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液相外延空白区现象的观察

半导体学报 , 1986,
Abstract: 在某些衬底上生长薄外延层时发现有局部未长外延层的区域——“外延空白区”,它会影响外延层的均匀性.由于这类空白区中心附近总有凹的破损区域或有异样结构,这必然会产生应力,可推断“外延空白区”与晶格缺陷产生的应力有关.用故意在衬底表面的局部区域产生划痕,或进行离子注入,或产生离解等办法造成晶格缺陷,产生应力,同样得到了“外延空白区”,证明了我们推断的正确.由此提示我们为得到高质量的薄外延层需要注意选择无局部应力集中区域的衬底。
中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑
,王占国
半导体学报 , 1999,
Abstract: 本文展示了我国首根太空砷化镓单晶所具有的火炬头状单晶并有8个小平面的表面形貌.在石英容器设计中考虑了既能经受大的加速度又可避免容器和砷化镓锭条因热膨胀系数不同可能引起的损坏,还介绍了熔区建立后防止熔体和容器内壁接触的办法.考虑到供电仅限于90min,所设计的温控曲线非常好,使空间生长GaAs单晶获得成功.
LPE-GaAs表面形成弯月线原因的探讨
,吴让元
半导体学报 , 1983,
Abstract: 本义介绍了在LPE-GaAs表面出现的弯月线受片子脱离生长液的速度、方向、温度、气氛中的砷分压以及衬底和液槽框底之间的间隙的影响.根据这些现象,提出了形成弯月线的原因——“半周线瞬时局部回溶”的设想.用它能解释有关的实验现象.
Preparation of Ampoules With B_2O_3 Coating on GaAs Surface for Space Experiments
,E Jensen,A Gallucci,R Abbaschian
半导体学报 , 1997,
Abstract: In order to reduce Marangoni convection in molten GaAs,B,O,encapsulation was used during float zone growth of GaAs single crystals.After growth of the GaAs crystal,theam poule would be broken during cooling due to the large difference in thermal expansion coefficients of...
InGaAsSb四元固溶体的团簇效应
童玉珍,杨锡震,王占国,
半导体学报 , 1994,
Abstract: 在Onabe工作的基础上,使用对相互作用模型对于In1-xGaxAs1-ySby四元固溶体中的团簇效应对在适用于光电通讯材料的若干组分值(x,y)进行了计算.结果表明团簇效应在该系统中严重存在.计算了对分布几率随组分值和温度的变化.对于该效应对固溶隙计算的影响作了讨论.
城市污水处理厂恶臭挥发性羰基化合物的排放特征
,,赵德,张春林,古颖纲
环境科学 , 2011,
Abstract: 选取广州市猎德污水处理厂进行为期4d的现场采样,采用PFPH衍生化-GC/MS联用技术分析恶臭挥发性羰基化合物的组成特征和含量水平,研究它们的排放特征.结果表明,在该污水处理厂共检测出18种羰基化合物,其中具有恶臭气味的组分包括15种,它们在6个处理车间的浓度范围为0.39~19.92μg·m-3,总浓度均值为(68.66±10.05)μg·m-3.采取归一化方法获得了该类污染源的恶臭挥发性羰基化合物成分谱,并发现了分子标志物为甲醛、乙醛、丙醛、2-丁酮、丁醛和己醛,它们占该成分谱总含量的78.91%,其中己醛含量最高,浓度均值达到11.71μg·m-3.应用恶臭面源源强的计算方法,估算出该污水处理厂恶臭挥发性羰基化合物的年排放总量为2302.33kg·a-1,各车间的排放量贡献率由高至低为:生化池>浓缩池>A级曝气池>提升泵房>沉砂池>脱水机房.由于污水处理厂的恶臭污染排放过程较为复杂,因此在一定程度上影响了排放量估算的准确度.
LPE-GaAs中残留杂质的研究
林兰英,方兆强,,朱素珍,向贤碧,吴让元
半导体学报 , 1980,
Abstract: <正> 众所周知,在氢气氛中进行LPE-GaAs生长时,对镓溶液作长时间的热处理,以便排除氧沾污是提高外延层纯度的重要工艺措施.但是我们发现,随着镓溶液处理温度的提高,外延层的电子浓度会逐渐下降,然后转为Ⅰ型材料(见图1),存在着一个型号转变
微反应器中合成硝酸酯炸药
,孟子晖,孟文君,陈光文,,葛忠学
含能材料 , 2010, DOI: 10.3969/j.issn.1006-9941.2010.01.009
Abstract: 采用芯片式微反应器,进行了硝酸酯类炸药的合成研究。在该反应器中,以醇和硝硫混酸为原料,太根的产率为86.4%;硝化二乙二醇的产率为90.6%。研究了硝化剂与原料比值和液相空速对反应的影响,实验结果表明,酸与醇摩尔比较小时硝酸酯的产率随着液相空速的降低而增大,但硝酸与醇摩尔比增大后,硝酸酯产率变化不大;硝化剂与原料醇的比值有一个最佳值,HNO3/二乙二醇=5/1,HNO3/三乙二醇=4/1,当大于或小于这一比例时,硝酸酯的产率都将下降。
衬底错向对LPE-GaAs表面形貌的影响
,蒋四南,高维滨,方兆强,向贤碧,朱素珍,王玉田,吴让元
半导体学报 , 1984,
Abstract: 本文研究了与(100)晶面错向的衬底上砷化镓液相外延层的表面形貌.随着外延层厚度的增加,先后观察到了鳞片状结构、水波纹结构和平行阶梯结构.本文对这形貌变化的机构作了讨论.我们还看到当外延层厚度是 2.1—2.2μm时,只有错向<4'表面才光亮平整.当外延层厚到2.5-3μm时,错向<5'即可获得光亮的表面.
泛函积分与sine-Gordon-Thirring模型的统计平均值
,王涛,
四川师范大学学报(自然科学版) , 2011,
Abstract: 根据泛函积分方法研究了杂质耦合sine-Gordon-Thirring模型的统计物理性质,通过辅助玻色场技巧推导了弱耦合模型的有效势,由泛函行列式微扰展开获得了模型的自由能.另外,在弱耦合情况下计算了两个杂质和凝聚项的4阶统计平均值,还给出了有效势和统计平均值的图形表示.
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