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Self-Aligned InGaP/GaAs Power HBTs with a Low Bias Voltage
低偏置电压工作的自对准InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管(英文)

Keywords: self,aligned,InGaP,power HBTs,low bias voltage
自对准
,InGaP,功率双异质结晶体管,低偏置电压

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Abstract:

介绍L 波段、低偏置电压下工作的自对准In Ga P/ Ga As功率异质结双极晶体管的研制.在晶体管制作过程中采用了发射极-基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性.功率测试结果显示:当器件工作在AB类,工作频率为2 GHz,集电极偏置电压仅为3V时,尺寸为2×(3μm×1 5 μm)×1 2的功率管获得了最大输出功率为2 3d Bm,最大功率附加效率为4 5 % ,线性增益为1 0 d B的良好性能

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