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基区表面势对栅控横向pnp晶体管中子位移损伤的影响  [PDF]
王晨辉,陈伟,刘岩,李斌,杨善潮,金晓明,白小燕,齐超,林东生
强激光与粒子束 , 2015,
Abstract: ?通过在常规横向pnp晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极,制作了可以利用栅极偏置调制基区表面势的栅控横向pnp晶体管。对无栅极偏置电压和偏置电压分别为-10v和10v的栅控横向pnp晶体管,在西安脉冲反应堆上开展注量为2×1012,4×1012,6×1012,8×1012,1×1013cm-2的中子辐照实验,研究基区表面势的增加和降低对栅控横向pnp晶体管中子位移损伤退化特性的影响。研究结果表明,基区表面势的增加引起栅控横向pnp晶体管共射极电流增益倒数的变化量随辐照中子注量的退化速率增加,基区表面势的降低对位移损伤退化速率无明显影响。
环栅肖特基势垒MOSFET解析电流模型
An Analytical Drain Current Model for Surrounding-Gate Schottky Barrier MOSFET
 [PDF]

许立军,张鹤鸣,杨晋勇
- , 2017,
Abstract: 肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)的电流一般需要通过载流子的费米狄拉克分布对能量积分来计算或自洽迭代数值计算,为降低其复杂性,本文采用若干拟合参数,考虑镜像力势垒降低效应、偶极子势垒降低效应和小尺寸下量子化效应对肖特基势垒高度的影响,给出了环栅肖特基势垒MOSFET一种新的解析电流模型。所提出的电流模型与文献报道实验数据符合较好,验证了模型的正确性,对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计提供了一定的参考价值.
The current of Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) is popularly calculated through the integration of Fermi-Dirac distribution for carrier over energy or self consistent iterative numerical calculation. In order to reduce the calculation complexity, this paper presents a new analytical drain current model for surrounding-gate Schottky barrier MOSFET through adopting several fitting parameters which takes into account for the impact on the Schottky barrier height of image force barrier lowering effect, dipole barrier lowering effect and quantum effect at smaller size. The proposed drain current model is in good agreement with the reported experimental data in the literature, which verifies the correctness of the model and can provide some reference for the design of surrounding-gate Schottky barrier MOSFET device and circuit
Estimate of Width of Transition Region of Barrier for Thin Film Insulator MOS Structure Using Fowler-Nordheim Tunneling Current
利用FN电流估计薄栅MOS结构栅氧化层的势垒转变区的宽度

MAO Ling-feng,
毛凌锋
,谭长华,许铭真

半导体学报 , 2001,
Abstract: 通过数值求解整个势垒的薛定谔方程 ,发现 FN电流公式中的 B因子强烈依赖势垒的转变区的宽度 ,而 C因子则弱依赖于势垒的转变区的宽度 .给出了一种利用 WKB近似所得的处理电子隧穿存在转变区势垒的过程 ,并得到一个 FN电流的分析表达式 .它可用来估计薄栅 MOS结构的栅氧化层的势垒转变区的宽度 .在转变区的宽度小于 1nm时 ,它与数值求解薛定谔方程的结果吻合得很好 ,表明该方法可以用来估计势垒转变区的宽度 .实验的结果表明 B因子随温度有较大的变化 ,这个结果验证了该方法的部分预测结果
平面叶栅中心流线法反问题计算机程序及算例  [PDF]
蔡睿贤,沈建文
工程热物理学报 , 1981,
Abstract: 本文介绍以解析形式的函数为设计自变数的平面叶栅中心流线法反问题计算机程序及其可用范围.利用它可以快捷简单地进行大量叶栅设计,以及探讨一些叶栅具体问题.例如由本文的算例可见,目前有些工厂对叶型加工公差只规定了叶型各处的绝对最大允差值是不太合适的.
卤代甲烷的赝势从头算研究Ⅱ.二卤代甲烷的化学键和电离势  [PDF]
耿志远,王永成,韦统师
化学学报 , 1995,
Abstract: 本文应用相对论赝势abinitio方法对CH~2X~2(X=F.Cl.Br.I)系列分子电子结构的变化规律进行了系统地研究,并根据Koopmans定理重新指定了光电子能谱.
Conduction mechanism of ultra-thin gate oxide n-MOSFET after soft breakdown
超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制

WANG Yan-gang,XU Ming-zhen,TAN Chang-hua,DUAN Xiao-rong,
王彦刚
,许铭真,谭长华,段小蓉

物理学报 , 2005,
Abstract: 研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿 后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软击穿后的栅电流Ig符合Fowl er-Nordheim隧穿公式,但室温下隧穿势垒b的平均值仅为0936eV,远小于S i/Si O2界面的势垒高度315eV.研究表明,软击穿后,处于Si/SiO2界 面量子化能级上的 电子不隧穿到氧化层的导带,而是隧穿到氧化层内的缺陷带上.b与缺陷带能 级和电 子所处的量子能级相关;高温下,激发态电子对隧穿电流贡献的增大导致b逐 渐降低.
ⅤA族元素甲基化合物的赝势从头算研究  [PDF]
王永成,耿志远,韦统师
化学学报 , 1997,
Abstract: 使用相对论赝势从头算方法研究了XMe3(X=N,P,As,Sb,Bi)系列分子的Koopmans电离能,孤对电子轨道特征及电子结构,并将某些分子轨道能与相应X的原子轨道能进行了线性关联。
卤代甲烷的赝势从头算研究I.CH~3X(X=F,Cl,Br,I)的化学键和电离势  [PDF]
耿志远,王永成,韦统师
化学学报 , 1994,
Abstract: 我们使用相对论赝势从头计算方法系统地研究了CH~3X(X=F,Cl,Br,I)系列分子的电子结构及其变化规律,并根据Koopmans定理指定了光电子能谱。
GaAs-Based Enhanced-Mode Metamorphic High Electron Mobility Transistor by Using Buried Pt-Schottky Gate
Pt基埋栅势垒GaAs基增强型InAlAs/InGaAs改性高电子迁移率晶体管

Chen Xiaojian,Wu Xu,Li Fuxiao,Jiao Gang,
陈效建
,吴旭,李拂晓,焦刚

半导体学报 , 2004,
Abstract: 讨论了采用埋栅结构实现Ga As基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)增强型模式工作的有关问题,提出了增强型MHEMT的设计与实现方法.通过不同金属(Al,Pt,Ti) / In Al As Schottky势垒系统的实验比较研究,确定在增强型MHEMT工艺中采用具有最高势垒高度的Pt Schottky埋栅结构;并进行了以最佳“推栅”温度为重点的器件工艺的深入研究.在此基础上通过实验研制的原理性1.0 μm×10 0 μm Pt栅增强型MHEMT的特性获得了夹断电压为+0 .12 V,跨导为4 70 m S/ m m及截止频率为5 0 GHz的测试结果,优于使用同一外延片制作的D-MHEMT
计及旋转影响的轴流风机和压气机动叶栅损失模型之改进及其应用  [PDF]
钟芳源,韦俊
工程热物理学报 , 1989,
Abstract: 本文通过对轴流风机动叶表面附面层内三元流动的理论分析和数学推导,得出了一种便于工程实际应用的,计及旋转效应的动叶出口尾迹宽度估计方法。在此基础上,本文发展了一种能计及叶片通道二次流和因叶片旋转所诱导的附面层径向迁移的动叶气动损失沿弪向分布的模型。将上述气动损失模型和动叶出口尾迹宽度估计方法分别应用于轴流风机气动计算和噪声估计,其结果同试验结果吻合甚好——效率计算误差小于1.3%,噪声(总声压级)计算误差小于1(dB)。
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