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Microstructure of an InGaN/GaN Multiple Quantum Well LED on Si (111) Substrate
Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构

Keywords: GaN,Si substrate,LED,dislocation,TEM,DCXRD
GaN
,Si衬底,LED,位错,TEM,DCXRD,InGaN,多量子阱,外延材料,微结构,Microstructure,Multiple,Quantum,Well,刃位错,位错密度,分析表,均匀,厚度,存在,堆垛层错,界面附近,非晶层,高分辨像,生长,DCXRD,衍射仪,双晶

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Abstract:

用透射电子显微镜(TEM)和X射线双晶衍射仪(DCXRD)对在Si(111)衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)LED外延材料的微结构进行了观察和分析.从TEM高分辨像观察到,在Si和AlN界面处未形成SixNy非晶层,在GaN/AlN界面附近的GaN上有堆垛层错存在,多量子阱的阱(InGaN)和垒(GaN)界面明锐、厚度均匀;TEM和DCXRD进一步分析表明MQW附近n型GaN的位错密度为10acm-2量级,其中多数为b=1/3〈112-0〉的刃位错.

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