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物理学报  1965 

THE TRANSVERSE MAGNETORESISTANCE FOR n-TYPE GERMANIUM IN A STRONG MAGNETIC FIELD
强磁场中n型锗的横向磁阻

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本文就声子散射与电离杂质散射的两种散射机构探讨了半导体n型锗的横向磁阻。在简并强磁场情况下,得出声子散射机构在〈111〉,〈110〉和〈100〉三个方向上锗的横向磁阻的表示式。磁阻的平均值的相对大小(ρt<111>)/ρ0:(ρt<110>)/ρ0:(ρt<100>)/ρ0=1:1.7:1.1,并且磁阻具有振荡形式。在非简并量子极限情况下分别对声子散射和杂质散射得出锗的横向磁

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