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物理学报  1996 

TRANSPORT IN HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AT LOW TEMPERATURES
氢化非晶硅的低温输运

Keywords: 氢化非晶硅,低温,输运,跳跃频率,热发射率

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Abstract:

从低温跳跃电导模型出发,计算低温下的跳跃频率,热发射率及输运能级随温度变化,分析讨论了非晶硅热激电导的低温峰。认为输运机制的变化是氢化非晶硅热激电导低温峰TM独立于起始温度T0的主要原因,TM相应于输运机制变化的温度。

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