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220 kV旁代主变操作引起差动保护动作分析
Analysis of Bypassing 220 kV Transformer Caused Differential Protection Action
 [PDF]

陈文滨,
Dynamical Systems and Control (DSC) , 2014, DOI: 10.12677/DSC.2014.31003
Abstract:
大兴变旁代主变过程导致差动保护动作,主变三侧开关跳闸,经短接CT电流端子模拟试验,确认为五防钥匙误碰CT电流端子,导致AB相短路,出现差流启动差动保护。本文提出加强现场防误碰措施、规范二次操作,以提高运行人员技术水平。
The process of bypassing transformer of Daxing leads to differential protection action and transformer’s three side of switch trip. According to the simulation experiment of short circuit CT terminals, it is sure that the thing that five-prevention key falsely touches the current terminals leads to short circuit phase A and B, the appearance of differential current and the start of differential protection. The paper proposes to enhance the measure of anti false touch and specify secondary operation, in order to improve the technology level of operators.
略论法与生产力标准

法学研究 , 1990,
Abstract: 什么是生产力标准?党的十三大的政治报告中作了科学的概括:"一切有利于生产力发展的东西,都是符合人民根本利益的,因而是社会主义所要求的,或者是社会主义所允许的.
21世纪微电子技术发展展望

科技导报 , 1999,
Abstract: 一、集成电路技术的高速发展几十年来集成电路(IC)技术一直以极高的速度发展。著名的摩尔(Moore)定则指出,IC的集成度(每个微电子芯片上集成的器件数),每3年左右为一代,每代翻两番。对应于IC制作工艺中的特征线宽则每代缩小30%。根据按比例缩小原理(Scal澊ingDownPrinciple),特征线条越窄,IC的工作速度越快,单元功能消耗的功率越低。所以,IC的每一代发展不仅使集成度提高,同时也使其性能(速度、功耗、可靠性等)大大改善。与IC加工精度提高的同时,加工的硅园片的尺寸却在不断增大(现在直径已达到8英寸,不久可望达到12英寸),生产硅片的批量也不断提高。
微电子技术的又一次革命──微电子机械系统(MEMS)发展展望

科技导报 , 1997,
Abstract: 引言MEMS一词由MicroElectroMechanicalSystem的4个字首组成,可译为微电子机械系统。MEMS的起源可以追溯到60年代,1989年后MEMS一词就渐渐成为一个世界性的学术用语,MEMS技术的研究开发也日益成为国际上的一个热点。与MEMS一词同时流行的还有MicroMachine(微机械)和MicroSystem(微系统)。它们都以微小(Micro)为特征,有的强调机械,有的强调系统,但当前人们常不加区别地与MEMS通用。
21世纪微电子技术发展展望

科技导报 , 1999,
Abstract: 一、集成电路技术的高速发展几十年来集成电路(IC)技术一直以极高的速度发展。著名的摩尔(Moore)定则指出,IC的集成度(每个微电子芯片上集成的器件数),每3年左右为一代,每代翻两番。对应于IC制作工艺中的特征线宽则每代缩小30%。根据按比例缩小原理(Scal澊ingDownPrinciple),特征线条越窄,IC的工作速度越快,单元功能消耗的功率越低。所以,IC的每一代发展不仅使集成度提高,同时也使其性能(速度、功耗、可靠性等)大大改善。与IC加工精度提高的同时,加工的硅园片的尺寸却在不断增大(现在直径已达到8英寸,不久可望达到12英寸),生产硅片的批量也不断提高。
第七讲微电子技术发展与物理学

物理 , 2005,
Abstract: ?微电子学的基础是近代固体物理.微电子技术的快速发展又推动了物理学许多分支的进展.今天,当微电子的基本器件mosfet缩小接近其终极时,作为下一代的基础,一批基于新的物理效应的纳电子器件又被提了出来.为了突破传统的二值开关系统的共同极限,新的信息处理系统,如量子信息处理,正在大力研究之中.不久的将来,可望出现一次新的信息电子革命.这次革命又将建立在现代物理学及现代生物学的基础之上.
无创正压通气治疗重症肺炎疗效评价
,
南方医科大学学报 , 2006,
Abstract: 收集重症肺炎病人46人,采用无创正压通气(nippv)治疗,记录治疗前后的血气分析结果和心率、上机时间、生存率、x线胸片病灶的改变,观察其疗效,并作统计学分析。结果显示nippv能明显改善重症肺炎患者的临床监测指标,且上机时间短,显著提高了病人的生存率。?
基于改进的递归神经网络的化工动态系统建模
黄聪明,
北京理工大学学报 , 2004,
Abstract: 在局部递归网络Elman,Jordan,SIRNN的基础上,构建一种改进的递归神经网络模型DHORNN,该模型在结构上将隐层的状态反馈、输出反馈以及时间序列延迟等有机地结合起来,并选用基于Levenberg-Marquardt优化理论的快速的L-M算法,大大提高了网络的训练速度.用该网络对一个多输入单输出的连续搅拌釜式化学反应器模型进行建模,并与其他递归网络模型建模方法进行比较,证明该网络结构对化工动态系统具有良好的动态建模能力.
包含多子带结构的MOS器件开启电压量子力学效应修正模型
马玉涛,,刘理天
半导体学报 , 1999,
Abstract: 量子力学效应对于深亚微米MOSFET特性的影响随着衬底浓度的增加和栅氧层厚度的减小而日益显著.实验结果表明:量子力学效应能够导致开启电压明显的漂移.本文通过比较薛定谔方程在抛物线势垒下的数值解和三角势垒下的解析解验证了MOS结构弱反型区量子力学效应三角势垒近似的正确性.在计算弱反型区量化层内子带结构的基础上,提出量子化有效态密度和经典有效态密度的概念,分析了载流子在子带中的分布情况,讨论了量子力学效应影响开启电压的两个因素,并在此基础上给出了开启电压的量子力学修正模型.该模型准确地揭示了量子力学效应影响开启电压的物理实质
关于MOS结构深耗尽c(v)特性的转折现象
马鑫荣,
半导体学报 , 1984,
Abstract: <正> 最近,据K.S.Rabbani和D.R.Lamb报道,他们在某些n型硅MOS结构上观察到了反常的高频c(v)特性和脉冲c(t)特性,即在一定的高负栅极电压下,上述两种特性曲线都出现了某种“转折”现象.他们不能解释这种现象,只推想它也许和某种局部的体缺陷有关。我们在自己的P型硅MOS结构上,无例外的重复地得到这种“转折“现象,并证明,这一现象是价带电子向表面耗尽区隧道注入的结果.图1(a)是所采用的样品结
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