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无 氧 条 件 下TiO2 薄 膜 界 面 光 催 化 反 应 的XPS 研 究  [PDF]
杨喜昆,胡显智,何 兵,楚国栋
分子催化 , 2009,
Abstract: 设 计 利 用 X 射 线 光 电 子 能 谱 仪 的 高 真 空 系 统 作 为 无 氧 条 件 下 光 催 化 反 应 和 分 析 的 场 所 , 研 究 真 空 无 氧 环 境 和 大 气 有 氧 环 境 中 紫 外 光 激 发 TiO2 薄 膜 表 面 的 光 催 化 反 应 , 并 对 无 氧 条 件 下 TiO2 薄 膜 降 解 亚 甲 基 蓝 进 行 初 步 探 索 . 结 果 表 明 , 在 大 气 有 氧 和 真 空 无 氧 条 件 下 TiO2 薄 膜 经 紫 外 光 照 后 , 表 面 的 化 学 组 成 和 化 学 状 态 均 发 生 了 变 化 ; 在 有 氧 环 境 中 TiO2 薄 膜 表 面 氧 含 量 增 加 , 而 在 无 氧 环 境 中 TiO2 薄 膜 表 面 氧 含 量 减 少 . TiO2 薄 膜 表 面 的 吸 附 氧 是 维 持 无 氧 条 件 下 光 催 化 反 应 的 重 要 原 因 , 增 加 薄 膜 表 面 吸 附 氧 的 含 量 能 提 高 TiO2 薄 膜 在 无 氧 环 境 中 的 催 化 活 性 . 此 外 , 无 氧 条 件 下 TiO2 薄 膜 降 解 亚 甲 基 蓝 光 催 化 反 应 过 程 中 , 亚 甲 基 蓝 分 子 只 是 脱 去 了 某 个 含 氮 的 基 团 , 生 成 了 中 间 产 物 , 而 并 没 有 完 全 降 解 .
黄宾虹《蜀游画册》赏析  [PDF]
王晓钟
东南文化 , 2005,
Abstract: ????黄宾虹《蜀游画册》的点法墨法是在蜀游夜行中所得到的感悟,是黄宾虹绘画的精神所在。
GaAs chlorination study
Túnez,F. M.; Gonzalez,J.; Ruiz,M. del C.;
Latin American applied research , 2008,
Abstract: the compound gaas is at the present time an essential part of electronic devices. the recovery of elements from electronic wastes is fundamental for the metallurgic industries. in this work, the following reaction is investigated: gaas + 3cl2(g) → gacl3 + ascl3 with the aim of recovering constituent elements by chlorination, several variables were studied such as: chlorine partial pressure, in the range between 0.2 and 1 atm, by dilution with n2; and temperature of reaction, in the -29°c to 200°c range. the reagents used were gaas of analytical quality, chlorine and nitrogen gas of high purity. the reagents and products were analyzed by x-ray fluorescence (xrf), x-ray diffraction (xrd), scaming electronic microscopy (sem) and atomic absorption spectofotometry (aaes). the results show that the rate of chlorination did not change significantly with the temperature, but increased with the chlorine partial pressure. it was found that ascl3 was partially evaporated at temperatures above 20°c, while the gacl3 start to be evaporated at 100°c. these partial results show that chlorination is a selective and economic methodology for the recovery of gallium from electronic wastes.
GaAs chlorination study
F. M. Túnez,J. Gonzalez,M. del C. Ruiz
Latin American applied research , 2008,
Abstract: The compound GaAs is at the present time an essential part of electronic devices. The recovery of elements from electronic wastes is fundamental for the metallurgic industries. In this work, the following reaction is investigated: GaAs + 3Cl2(g) → GaCl3 + AsCl3 With the aim of recovering constituent elements by chlorination, several variables were studied such as: chlorine partial pressure, in the range between 0.2 and 1 atm, by dilution with N2; and temperature of reaction, in the -29°C to 200°C range. The reagents used were GaAs of analytical quality, chlorine and nitrogen gas of high purity. The reagents and products were analyzed by X-ray fluorescence (XRF), X-ray diffraction (XRD), scaming electronic microscopy (SEM) and atomic absorption spectofotometry (AAES). The results show that the rate of chlorination did not change significantly with the temperature, but increased with the chlorine partial pressure. It was found that AsCl3 was partially evaporated at temperatures above 20°C, while the GaCl3 start to be evaporated at 100°C. These partial results show that chlorination is a selective and economic methodology for the recovery of gallium from electronic wastes.
珙 桐 繁 育 的 研 究 进 展  [PDF]
陈蕤坤,徐 莺
北方园艺 , 2010, DOI: 10.11937/bfyy.201023075
Abstract:
百 合 鳞 片 快 繁 试 验 研 究  [PDF]
王海新,赵 艳,崔雪艳
北方园艺 , 2010, DOI: 10.11937/bfyy.201017056
Abstract:
金 钱 松 研 究 进 展 与 展 望  [PDF]
崔青云,王小德
北方园艺 , 2010, DOI: 10.11937/bfyy.201020076
Abstract:
土 壤 氮 素 矿 化 研 究 进 展  [PDF]
张笑千,陈 卓,常 鹏,曲英华
北方园艺 , 2010, DOI: 10.11937/bfyy.2010015008
Abstract:
茄 子 杂 种 优 势 利 用 研 究  [PDF]
樊绍翥,张凤生,李 烨,姚建刚
北方园艺 , 2010, DOI: 10.11937/bfyy.201023007
Abstract:
红 掌 苗 期 施 肥 试 验 研 究  [PDF]
许震寰1,,唐霄铧1,,白为1,,卓 明1,孙 婷1
北方园艺 , 2010, DOI: 10.11937/BFYY.201017045
Abstract:
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