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隧穿谱的研究进展  [PDF]
王兰萍
物理 , 1989,
Abstract: ?隧穿谱适宜于研究表面和界面的物理化学性质.它具有灵敏度高、谱范围宽和不受光学跃迁那样的选择定则限制等优点.本文介绍了隧穿谱的测量原理及其在探测分子的振动跃迁、电子跃迁,测量超导能隙和研究生物辐射损伤等方面的应用.对扫描隧穿显微镜(stm)的针尖-平面电极构成的隧道结构和金属-氧化物-金属平面型隧道结构作了比较,分析了它们用于测量隧穿谱时的优缺点,stm将促进隧穿谱研究的进一步发展.
三势垒共振隧穿结构中极大增强的光生空穴共振隧穿  [PDF]
红外与毫米波学报 , 2007,
Abstract: 研究了电子隧穿出射端嵌入1.2μm厚n型弱掺杂GaAs层的三势垒双阱隧穿结构,观察到了隧穿峰谷比高达36的光生空穴共振隧穿峰.研究证实1.2μm厚n型弱掺杂GaAs层在光照下产生的大量光生空穴以及空穴隧穿出射端的23nm宽的量子阱中量子化的空穴能级对空穴隧穿谷电流的限制作用,是导致高峰谷比的光生空穴隧穿现象的主要原因.
非对称耦合双阱中载流子共振隧穿和LO声子辅助隧穿的光学证据
徐士杰,江德生,李国华,张耀辉,罗晋生
半导体学报 , 1993,
Abstract: 用稳态光致发光研究了偏压下的GaAs/Ga_(0.65)Al_(0.35)As/GaAs非对称耦合双阱(ADQW)结构中电子的隧穿现象。清楚地观察到电子从窄阱到宽阱的共振隧穿和LO声子辅助隧穿效应,而且证明来自于GaAlAs势垒层中的类AlAs模式声子在LO声子辅助隧穿过程中占据主导地位。
有质量手性费米子的势垒隧穿  [PDF]
潘林峰,曹振洲,程衍富
中南民族大学学报(自然科学版) , 2014,
Abstract: 研究了有质量手性费米子和非手性费米子的势垒隧穿,重点讨论了手性费米子在势垒中的运动特征,对反“Klein 隧穿”给出直观解释,并比较了无手性费米子的隧穿行为.
温度对电荷耦合器件的隧穿电阻和隧穿几率的影响  [PDF]
代珍兵,李玲
四川师范大学学报(自然科学版) , 2012,
Abstract: 单电子输运器件在集成单电子电路、电学计量和量子信息处理等方面有着广泛的应用前景.金属单电子输运器件具有固定的隧道结,而半导体单电子输运器件则具有可调的隧道结.基于隧穿电阻和隧穿几率的唯象计算公式,详细研究了温度对硅基电荷耦合器件的隧道结的隧穿电阻和隧穿几率的影响,同时讨论了温度和门电压与库仑阻塞条件之间的关系.
量子阱中电子隧穿逃逸时间的研究  [PDF]
红外与毫米波学报 , 1994,
Abstract: 用波包方法计算了电子从量子阱中的隧穿逃逸时间随外加偏压的变化,与实验结果符合良好,通常半经典近似模型与实验结果偏离较大,通过对两者的比较给出了改进的半经典模型,大大简化了隧穿逃逸时间的计算。
FM/I/FM隧道结中的隧穿时间  [PDF]
郭雪林,黄劲松,谢征微,李玲
四川师范大学学报(自然科学版) , 2009,
Abstract: 在相位时间定义的基础上,研究了铁磁金属ˉ绝缘体ˉ铁磁金属一维磁性隧道单结的隧穿时间随两铁磁层磁矩之间夹角,势垒宽度和电子入射能量的变化.研究结果表明隧穿时间随电子的入射能的增大而减小,在低能区隧穿时间随入射能的增加呈指数减小,而在高能区减小的趋势变缓和;两铁磁层磁化强度方向呈平行排列和反平行排列时的隧穿时间的差值在低能区随入射能的增加呈指数增加,但在高能区趋于零.另外隧穿时间随着势垒宽度的增加而呈线性增长.
单负材料光子晶体共振隧穿特性  [PDF]
邓新华,刘念华
科学通报 , 2007,
Abstract: 利用传输矩阵方法研究了由负介电常数材料和负磁导率材料交替生长形成的一维光子晶体的共振隧穿特性.结果表明这种结构的光子晶体具有2个共振隧穿模,并且2个共振隧穿模间距能够通过改变2种单负材料厚度比和缺陷层厚度进行调节.共振隧穿模场强随着两种单负材料的厚度比的增大而迅速增大,而且2种单负材料的厚度比每增加0.4倍场强增大一个数量级,场强的这种10的指数幂增加性质在非线性光学中可望得到广泛应用.同时隧穿模场的局域性也随着两种单负材料的厚度比的增大变得更加强烈,电场逐渐向与缺陷层两侧毗连的两个界面集中,2个共振隧穿模的半高宽(FWHM)变窄.此外,这种可调的2个共振隧穿模几乎不随入射角和厚度涨落变化.根据这些特性,我们能够更加实际地利用单负材料制作可调的全向双通道高品质因数滤波器.
铁磁金属量子阱态的共振隧穿  [PDF]
张晓光,卢仲毅
物理 , 2006,
Abstract: ?非铁磁金属层中的量子阱态在磁输运过程中的重要性已被广泛认识.铁磁金属层中自旋极化的量子阱态以前并没有详尽的理论研究;实验上也没有清晰地观测到自旋极化量子阱态的隧穿.文章介绍了最近由卢仲毅、张晓光和pantelides[1]预言的fe/mgo/feo/fe/cr和其他铁磁量子阱隧道结中的共振隧穿,并解释铁、钴、铬的δ1能带的对称性在这种共振隧穿中的作用.
分子磁体中的量子隧穿及宏观量子效应  [PDF]
梁九卿
物理 , 2004,
Abstract: ?文章介绍了分子磁体中的量子隧穿和宏观量子效应理论和实验研究的新进展.分子磁体既有宏观磁体特性也呈现纯量子行为,例如磁化矢量的量子隧穿.文章作者解释了如何通过量子隧穿实现宏观量子相干(即薛定谔猫态的相干叠加)和量子态位相干涉.对隧穿率计算的瞬子方法,特别是有限温度隧穿理论及其在分子磁体量子隧穿中的应用也做了简要的阐述.
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