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支撑光网络发展的硅基光电子技术研究

物理 , 2003,
Abstract: ?作为大规模集成电路和化合物半导体光电子器件的制造技术共同构成的一门高新技术,硅基光电子技术越来越受到重视.文章着重介绍中国科学院半导体研究所外延生长sige/si量子结构和si基器件研究的结果采用自行设计的uhv/cvd系统,成功地生长出ⅱ型sige/si量子阱和量子点,直到250k仍能观察到自组织生长ge/si(001)量子点的发光峰;研制成功sige/si谐振腔增强型光电二极管(rce pd)、y分支mzi光调制器和多模干涉-马赫-曾德干涉型光开关等si基光电子器件;1.3μm处rce pd的量子效率达到4.2%,-5v偏压下暗电流密度12pa/μm2;2×2热光型光开关的响应时间小于20μs,两输出端关态串扰为-22db,通态串扰为-12db.
光波导开关的最新进展
王小龙,
物理 , 2003,
Abstract: ?随着光纤通信技术的不断发展,作为光分插复用(oadm)和光交叉互联(oxc)核心器件的光开关作用日益突出.文章从开关单元结构、材料及调制机理三个角度对波导开关进行了划分,阐述了波导开关的基本原理以及当前的研究进展,对面临的一些技术挑战进行了分析,并提出了自己的观点.
硅基光电集成器件研究进展
孙飞,
物理 , 2005,
Abstract: ?随着器件结构与制作工艺的不断创新与完善,硅基发光器件已经可以实现室温下的有效工作,外量子效率可达到0.1%;低功耗的硅基高速调制器件的调制速率达到1ghz以上;而硅基光探测器对1300nm与1550nm波长的探测响应度也已分别达到了0.16ma/w和0.08ma/w.文章对硅基光电器件的研究进展情况进行了概述,并着重对几种器件的结构及工作原理进行了分析.
Modeling Thermodynamics of Smart Cut Process
智能剥离工艺的热动力学模型(英文)

韩伟华,
半导体学报 , 2001,
Abstract: A thermodynamic model of hydrogen induced silicon surface layer splitting with the help of an oxidized silicon wafer bonded is proposed.Wafer splitting is the result of lateral growth of hydrogen blisters in the entire implanted hydrogen region during annealing.The blister growth rate depends on the effective activation energies of both hydrogen complex dissociation and hydrogen diffusion.The hydrogen blister radius was studied as the function of annealing time,annealing temperature and implantation dose.The critical radius was obtained according to the Griffith energy condition.The time required for wafer splitting at the cut temperature was calculated in accordance with the growth of hydrogen blisters.
半导体量子器件物理讲座第六讲半导体量子阱激光器
,王杏华
物理 , 2001,
Abstract: ?量子阱结构是半导体光电子器件的核心组成部分,它是半导体光电子集成的重要基础.文章在描述了量子结构的态密度、量子尺寸效应、粒子数反转的基础上,介绍了量子阱导质结构激光器的工作原理、器件结构、器件性能,并对其在可见光激光器和大功率激光器件中显现出来的优越性作了进一步的说明
半导体量子器件物理讲座第一讲异质结构和量子结构
,王杏华
物理 , 2001,
Abstract: ?随着半导体材料超薄层外延生长和微细加工技术的进展,人们已研制成功多种多样的半导体量子器件.以量子理论为基础,以半导体量子器件为研究对象,形成了一门新的学科———半导体量子电子学和量子光电子学.文章着重介绍半导体异质结构和量子结构,包括其能带结构、态密度分布等性质
半导体量子器件物理讲座第七讲半导体异质结光电探测器
,王杏华
物理 , 2002,
Abstract: ?光电探测器是一类用于接收光波并转变为电信号的专门器件.文章描述了pin光电二极管、雪崩光电二极管、msm(金属-半导体-金属)光电二极管的器件结构和工作原理,并对它们的响应度、噪声、带宽等特性进行了讨论.这类器件已在光通信、光信息处理等许多系统中得到广泛的应用.
BPM-FSRM Hybrid Method for SOI Rib Waveguide-to- Fiber Coupling Analysis
BPM-FSRM混合法分析SOI脊形波导与光纤耦合

刘敬伟,陈少武,
光子学报 , 2005,
Abstract: With hybrid method of BPM and FSRM , the power of transmission was calculated in the case of SOI Rib Waveguide to Fiber coupling .A simple integral formula was developed to work out the reflectivity. Based on the results acquired with the hybrid method, normal FSRM methods and Fresnel equation overlap integral method ,it was deduced that Fresnel equation method and overlap integral method can be used together only when the two waveguides on the each side of disconnection facet are weakly guided.
自组装Ge/Si量子点的研究进展
黄昌俊,,王启明
自然科学进展 , 2004,
Abstract: 回顾与总结了该实验室对自组装Ge/Si(001)量子点的近期研究进展.着重介绍了生长在Si(001)衬底上的Ge量子点的形貌演变过程;多层Ge量子点的结构分析;Ge量子点结构的光学电学性质的表征;以及提高Ge量子点尺寸和分布均匀性的各种方法.
硅基热光、电光、全光开关及其阵列的研究进展
李显尧,俞育德,
物理 , 2013,
Abstract: ?光开关在实现高速信息互连中扮演着重要的角色,受到人们的广泛关注。随着器件结构的不断创新以及半导体加工技术的不断改进,光开关的发展趋向于低功耗、高速和易集成等特点。文章介绍了功耗仅为540mw的热光开关,响应时间为4ns的电光开关和响应时间为25ps的全光开关,重点分析了这三种开关中存在的问题,并提出了解决方法,同时还探讨了开关在阵列化时应考虑的主要问题。
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