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Influence of layout parameters on snapback characteristic for a gate-grounded NMOS device in 0.13- m silicide CMOS technology
0.13微米硅化物 CMOS工艺下版图参数对栅极接地 NMOS晶体管骤回特性的影响

Keywords: electrostatic discharge,gate-grounded NMOS,snapback characteristic,layout parameters
静电泄放
,(ESD),栅接地NMOS,骤回特性,版图参数

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Abstract:

本文中,在 0.13微米硅化物 CMOS工艺下, 设计了不同版图尺寸和不同版图布局的栅极接地 NMOS器件。TLP测量技术用来获得器件的骤回特性。 文章分析了器件版图参数和器件骤回特性之间的关系。TCAD器件仿真软件被用来解释证明这些结论.通过这些结论,电路设计者可以预估栅极接地NMOS器件在ESD大电流情况下的特性,由此在有限的版图面积下设计符合 ESD保护要求的栅极接地 NMOS器件。本文同时给出了优化后的 0.13微米硅化物工艺下 ESD版图规则。

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