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一种新型的SOI灵敏放大器
刘新宇,孙海峰,海潮,,吴德馨
电子学报 , 2001,
Abstract: 本文利用"灵巧的体接触(Smart-Body-Contact)"技术设计出一种新型的SOI灵敏放大器.采用Hspice软件对体硅的和新型的交叉耦合灵敏放大器进行模拟和比较,发现新型的交叉耦合灵敏放大器比体硅的交叉耦合灵敏放大器延迟时间缩短30%,最小电压分辨可达0.05V.最后,我们成功地将该电路应用于CMOS/SOI64KbSRAM电路,电路存取时间仅40ns.
Self-Aligned InGaP/GaAs HBT Monolithic Transimpedance Amplifier
自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器

王延锋,孙海峰,刘新宇,,吴德馨
半导体学报 , 2003,
Abstract: 对自对准 In Ga P/ Ga As HBT单片集成跨阻放大器进行了研究 .采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用 Ga As腐蚀各向异性的特点来完成 BE金属自对准工艺 ,最终制作出的器件平均阈值电压为 1.15 V,单指管子电流增益为5 0 ,发射极面积 4μm× 14μm的单管在 IB=2 0 0μA和 VCE=2 V偏压条件下截止频率达到了 4 0 GHz.设计并制作了直接反馈和 CE- CC- CC两种单片集成跨阻放大器电路 ,测量得到的跨阻增益在 3d B带宽频率时分别为 5 0 .6 d BΩ和 4 5 .1d BΩ ,3d B带宽分别为 2 .7GHz和 2 .5 GHz,电路最小噪声系数分别为 2 .8d B和 3.2 d B.
辐射加固的JFET/SOS:工艺及γ辐射效应
聂纪平,刘忠立,,于芳,李国花,张永刚
半导体学报 , 1999,
Abstract: 本文研究了制作JFET/SOS(蓝宝石上外延硅结型场效应晶体管)的方法,采用扩散形成栅极p+n浅结以及复合注入的方法形成导电沟道,在不同的工艺条件下可得到增强型和耗尽型器件.通过Co60源的γ射线辐射实验发现这种器件具有良好的抗总剂量辐射性能,在5Mrad(Si)剂量时阈值电压的变化小于01V,跨导以及漏电流的变化都很小
C波段0.75mm AlGaN/GaN功率器件
陈晓娟,刘新宇,,刘建,吴德馨
半导体学报 , 2005,
Abstract: 研制并测试了以蓝宝石作衬底的10×75μm×0.8μm AlGaN/GaN微波器件,采用等离子增强气相化学沉积的方法生长了250nm的Si3N4形成钝化层,直流特性从0.56A/mm上升到0.66A/mm,跨导从158mS/mm增为170mS/mm,截止频率由10.7GHz增大到13.7GHz,同时在4GHz下,Vds=25V, Vgs=-2.5V,输出功率由0.90W增至1.79W,输出功率密度达到2.4W/mm. 钝化有效地改善了器件的输出特性,减小和消除了表面寄生栅对器件的影响.
硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响
高文钰,刘忠立,,于芳,梁桂荣,李国花
半导体学报 , 1999,
Abstract: 实验研究表明热生长13nm薄SiO2的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很大关系.氧化前稀HF酸及HF/乙醇漂洗不会提高热氧化薄SiO2的可靠性;氧化前用NH4OH/H2O2/H2O(0.05∶2∶5)溶液清洗形成化学预氧化层对提高薄SiO2可靠性很有效;用H2SO4/H2O2(3∶1)溶液清洗形成预氧化层的改善作用也较明显,在之前增加比例为0.05∶2∶5或1∶2∶5的NH4OH/H2O2/H2O溶液清洗和稀HF酸漂洗效果更好.另外,薄栅介质抗电离辐射性能和抗热电子损伤能力同氧化前形成化学预氧化层的清洗
利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性
刘忠立,,于芳,张永刚,郁元桓
半导体学报 , 1999,
Abstract: CMOS/SOS器件同体硅CMOS器件相比,载流子迁移率较低,沟道漏电电流较大,它们主要是由异质外延硅膜缺陷,特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的.本文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善CMOS/SOS器件特性的实验结果.
硅表面清洗对7nm热SiO_2栅介质可靠性的影响
高文钰,刘忠立,,张永刚,梁秀琴,梁桂荣
半导体学报 , 1999,
Abstract: 实验研究了硅表面清洗方式对7nm热氧化SiO2栅介质可靠性的影响.结果表明,稀HF酸漂洗后RCA清洗时降低SC1(NH4OH/H2O2/H2O)温度对提高栅介质可靠性有利,但仍不如用SC2(HCl/H2O2/H2O)或H2SO4/H2O2清洗效果好.稀HF酸漂洗后用H2SO4/H2O2清洗得到的栅介质不仅表现出优良的击穿电场分布特性和击穿电荷分布特性,抗热电子损伤能力也比较强
DC Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with a Field Plate Gate
具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性

Wei Ke,Liu Xinyu,He Zhijing,Wu Dexin,
魏珂
,刘新宇,,吴德馨

半导体学报 , 2008,
Abstract: This paper reports two kinds of AlGaN/GaN HEMTs with the field plate gate.In contrast with a conventional HEMT structure,their DC characteristics are improved and the broken voltage is over 100V.The reverse leakage current of the Schottky gate is reduced from 0.037 to 0.0057mA with a 100V voltage between gate and drain using a field plate.Its broken voltage is increased from 78 to over 100V.The HEMTs with the gate field plate structure and the source field plate structure are compared and their high frequency characteristics are also discussed.
Technology of Partially Depleted CMOS/SOI
部分耗尽CMOS/SOI工艺

刘新宇,孙海峰,陈焕章,扈焕章,海潮,刘忠立,,吴德馨
半导体学报 , 2001,
Abstract: 对部分耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套部分耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :PBL (Poly- Buffered L OCOS)隔离、沟道工程和双层布线等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级环振、 5 0 0 0门门海阵列和 6 4K CMOS/ SOI静态存储器 ) .其中 ,NMOS:Vt=1.2 V ,BVds=7.5— 9V ,μeff=42 5 cm2 / (V· s) ,PMOS:Vt=- 0 . 9V,BVds=14— 16 V,μeff=2 40 cm2 /(V· s) ,当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm环振单级延迟为 10 6 ps,SOI 6 4K CMOS静态存储器数据读取时间为 40 ns
A New Kind of Double Heterojunction Double Planar Doped Power PHEMTs
新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT

Chen Zhen,He Zhijing,Wei Ke,Liu Xinyu,Wu Dexin,
陈震
,,魏珂,刘新宇,吴德馨

半导体学报 , 2004,
Abstract: 设计并制作了双异质结双平面掺杂的Al0 .2 4 Ga0 .76 As/ In0 .2 2 Ga0 .78As/ Al0 .2 4 Ga0 .76 As功率PHEMT器件,采用双选择腐蚀栅槽结构,有效提高了PHEMT器件的输出电流和击穿电压.对于1μm栅长的器件,最大输出电流为5 0 0 m A/ mm ,跨导为2 75 m S/ m m,阈值电压为- 1 .4 V,最大栅漏反向击穿电压达到了33V .研究结果表明,在栅源间距一定时,栅漏间距对于器件的输出电流、跨导和击穿电压有很大关系,是设计功率PHEMT的关键之一.
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