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均匀掺杂GaAs光阴极表面势垒特性研究  [PDF]
张连东,冯刘,刘晖,程宏昌,高翔,苗壮
红外与激光工程 , 2013,
Abstract: 根据激活过程中光电流变化规律及原位光谱响应测试,模拟了GaAs光阴极表面势垒的形成过程,在光阴极表面双偶极子模型的基础上作了修正,建立了三偶极子模型。新模型认为,光阴极表面势垒由三个偶极层套构而成,第一偶极层由GaAs(Zn)-——Cs+偶极子组成,第二偶极层由Cs2O偶极子组成,第三偶极层由GaAs-O-Cs偶极子组成,第二、三偶极层嵌入第一偶极层中。根据隧道效应与量子效率测试结果,确立了势垒中分段均匀的电势分布,计算得出势垒宽度为1.65nm,有效电子亲和势为-0.44eV。新模型的建立对理解光电阴极表面发射机理具有重要意义。
肖特基势垒形成的研究  [PDF]
潘士宏
物理 , 1986,
Abstract: ?金属-半导体接触的整流性质是一个古老的固体物理问题.它的发现可追溯到1874年braun对金属-硫化铜接触的导电性质的研究.schottky(肖特基)最早系统地研究了金属-半导体接触,他指出,接触的整流性质是来自接触附近半导体内形成的势垒.后来,人们常把金属-半导体接触形成的势垒称为肖特基势垒.关于肖特基势垒形成的理论,最早由scho-ttky,mott等人提出.1947年bardeen把半?...
Electron holography investigation of the barrier of magnetic tunnelling junctions
电子全息对磁隧道结势垒层的研究

Wang Yong,Zhang Ze,Zeng Zhong-Ming,Han Xiu-Feng,
王勇
,张泽,曾中明,韩秀峰

物理学报 , 2006,
Abstract: 利用电子全息显微学方法,从理论和实验两方面,系统研究了磁隧道结势垒层的内势分布,指出了一些在实验过程中应予以注意的实验现象,提出了可能的解决方法.
Electron holography investigation on the barrier structures of Co based magnetic tunnel junctions
Co基磁性隧道结势垒结构的电子全息研究

Zhang Zhe,Zhu Tao,Feng Yu-Qing,Zhang Ze,
张 喆
,朱 涛,冯玉清,张 泽

物理学报 , 2005,
Abstract: 利用高分辨电子显微术和电子全息方法研究了Co基磁性隧道结退火热处理前后的微观结构及相应势垒层结构的变化. 研究结果表明,退火处理可以明显地改善势垒层和顶电极、底电极之间的界面质量,改进势垒层本身的结构. 这与该磁性隧道结经过280℃退火处理后,隧道磁电阻值大大增加是一致的.
双势垒结构Cu-Al2O3-MgF2-Au隧道结的发光效应
王茂祥,孙承休
自然科学进展 , 2000,
Abstract: 制备了Cu-Al2O3-MgF2-Au隧道发光结,与普通单势垒Al-Al2O3-Au隧道结相比,其发光效率(10-6~10-5)提高了近一个量级,发光稳定性及耐压性都有所提高.其光谱波长范围(250~700 nm)及谱峰主峰(460 nm)均较Al-Al2O3-Au结向短波长方向移动,这与双势垒的引入及势垒中分立能级的产生而形成的电子共振隧穿使表面等离极化激元的激发增强有关.
Ag与p-InP的肖特基势垒特性
李晋闽,郭里辉,张工力,侯洵
半导体学报 , 1992,
Abstract: 本文对Ag与p-InP所形成的肖特基势垒进行了研究.通过在不同的表面热清洁温度下,对p-InP表面进行的AES分析,得到其表面清洁的最佳条件为480℃,20分钟.在超高真空系统内(真空度为2.66 × 10~(-7)Pa),根据热清洁条件对半导体表面进行热清洁后,可获得接近理想状态的清洁表面.在该清洁表面上制备出p-InP的肖特基势垒高度和理想因子分别为0.73 eV和1.09.另外本文还对肖特基结经不同温度及时间热处理后结特性的退化进行了研究.
多势垒结构共振透射系数的计算  [PDF]
骆敏,杨双波
南京师范大学学报(自然科学版) , 2012,
Abstract: 使用转移矩阵方法精确求解了一维定态薛定谔方程,求出了在多势垒结构中电子能量大于、等于、小于势垒高度情况下的共振透射系数的表达式,并进一步研究了多势垒结构的共振透射系数与有效质量和势垒宽度及势垒个数之间的关系.
外场中多势垒结构的共振传输  [PDF]
骆敏,杨双波
南京师范大学学报(自然科学版) , 2012,
Abstract: 利用艾里(airy)函数和转移矩阵方法精确求解了存在电场的一维多势垒结构的电子一维定态薛定谔方程,求出了在一维多势垒结构中电子共振透射系数的表达式,并进一步研究了多势垒结构的共振透射系数与有效质量和势垒宽度及外加偏压的关系.
缺陷俘获势垒测定新方法——瞬态光霍耳谱  [PDF]
红外与毫米波学报 , 1996,
Abstract: 以瞬态光霍尔测量为基础,建立了直接观测俘获过程的深中心分析测试新手段.该方法不需要做肖特基结、p-n结、或MIS结构,几乎可在零电场下测量缺陷参数,克服电场、德拜带尾、非指数瞬态等对缺陷特性的影响,也克服了深能级瞬态谱技术(DLTS)只能通过载流子发射过程间接测量俘获参数的缺点.用此方法测量了Ga0.7Al0.3As中DX中心的俘获势垒
四毫米GaAs肖特基势垒二极管及混频器
混频器研制组
半导体学报 , 1980,
Abstract: 考虑GaAs肖特基势垒比Si高,并且器件在一定正偏压下工作,所以参数的设计需在一定的正偏压下进行,修正了零偏压下的设计误差. 外延材料是掺硫汽相外延,浓度为2×10~(17)cm~(-3),厚度约为0.5μm.衬底材料浓度为2 ×10~(13)cm~(-3),结直径约 2—2.5μm.势垒金属 Ni采用电镀方法形成,使覆盖电容最小,工艺简单.对电镀层的沾污进行了分析和改进.势垒结工作寿命为1000小时. 二极管和混频器结合成一整体设计.研制了蜂窝触须结构混频器.设计了专门的装管、触须腐蚀微动装置,使触须具有一定压力并有较好的机械可靠性,能承受一定的冲击力.为了测试噪声系数,研制了四毫米噪声源,热噪声标准.混频管最佳变频损耗Lmin=4.7dB.在变频损耗L=6.5dB下,测试中放频率100—300MHz,混频器噪声系数的典型测试值N_F=10.7dB(单边带包括中放N_(IF)=2dB).
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