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Effects of Germanium on Oxygen Precipitation in Heavily Boron-Doped Czochralski Silicon
锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响

Keywords: heavily boron-doped Czochralski silicon,germanium,oxygen precipitation
重掺硼直拉硅
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Abstract:

通过单步长时间退火(650~1150℃/64h)和低高两步退火(650℃/16h 1000℃/16h和800℃/4~128h 1000℃/16h),研究锗对重掺硼硅(HB-Si)中氧沉淀的影响.实验结果表明,经过退火后,掺锗的重掺硼硅中与氧沉淀相关的体微缺陷密度要远远低于一般的重掺硼硅,这表明锗的掺人抑制了重掺硼硅中氧沉淀的生成,并对相关的机制做了初步探讨.

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