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石化乙烯工业废水中关键毒性物质的鉴别
,荣宏伟
环境工程 , 2012, DOI: 10.13205/j.hjgc.201204029
Abstract: 借鉴美国环保署制定的毒性物质鉴别评价技术(TIE),直接从企业生产的工艺出发,结合废水的主要水质指标对某石化厂乙烯工业废水进行毒性鉴别试验,发现废水中的苯和硫化物对大型蚤具有明显的致死性,其中苯是废水中的关键毒物。所取废水对测试生物大型蚤的24h-LC50均值为53.68%,其中主要致毒物质苯的含量大约30mg/L。
?高温升燃烧室主燃区流场和燃烧性能
?彭云晖,,
燃烧科学与技术 , 2010,
Abstract: ?常温常压下,采用piv技术研究了方案a(双旋流器/双油路离心喷嘴头部)和方案b(三旋流器/单油路气动雾化喷嘴头部)对高温升燃烧室主燃区流场的影响.在单头部矩形燃烧室上进行了慢车状态贫油熄火试验,在三头部燃烧室上进行了大状态下出口温度分布试验.试验结果表明,方案b的出口温度分布系数比方案a小41%,贫油熄火性能比方案a小了13.5%.用主燃区piv流场结果分析了燃烧性能存在差别的原因.
应用于直接数字频率合成器的6-GHzGaAsHBT只读存储器
陈建武,王丽,,陈高鹏,金智,
科学通报 , 2011,
Abstract: 只读存储器广泛应用于直接数字频率合成器的相位幅度转换电路.通过对只读存储器建立等效模型,分析如何减少存取时间,提高直接数字频率合成器的工作频率.并对仿真波形出现信号偏差现象进行分析,以指导电路设计.设计的64×3bit只读存储器集成到8bit直接数字频率合成器中.测试结果表明只读存储器最高工作在6GHz,可有效提高直接数字频率合成器的无杂散动态范围.
An ultra-high-speed direct digital frequency synthesizer implemented in GaAs HBT technology
基于GaAs HBT的超高速直接数字频率合成器

Chen Gaopeng,Wu Danyu,Jin Zhi,Liu Xinyu,
陈高鹏
,,金智,

半导体学报 , 2010,
Abstract: 本文报道了一款采用1μm砷化镓异质结双极型晶体管工艺设计制造的10GHz 8-bit超高速直接数字频率合成器芯片。采用8级双边沿触发流水线累加器和正弦加权数模转换器相结合的无ROM架构,将砷化镓异质结双极型晶体管工艺的高速性能最大化,从而大幅提高了电路的工作频率。在10GHz内部有效时钟频率下,芯片可以输出直流到5GHz的正弦波,第一奈奎斯特区的平均无杂散动态范围为23.24dBc。在-4.6V单电源供电下,芯片的直流功耗为2.4W。芯片集成了1651支晶体管,总体面积为2.4×2.0 mm2。
75GHz13.92dBmInPDHBT共射共基功率放大器
曹玉雄,苏永波,,金智,王显泰,
红外与毫米波学报 , 2012,
Abstract: 报道了基于InP基双异质结双极晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器,器件的最高振荡频率fmax为150GHz.放大器的输出极发射极面积为15μmx4μm.功率放大器在75GHz时功率增益为12.3dB,饱和输出功率为13.92dBm.放大器在72.5GHz处输入为2dBm时达到最大输出功率14.53dBm.整个芯片传输连接采用共面波导结构,芯片面积为1.06mmx0.75mm.
tio2胶粒在铝合金表面的电泳沉积及所制薄膜的光催化性能研究
卢晓平?,戴文新?,王绪绪?,付贤智?,, 平?,振?
无机化学学报 , 2004,
Abstract:
The Internet Reference Retrieval with Reference Manager
利用ReferenceManager进行Internet文献检索

陈明,建文
中国科技期刊研究 , 2002,
Abstract: 利用ReferenceManager进行Web ofS cience、PubMed和Z39.50等Internet的检索,它具有使用方便、不占用使用用户数的特点。检索结果可直接存入其本机数据库,再进行处理、管理和再检索等。
12.5 Gbps 1:16 DEMUX IC with high speed synchronizing circuits
具有高速同步功能的12.5Gbps 1:16 解复用器集成电路

Zhou Lei,Wu Danyu,Chen Jianwu,Jin Zhi,Liu Xinyu,
周磊
,,陈建武,金智,

半导体学报 , 2011,
Abstract: A 12.5 Gbps 1:16 demultiplexer (DEMUX) integrated circuit is presented for multi-channel high-speed data transmission. A novel high-speed synchronizing technique is proposed and integrated in this DEMUX chip. Compared with conventional synchronizing techniques, the proposed method largely simplifies the system configuration. The experimental result demonstrates that the proposed circuit is effective in two-channel synchronization under a clock frequency of 12.5 GHz. The circuit is realized using 1 μ m GaAs heterojunction bipolar transistor technology with die area of 2.3 × 2.3 mm2.
Ka-band IQ vector modulator employing GaAs HBTs
采用GaAs HBT的Ka波段I/Q失量调制器

Cao Yuxiong,Wu Danyu,Chen Gaopeng,Jin Zhi,Liu Xinyu,
曹玉雄
,,陈高鹏,金智,

半导体学报 , 2011,
Abstract: 对于雷达通信高性能,低成本的毫米波发射机显得尤为重要。Ka波段(26.5GHz~40GHz)基于GaAs HBT工艺,以HBT为开关器件的平衡式I/Q调制器的成功研制。采用平衡式拓扑可以有效的消除由于HBT电容所带来的寄生,从而达到较高性能的星座图。此芯片面积是1.89x2.26mm2,测试的幅度和相位的误差在26~40GHz间除了35.6GHz的单点外,分别小于1.5dB和3度。测试的结果可用于毫米波通信。
A 4 GS/s 4 bit ADC with 3.8 GHz analog bandwidth in GaAs HBT technology
基于GaAs HBT工艺的3.8GHz带宽4GS/s 4bit超高速ADC

Wu Danyu,Zhou Lei,Guo Jiannan,Liu Xinyu,Jin Zhi,Chen Jianwu,
,周磊,郭建楠,,金智,陈建武

半导体学报 , 2011,
Abstract: 报道了一种4GS/s 4bit超宽带(UWB)模数转换器(ADC)芯片,采用1.4um发射级宽度、2层金属布线的InGaP/GaAs HBT工艺实现。该芯片采用折叠内插架构来最小化其面积和电路规模。为了消除折叠内插电路中的偶发错误码,该ADC采用了一种新颖的比特同步电路。实测结果表明,其在4GS/s采样率下具有3.8GHz的模拟带宽和2.6GHz的有效精度带宽(ERBW),在2.6GHz输入带宽内ADC的有效位数大于3.4bit,在4GHz输入带宽内有效位大于3bit。在6.001GHz输入并将输入功率提高4dB后,有效位仍然高达3.49bit,表明该ADC可采样的频率范围包含从第一到第三奈奎斯特区(DC~6GHz)。该芯片的DNL和INL在4GS/s下均小于±0.15LSB,总面积为1.45×1.45 mm2,总功耗为1.98W。
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