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Device Model Parameters for 2.5-10Gb/s HEMT Modulator Driver IC
2.5—10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数

高建军,高葆新,
半导体学报 , 2001,
Abstract: 对高速调制器驱动电路 HEMT IC中器件参数进行了研究 ,着重讨论了 HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响 ,给出了满足电路性能要求的器件参数范围 ;对 2 .5— 10 Gb/ s PHEMT IC光驱动电路进行了计算机仿真 ,眼图模拟结果表明满足 2 .5— 10 Gb/ s高速光纤通信系统需要
单元级别并行有限元法求解工程涡流场的关键问题研究
唐任远,东阳,
电工技术学报 , 2014,
Abstract: 单元级别并行有限元方法(EBE-PFEM)目前尚未在工程涡流场求解中得到应用。由于含有不同导电媒质的工程涡流问题经有限元离散化得到的方程组呈现病态性质,给EBE-PFEM这一有效方法的应用造成了困难。本文从数学模型选择与算法实施两方面出发对此提出了解决方案。将修正矢量磁位法及二阶矢量位法应用于涡流问题的数学模型中,能够简化问题的数学模型并改善涡流场离散化方程组的性质;而采用EBE-PFEM法求解该方程组,可以解决工程涡流场分析的存储规模庞大、求解困难的问题。文中并给出了EBE-PFEM法在GPU(图形处理单元)上的实现过程。
大规模工程涡流场有限元计算的困境与展望
, 朱占新, 东阳, 王健
中国电机工程学报 , 2015, DOI: 10.13334/j.0258-8013.pcsee.2015.05.028
Abstract: 精确计算涡流场分布及其在导电材料中产生的损耗,对于电工设备的优化设计与安全运行至关重要。在现阶段,特大型电机、变压器等电工设备中的三维工程涡流场有限元分析存在计算规模大、计算时间长和计算精度不能满足工程精度要求的问题。该文主要从计算方法的层面分析这类问题的研究现状和关键难点,介绍诸如叠片铁心材料特性的传统和改进型均匀化模型、子问题扰动有限元法、区域分解法、单元级别的并行有限元法等针对上述问题的研究对策,分析不同方法的优点和局限性,并提出对今后进一步研究策略的建议,作为快速、高效地实现三维工程涡流场大规模计算任务的参考。
华北地区煤层气聚集带评价与优选
欣松,,张金强
天然气工业 , 2004,
Abstract: ?华北地区是我国煤层气勘探的重点和热点地区,开展本区煤层气聚集带的评价,对于优选有利目标区,加速该区煤层气的开发利用具有重要意义。在系统收集各方面资料的基础上,文章对华北地区煤层气资源的时空分布特征进行了总结,明确了主要勘探目的层及其含气量的分布规律,并利用模糊综合评价方法,在建立适合于本区地质实际的评价标准的基础上,对14个聚集带进行了评价,优选出最有利的聚集带1个,有利的聚集带3个,并对四个聚集带进行了地质条件、勘探风险的系统分析,为本区下一步煤层气的开发利用提供了依据。研究认为,沁水大型含气带是煤层气开发利用最现实的地区,其次为鄂尔多斯东缘大型富气带、太行山东麓中型富气带、徐淮中型富气带,豫北—鲁西、华北北缘等五个煤层气聚集带由于资源量小,含气丰度低、埋藏深度大及煤变质程度低等多种原因,目前不适宜于进行煤层气勘探。
HBT''''s High Frequency Noise Modeling and Analysis
异质结双极晶体管高频噪声建模及分析(英文)

Wang Yanfeng,Wu Dexin,
王延锋
,

半导体学报 , 2002,
Abstract: A T equivalent high frequency heterojunction bipolar transistor (HBT) noise model is reported.This model is derived from Hawkins noise model commonly used in Si BJT.The main modifications include the influence of the ideality factor,emitter resistance,intrinsic base collector capacitance,extrinsic base collector capacitance and other parasitic elements of HBT represented in equivalent circuit topology.In order to calculate accurate noise parameters from the equivalent circuit,the noise correlation matrix method is used to avoid any simplifications generated in circuit transformations and complex noise measurements.The analysis of the influence of the equivalent circuit elements on the minimum noise figure is reported,the results of analysis agree well with the physics explanations.By means of the formulae derived from device physics of HBT,the influence of device parameters on the minimum noise figure is also represented.
An Analytical Charge Control Model of Double Planar Doped HEMTs
双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型

Chen Zhen,Liu Xinyu,Wu Dexin,
陈震
,刘新宇,

半导体学报 , 2004,
Abstract: By using linear E f n s approximation,a new analytical charge control model of the double heterojunction double planar doped high electron mobility transistor (HEMT) is deduced based on Poisson's equation.The heterojunction band theories,the relations among the doping concentration,the distance from the gate to the top planar doped plane and the pinchoff voltage,and the 2DEG density of the device are calculated and analyzed.The model provides a valuable tool for the optimization and performance prediction of the double planar doped HEMT.
Self-Aligned InGaP/GaAs HBT Monolithic Transimpedance Amplifier
自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器

王延锋,孙海峰,刘新宇,和致经,
半导体学报 , 2003,
Abstract: 对自对准 In Ga P/ Ga As HBT单片集成跨阻放大器进行了研究 .采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用 Ga As腐蚀各向异性的特点来完成 BE金属自对准工艺 ,最终制作出的器件平均阈值电压为 1.15 V,单指管子电流增益为5 0 ,发射极面积 4μm× 14μm的单管在 IB=2 0 0μA和 VCE=2 V偏压条件下截止频率达到了 4 0 GHz.设计并制作了直接反馈和 CE- CC- CC两种单片集成跨阻放大器电路 ,测量得到的跨阻增益在 3d B带宽频率时分别为 5 0 .6 d BΩ和 4 5 .1d BΩ ,3d B带宽分别为 2 .7GHz和 2 .5 GHz,电路最小噪声系数分别为 2 .8d B和 3.2 d B.
C波段0.75mm AlGaN/GaN功率器件
陈晓娟,刘新宇,和致经,刘建,
半导体学报 , 2005,
Abstract: 研制并测试了以蓝宝石作衬底的10×75μm×0.8μm AlGaN/GaN微波器件,采用等离子增强气相化学沉积的方法生长了250nm的Si3N4形成钝化层,直流特性从0.56A/mm上升到0.66A/mm,跨导从158mS/mm增为170mS/mm,截止频率由10.7GHz增大到13.7GHz,同时在4GHz下,Vds=25V, Vgs=-2.5V,输出功率由0.90W增至1.79W,输出功率密度达到2.4W/mm. 钝化有效地改善了器件的输出特性,减小和消除了表面寄生栅对器件的影响.
Calculation of Current Gain of Heterojunction Bipolar Transistor with Emitter-Edge Thinning Designv
带有发射极边减薄结构的异质结双极晶体管直流电流增益的计算

LIU Xiao-wei,
刘晓伟
,张荣,

半导体学报 , 2001,
Abstract: The conception of emitter edge offset voltage of HBT with emitter edge thinning design is proposed and introduced into the Gummel Poon model to calculate the current gain of device. Although the method is quite simple, the results agree quite well with the published experimental data, which fully justifies the introduction of the new conception. One of the results of our calculation shows that the thin emitter design is as effective as the emitter edge thinning design to enhance the current gain. Our calculation gives an insight into the design of high performance HBT.
厚钢板焊接接头CTOD断裂韧度的温度影响
苗张木,卫国,,李永信
重庆大学学报 , 2006, DOI: 10.11835/j.issn.1000-582X.2006.06.010
Abstract: 大型厚壁钢结构建造中,研究温度对焊接接头断裂韧度的影响十分重要.笔者对65mm厚S355ML钢板,编制自动埋弧焊(WPS017)工艺和手工电弧焊(WPS016,WPS016A)工艺,对其焊接接头进行常温(15℃)和低温(-20℃)裂纹尖端张开位移(CTOD)评定.发现自动埋弧焊(WPS017)接头焊缝低温CTOD最小值比常温低13.9%,焊缝低温CTOD均值比常温低8.0%;热影响区CTOD断裂韧度值高于焊缝和母材,且对温度变化不敏感.手工电弧焊接头焊缝低温CTOD最小值只有常温的34.5%,焊缝低温CTOD均值只有常温的25.9%;热影响区低温CTOD断裂韧度也很低.在常温(15℃)下,自动埋弧焊焊缝CTOD值比手工电弧焊焊缝CTOD值大得多;在低温(-20℃)下,自动埋弧焊的焊缝和热影响区的CTOD值,都远远大于手工电弧焊CTOD值.
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