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曲肘式机构的优化设计
,林群
华东理工大学学报 , 1992,
Abstract: 以功效系数为目标函数,相应地确定了设计变量和约束函数,对塑料注塑机合模机构的参数进行优化计算,提高了机构的综合性能。
熔融盐NaHSO4-KHSO4、LiNO3-KNO3中某些无机物和有机物的交流示波极谱研究
,杨士林
分析化学 , 1989,
Abstract: 文章主要研究了在熔融盐NaHSO4-KHSO4和LiNO3-KNO3中,熔融温度为130℃±0.5℃时应用交流示波极谱研究某些无机物的交流示波极谱特性。实验进一步扩充了文献所报道的工作。预示了Pb2+、Cd2+;Pb2+、Al3+和Pb2+、Cr3+的定量分析的可能性。实验证明在此熔融盐中使用悬汞电极和Kaliskova电极进行某些无机物的定量分析有较高的灵敏度和较好的重现性。获得了满意的结果。
极性半导体中表面激子的性质
,肖景林
半导体学报 , 1993,
Abstract: 本文研究极性半导体中表面激子的性质,采用微扰法导出表面激子的有效哈密顿量。在计及反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论对电子、空穴间的相互作用的有效势、表面激子的自陷能和自陷条件的影响。
GaAs/AlAs超晶格纵向电流与阱间偏压的动态关系
何礼熊,
福州大学学报(自然科学版) , 1998,
Abstract: 报告并分析了GaAs/AlAs阱间弱耦合且阱中掺杂的第一类超晶格样品在77K温度下分别以动态高速扫描方式和准静态低速扫描方式所测量的纵向输运的I-V曲线.从准静态数据发现各负阻段的段平均微分负阻基本上与样品偏压无关.分析表明,在I-V关系曲线平台区纵向电流与相邻势阱间偏压的关系中,共振隧穿过程与顺序共振隧穿过程的微分电阻值接近相等.本工作从高速动态数据确定了畴边界完成一次跳跃移动的时间,实验样品的这一时间为70±30ns,由此计算出隧穿电流的峰谷比约为2.0.
用高速高分辨率PC仪器进行甚低平均功耗I-V曲线测量
何礼熊,
福州大学学报(自然科学版) , 1996,
Abstract: 在一个PC基高速高分辨率仪器卡上实现超低平均功耗器件的I-V曲线测量.采集512个数据只要51.2μs,避免因过高平均功耗而损坏器件.PC基仪器卡自带时钟和单斜波电压产生器,使用功能为18MHz取样率和10bit分辨率的A/D器件和存取时间为15ns的缓存存贮器,分辨率优于一般存储示波器,测量系统对PC/XT以上的微机兼容.系统还可进行多通道瞬态测量,用于同步分析多通道窄脉冲信号,一个软件包可以完成所有的控制、测量与数据处理.
熔融盐中应用交流示波极谱分析有机物的研究
,赵晶波
分析化学 , 1983,
Abstract: 本文研究了在熔融的甲酸铵介质中,温度为125℃±0.5℃时应用交流示波极谱研究硝基苯等有机化合物的示波极谱特性.并且发现和采用流汞电极在1M氢氧化钠溶液中所获得的电容切口是一样的简单.同时还发现随着电解纯化甲酸铵时间的增加.同量硝基苯产生的切口有明显地加深.提高了灵敏度.本文还使用滴汞电极、悬汞电极和Kaliskova电极对硝基苯进行了定性和定量.具有较高的灵敏度.重现性也较好.实验还指出.采用固体电极材料在交流示波极谱中的应用将是继续研究的新课题.
GaAs/AlAs超晶格室温下的输运机制及自维持场畴振荡
武建青,江德生,
半导体学报 , 1998,
Abstract: 在GaAs/AlAs(10nm/2nm)弱耦合掺杂超晶格I-V曲线的第一个平台上,我们首先观测到了直流偏压下的室温微波振荡.观测到的最高振荡频率可达142MHz.这种由级联隧穿引起的振荡在测试温度范围14~300K内始终存在.经分析发现:由于垒层仅有2nm,电子隧穿通过垒层的几率很高,相比之下,电子越过势垒而产生的热离子发射电流要小得多.在温度低于300K时,超晶格内的纵向输运机制是级联共振隧穿和声子辅助隧穿.这是室温仍然能观测到自维持振荡的主要原因.由于实现振荡所施加的偏压比较低(在室温下偏压范围大约为
流体静压力下窄势垒GaAs/AlAs超晶格的低温纵向输运
武建青,刘振兴,江德生,
半导体学报 , 1999,
Abstract: 我们研究了77K温度下掺杂弱耦合GaAs/AlAs窄垒超晶格在流体静压力下的垂直输运,发现其输运性质与宽垒超晶格有很大不同.当在压力下AlAs垒层中的X基态子能级降至EΓ1子能级和EΓ2子能级中间或更低能量位置时,未观察到Γ-Γ共振隧穿到Γ-X共振隧穿的转变,I-V曲线上的平台并未随压力增大而收缩,反而稍有变宽.同时,平台电流随压力增大而增加,直到与EΓ1-EΓ1共振峰电流相当.我们认为,由于垒层很薄,Γ电子隧穿通过垒层的几率很高,EΓ1-EΓ1共振峰显著高于EΓ1-Ex1共振峰,因此,高场畴区内的输运机
流体静压下研究电场畴的形成机制
,刘振兴,江德生
半导体学报 , 1997,
Abstract: 本文利用流体静压方法研究了掺杂弱耦合GaAs/AIAs超晶格中电场畴的形成机制.对于第一个电流类平台区域,我们观察到两种级联共振隧穿过程,即当p≤2kbar时,高场畴为Γ-Γ级联共振隧穿过程,而当p>2kbar时,高场畴为Γ-X级联共振隧穿过程.对于第二个电流类平台区域,高场畴常压下为Γ-X级联共振隧穿.
基于论坛话题段落划分的答案识别
, 刘秉, 承杰, 王晓龙,
自动化学报 , 2013, DOI: 10.3724/SP.J.1004.2013.00011
Abstract: ?在论坛话题中识别答案是面向论坛的问答对挖掘中的核心问题.在论坛话题的讨论中通常存在隐式的结构,这种结构信息非常有助于最佳答案的定位和识别.本文提出了一种基于中文论坛话题段落划分的答案识别方法:首先将论坛话题重新组织为若干段落的集合,并基于此划分提取一组能够反映话题讨论逻辑结构的特征.在此基础上给出了一种可以根据候选答案所在段落类别实现模型选择的答案识别策略,从而避免了噪声信息对模型预测的误导.实验结果表明本文的答案识别方法非常适用于面向在线论坛的问答资源挖掘工作.
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