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物理学报  2008 

Investigation of microcrystalline silicon germanium prepared by hydrogen and helium gas mixture diluted VHFPA-RTCVD
H2,He混合稀释生长微晶硅锗薄膜

Keywords: chemical vapor deposition,microcrystalline silicon germanium thin film,optical emission spectra,X-ray diffraction
化学气相沉积
,微晶硅锗薄膜,光发射光谱,X射线衍射

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Abstract:

采用H2,He混合气体稀释等离子辅助反应热化学气相沉积法生长微晶硅锗薄膜,并在生长过程中对等离子体进行光发射光谱在线监测.结果表明:混合气体稀释法可以有效提高等离子体中的原子氢数目,降低等离子体中的电子温度;用XRD和光暗电导率表征样品的微结构和光电特性时发现,通过优化混合稀释气体中He和H2气体的比例,能够减少薄膜中的缺陷态,促进薄膜<220>择优取向生长,有效改善微晶硅锗薄膜结构,提高光电吸收性能.

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