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氮离子注入SiO2单晶磨损机理的SEM研究

Keywords: 氮离子注入,SiO2单晶,磨损机理

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利用氮离子注入技术改善SiO2昌表面的摩擦磨损性能,并用扫描电子显微镜研究了离子注入前、后的SiO2单昌在干摩擦条件下与Si3N4球对摩时的磨损机理,研究结果表明,经过1*10^17N^+/剂量的氮离子注入后,SiO2单昌表面的耐磨性能比注入前提高了近4个数量级,氮离子注入使SiO2单晶表层形成SiO2微晶态与非晶态共存混合态结构,其具有良好的抗塑变和塑性剪切能力,从而使SiO2单晶的抗磨性能得到

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