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Influence of Deviation from Stoichiometry on Crystallinic Qualities and Optoelectronic Properties of MOCVD GaN
化学计量比的偏离对GaN的结晶品质及光电性能的影响

Keywords: GaN,XPS,RBS/channeling,PL,Hall measurement
GaN
,X射线光电子能谱,RBS/沟道,光致发光,Hall测量

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Abstract:

用 X射线光电子能谱对 MOCVD生长的未故意掺杂 Ga N单晶薄膜进行 N、 Ga组份测试 ,同时用 RBS/Channeling、 Hall测量和光致发光技术对样品进行结晶品质及光电性能研究 .结果表明 N含量相对低的 Ga N薄膜 ,其背景载流子浓度较高 ,离子束背散射沟道最小产额比 χmin较小 ,带边辐射复合跃迁较强 .在 N含量相对低的 Ga N薄膜中易形成 N空位 ,N空位是导致未故意掺杂的 Ga N单晶薄膜呈现 n型电导的主要原因 ;N空位本身对离子束沟道产额没有贡献 ,但它能弛豫 Ga N与 Al2 O3之间的晶格失配 ,改善生长的 Ga N薄膜的结晶品质

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