oalib
匹配条件: “” ,找到相关结果约100条。
列表显示的所有文章,均可免费获取
第1页/共100条
每页显示
槽筒络筒机筒子架的改进  [PDF]
纺织学报 , 1982,
Abstract: <正>上海棉纺织企业中,由往复式络筒机改成的槽筒式络筒机在目前生产中占有较大的比例,因为它比1332型络筒机具有以下优点:1.机械结构简单,保养方便,维修费用
考虑磁场闪络抑制效应的真空绝缘堆闪络概率计算  [PDF]
李逢,王勐,王传伟,何勇,陈林,邹文康
强激光与粒子束 , 2011,
Abstract: ?基于统计学闪络经验公式,计算绝缘堆闪络概率,结果显示:绝缘堆电压峰值越低、电压有效作用时间越短、材料常数越小,则闪络概率越低;在一定绝缘堆电压范围内,绝缘堆半径越小,闪络概率越低。考虑磁场闪络抑制效应,计算了绝缘堆闪络概率。通过电场强度与磁感应强度之比得到磁场开始闪络抑制作用的临界比值。根据绝缘体与电极的夹角以及阴极三相点电场强度与平均电场强度的关系,得到不同的临界比值,比较闪络概率计算结果的差异。计算结果表明:在磁场闪络抑制效应作用下,绝缘堆闪络概率下降。
自磁场下绝缘子沿面闪络特征  [PDF]
李逢,王勐,杨尊,任靖,康军军
强激光与粒子束 , 2012,
Abstract: ?基于磁场闪络抑制原理,研究回路电流产生的自磁场效应对固体材料绝缘性能的影响。通过计算电场强度与磁感应强度的临界比值,设计了同轴电极结构,确定了满足闪络抑制判据的电极尺寸,开展自磁场闪络抑制实验、自磁场闪络促进实验以及无磁场绝缘闪络实验,对比三种条件下绝缘材料的沿面闪络规律,分析磁场位形对材料绝缘特性的影响情况。实验结果表明:绝缘样品在自磁场闪络抑制效应影响下闪络电压提高了约15%,在自磁场促进闪络效应下闪络电压降低了约18%。
基于磁场闪络抑制技术的真空沿面闪络实验研究  [PDF]
刘瑜,王勐,杨尊,周良骥,邹文康,章乐,徐乐
强激光与粒子束 , 2012,
Abstract: ?为解决脉冲功率系统中击穿电压最低的部分,即真空固体绝缘界面,采用磁场闪络抑制技术提高闪络电压,为研究磁场和沿面闪络电压的关系,针对不同介电常数的样品开展了一系列相关实验。实验结果表明:采用电容器对通电螺线管充电产生的脉冲强磁场稳定可靠,并且当施加在绝缘子表面磁场强度为1.1t时,pmma材料的闪络电压可以提高至1.8倍。??
络纱槽筒的特点及其发展  [PDF]
纺织学报 , 2006,
Abstract: 槽筒是络筒工艺中卷绕纱线的重要部件,对筒子的成形质量具有很大的影响。介绍了胶木槽筒、金属槽筒包括钢板槽筒、铸造槽筒、超塑合金槽筒的特点和加工工艺,讨论了各种槽筒的应用范围,提出了金属槽筒有取代胶木槽筒的趋势,总结出了对于提高纱线质量,钢板槽筒和铝合金槽筒更优于超塑合金槽筒。对于提高槽筒耐磨性,延长寿命,促进国产化具有重要意义。
国产自动络筒机的研制  [PDF]
纺织学报 , 1994,
Abstract: 本文介绍的自动络筒机,系我国独创,它运用当代先进的机电一体化技术手段完成自动络筒全工艺流程,可以生产无结头无疵点的商品质产品。
1332型络筒机改用无触点间歇开关  [PDF]
纺织学报 , 1983,
Abstract: 本文介绍了在1332型络筒机上用多谐振荡器触发的可控硅无触点开关代替机械式间歇开关的经验。这种间歇开关噪声低,无电弧,使用寿命长,维修方便,费用低廉,可供使用1332型络筒机工厂作参考。
络筒机经济效益的综合评判  [PDF]
纺织学报 , 1984,
Abstract: 本文应用综合评判法,对五种不同类型络筒机的七项经济技术指标的经济效益作出评价,并对将来国情发生变化后,究竟使用哪一种络筒机更为经济有效,提出看法。
快脉冲同轴场下间距变化的闪络分析  [PDF]
黄文力,崔建锋,孙广生
电工技术学报 , 2011,
Abstract: 在纳秒脉冲同轴电场下,尼龙1010的闪络电压随着内、外电极半径差近似线性增长,且外加脉冲陡度越大,其闪络电压越高。纳秒脉冲下的沿面闪络特性与固体-液体-电极三结合点处的场强及沿面电位梯度分布紧密相关,内、外电极半径差越大,虽然三结合点处场强提高程度越严重,沿面电位分布越不均匀,但是内电极表面场强急剧降低,综合导致沿面闪络电压随着内、外电极半径差近似线性提高。分析表明,当同轴结构内、外电极半径差足够大时,同轴电场的平均闪络场强可以用均匀电场的平均闪络场强来估算。
刻槽绝缘子真空表面闪络光学特性  [PDF]
程国新,程新兵,杨杰,刘列
强激光与粒子束 , 2013,
Abstract: ?利用超高速相机hsfc-pro对绝缘子真空表面闪络光学特性进行了研究,重点分析了平板和刻槽结构圆盘形介质样品在指状电极下闪络通道的差异以及刻槽结构对材料绝缘强度的提升。实验结果表明:槽纹的引入改变了闪络通道的形成位置,平板结构介质样品的表面闪络一般是沿两电极中心连线发展,而刻槽结构介质样品的表面闪络则是沿介质边缘发展。这导致后者的闪络时延至少是前者的π/2倍,证明了刻槽结构可以在不增加器件尺寸的前提下有效提高介质材料的绝缘强度。
第1页/共100条
每页显示


Home
Copyright © 2008-2017 Open Access Library. All rights reserved.