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有质量手性费米子的势垒隧穿  [PDF]
潘林峰,曹振洲,程衍富
中南民族大学学报(自然科学版) , 2014,
Abstract: 研究了有质量手性费米子和非手性费米子的势垒隧穿，重点讨论了手性费米子在势垒中的运动特征，对反“Klein 隧穿”给出直观解释，并比较了无手性费米子的隧穿行为．
GaAs／AlAs超晶格Γ－X级联隧穿导致的电场畴
张耀辉,杨小平,刘伟,崔丽秋,江德生
半导体学报 , 1995,
Abstract: 我们研究了掺杂耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格的级联隧穿，在这种结构中，ＡｌＡｓ层Ｘ能谷中的基态能级位于ＧａＡｓ层中Γ能谷的基态（Ｅ（Γ１）；）和第一激发态（Ｅ（Γ２））能级之间．实验结果证明，这种超晶格中的高电场畴是由Γ－Ｘ级联共振隧穿所形成的，而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的．在这种高场畴中，电子从ＧａＡｓ量子阱的基态隧穿到邻近的ＡｌＡｓ层的Ｘ能谷的基态，然后通过实空间电子转移从ＡｌＡｓ层的Ｘ能谷弛豫到下一个ＧａＡｓ量子阱的Γ能谷的基态．
方形固-液声子晶体的全反射隧穿及其多通道滤波  [PDF]
刘启能
固体力学学报 , 2012,
Abstract: 为了研究一维固-液结构方形声子晶体中弹性波的全反射隧穿效应，利用传输矩阵法计算了弹性波在大于全反射角入射一维固-液结构方形声子晶体的透射率。在透射波中发现了全反射隧穿效应,并且全反射隧穿峰具有优良的多通道滤波特性。得出了一维固-液结构声子晶体的全反射隧穿的滤波特性随周期数、模式量子数、边长的变化规律。为设计性能优良的多通道声子晶体滤波器提供了理论依据。
Fermions tunneling of the Vaidya-Bonner black hole
Vaidya-Bonner黑洞的费米子隧穿
Lin Kai,Yang Shu-Zheng,
林恺,杨树政
物理学报 , 2009,
Abstract: 运用费米子隧穿的理论,对Vaidya-Bonner黑洞的费米子Hawking辐射进行研究.使用随动坐标变换,并假设γμ矩阵的一个合理形式,从而得到了Vaidya-Bonner黑洞的自旋为1/2的粒子的隧穿辐射行为.
三势垒共振隧穿结构中极大增强的光生空穴共振隧穿  [PDF]
红外与毫米波学报 , 2007,
Abstract: 研究了电子隧穿出射端嵌入1.2μm厚n型弱掺杂GaAs层的三势垒双阱隧穿结构,观察到了隧穿峰谷比高达36的光生空穴共振隧穿峰.研究证实1.2μm厚n型弱掺杂GaAs层在光照下产生的大量光生空穴以及空穴隧穿出射端的23nm宽的量子阱中量子化的空穴能级对空穴隧穿谷电流的限制作用,是导致高峰谷比的光生空穴隧穿现象的主要原因.
铁磁金属量子阱态的共振隧穿  [PDF]
张晓光,卢仲毅
物理 , 2006,
Abstract: ？非铁磁金属层中的量子阱态在磁输运过程中的重要性已被广泛认识.铁磁金属层中自旋极化的量子阱态以前并没有详尽的理论研究；实验上也没有清晰地观测到自旋极化量子阱态的隧穿.文章介绍了最近由卢仲毅、张晓光和pantelides［1］预言的fe/mgo/feo/fe/cr和其他铁磁量子阱隧道结中的共振隧穿，并解释铁、钴、铬的δ1能带的对称性在这种共振隧穿中的作用.
GREATLY ENHANCED RESONANT TUNNELING OF PHOTO-EXCITED HOLES IN A THREE-BARRIER RESONANT TUNNELING STRUCTURE
三势垒共振隧穿结构中极大增强的光生空穴共振隧穿
ZHU Hui,ZHENG Hou-Zhi,LI Gui-Rong,TAN Ping-Heng,GAN Hua-Dong,XU Ping,ZHANG Fei,ZHANG Hao,XIAO Wen-Bo,SUN Xiao-Ming,
朱汇,郑厚植,李桂荣,谭平恒,甘华东,徐平,张飞,章昊,肖文波,孙晓明
红外与毫米波学报 , 2007,
Abstract: 研究了电子隧穿出射端嵌入1.2 μm厚n型弱掺杂GaAs层的三势垒双阱隧穿结构,观察到了隧穿峰谷比高达36的光生空穴共振隧穿峰.研究证实1.2 μm厚n型弱掺杂GaAs层在光照下产生的大量光生空穴以及空穴隧穿出射端的23 nm宽的量子阱中量子化的空穴能级对空穴隧穿谷电流的限制作用,是导致高峰谷比的光生空穴隧穿现象的主要原因.
量子阱中电子隧穿逃逸时间的研究  [PDF]
红外与毫米波学报 , 1994,
Abstract: 用波包方法计算了电子从量子阱中的隧穿逃逸时间随外加偏压的变化，与实验结果符合良好，通常半经典近似模型与实验结果偏离较大，通过对两者的比较给出了改进的半经典模型，大大简化了隧穿逃逸时间的计算。
小偏压下阱中阱结构的量子隧穿特性及其实现  [PDF]
安盼龙,赵瑞娟
量子电子学报 , 2011,
Abstract: 共振隧穿是电子的隧穿概率在某一个能量值附近以尖锐的峰值形式出现的隧穿，是目前为止最有希望应用到实际电路和系统的量子器件之一，其特点是器件的响应速度非常快。本文用传递矩阵的方法分别计算了在外加偏压下,对称双势垒、三势垒应变量子阱结构的透射系数与入射电子能量和隧穿电流与偏置电压的关系,模拟了应变多量子阱结构的隧穿系数和I-V特性曲线。计算得到隧穿电流峰值位置与实验测试值符合得很好,对于设计共振隧穿二极管并为进一步实验提供理论指导具有重要的意义。
分子磁体中的量子隧穿及宏观量子效应  [PDF]
梁九卿
物理 , 2004,
Abstract: ？文章介绍了分子磁体中的量子隧穿和宏观量子效应理论和实验研究的新进展.分子磁体既有宏观磁体特性也呈现纯量子行为，例如磁化矢量的量子隧穿.文章作者解释了如何通过量子隧穿实现宏观量子相干（即薛定谔猫态的相干叠加）和量子态位相干涉.对隧穿率计算的瞬子方法，特别是有限温度隧穿理论及其在分子磁体量子隧穿中的应用也做了简要的阐述.
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