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物理学报  1994 

DEEP LEVEL STUDIES OF Ga1-xInxAs/InP LASERS GROWN BY LP-MOVPE
低压-金属有机物汽相外延生长的Ga1-xInxAs/InP激光器中深能级的研究

Keywords: 半导体激光器,能级,汽相外延生长

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Abstract:

应用深能级瞬态谱(DLTs)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga0.47In0.53As/Inp量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga0.47In0.53As有源层里观察到H1(Ev+0.09eV)和E1(Ec-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga0.4

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