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用涂碳石英管生长碲化物晶体的工艺分析

Keywords: PbTe,CdTe,HgCdTe,晶体生长,杂质沾污,XPS

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用经内壁涂碳膜的石英坩埚生长PbTe,CdTe和HgCdTe等的Ⅱ~Ⅳ族和Ⅳ~Ⅵ族化合物晶体,由X射线光电子能谱仪(XPS),原子吸收光谱和高频红外碳硫分析技术分析了多组涂碳和未涂碳、用和未用长晶的石英管内壁及相应的晶体表面,结果表明牢固的碳膜不会对生长晶体引进明显的碳沾污,可以避免石英同生长晶体的粘连.

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