬键态密度。
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